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【技術實現步驟摘要】
本申請涉及聲表面波器件,尤其涉及一種具有橫向模態抑制效果的溫度補償型聲表面波裝置。
技術介紹
1、聲表面波(surface?acoustic?wave,saw)裝置的基本結構是在壓電基片材料上制作聲電換能器,具有小體積、大帶寬、低插損、低成本、大批量生產等優點,被廣泛應用在移動通信設備中。隨著通信協議的發展,對濾波器,雙工器等射頻器件的要求越來越高,聲電換能器的優化設計對于獲得高性能的saw器件來說尤為重要。
2、近些年,溫度補償型聲表面波裝置的技術有兩種路線,一種是晶片鍵合的溫補方法,將芯片鍵合在溫度穩定性較好的晶圓基底,然而,這種制備方法制作工藝復雜,成本比較高,甚至可能是普通聲表面波(standard?surface?acoustic?wave,)裝置成本的5~10倍。另一種是目前廣泛采用的表面覆蓋溫補層的方法,即在叉指換能器(interdigital?transducer,idt)上覆蓋一層如二氧化硅、二氧化鍺等具有正的溫度系數的材料,然后再鍍上一層鈍化層,通過有效的控制各層厚度,能夠抵消原壓電基片的負溫度系數,從而使濾波器在較寬的溫度范圍內實現較好的頻率穩定性。然而,這種溫補層的加入方法將會產生不必要的橫向雜散模式(橫模),這些橫模產生的雜散響應引起通帶內波動,增加器件的插入損耗、降低器件q值,從而導致整體器件性能的惡化。
3、因此,如何提供一種溫度補償型聲表面波裝置,不僅具有橫向模態抑制效果,還能夠降低溫度補償型聲表面波裝置制造工藝難度和制造成本,能夠已成為本領域人員亟需解決的技術問題之一
...【技術保護點】
1.一種具有橫向模態抑制效果的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,包括自下而上依次層疊設置的壓電襯底、IDT電極、溫度補償層和鈍化層:以及位于所述壓電襯底與所述溫度補償層之間,且與所述IDT電極同層設置的抑制負載結構;
2.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
3.根據權利要求2所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,所述IDT電極還包括沿第二方向間隔設置的第一匯流條和第二匯流條;多個所述第一電極指的延伸端自所述第二匯流條的一側向所述第一匯流條的一側延伸,并與所述第一匯流條相間隔,所述第一負載間隔設置在所述第一電極指的延伸端與所述第一匯流條之間;多個所述第二電極指的延伸端自所述第一匯流條的一側向所述第二匯流條的一側延伸,并與所述第二匯流條相間隔,所述第二負載間隔設置在所述第二電極指的延伸端與所述第二匯流條之間。
4.根據權利要求3所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
5.根據權利要求4所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
6.根據權利要求4所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,在所述
7.根據權利要求4所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,所述第二延伸部的一端與所述第一電極指的延伸部相間隔,另一端沿所述第二方向延伸,并與所述第一匯流條相連接;所述第四延伸部的一端與所述第二電極指的延伸部相間隔,另一端沿所述第二方向延伸,并與所述第二匯流條相連接。
8.根據權利要求2所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,在所述第一方向上,所述第一輔助負載和/或所述第二輔助負載在所述第一方向上反向延伸預設長度小于任意相鄰的所述第一電極指與所述第二電極指之間間隔距離的一半。
9.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,所述抑制負載結構和所述IDT電極在所述壓電襯底上的厚度相同。
10.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,還包括反射柵電極,所述反射柵電極形成于所述壓電襯底上,并沿所述第一方向間隔形成于所述IDT電極的兩側。
...【技術特征摘要】
1.一種具有橫向模態抑制效果的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,包括自下而上依次層疊設置的壓電襯底、idt電極、溫度補償層和鈍化層:以及位于所述壓電襯底與所述溫度補償層之間,且與所述idt電極同層設置的抑制負載結構;
2.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
3.根據權利要求2所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,所述idt電極還包括沿第二方向間隔設置的第一匯流條和第二匯流條;多個所述第一電極指的延伸端自所述第二匯流條的一側向所述第一匯流條的一側延伸,并與所述第一匯流條相間隔,所述第一負載間隔設置在所述第一電極指的延伸端與所述第一匯流條之間;多個所述第二電極指的延伸端自所述第一匯流條的一側向所述第二匯流條的一側延伸,并與所述第二匯流條相間隔,所述第二負載間隔設置在所述第二電極指的延伸端與所述第二匯流條之間。
4.根據權利要求3所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
5.根據權利要求4所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,
6.根據權利要求4所述的溫度補償型聲表面波裝置,其特征在于,在所述第二方向上,所述第一延伸部的延伸...
【專利技術屬性】
技術研發人員:王園園,汪泉,張樹民,
申請(專利權)人:左藍微江蘇電子技術有限公司,
類型:發明
國別省市:
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