【技術實現步驟摘要】
本申請屬于芯片，尤其涉及一種芯片的測試方法、裝置及設備。
技術介紹
1、霍爾芯片是一種基于霍爾效應的傳感器器件。霍爾芯片包含霍爾元件和相關的放大器電路、溫度補償電路及穩壓電源電路等，集成在一個芯片上，形成霍爾ic(hallintegrated?circuit，霍爾集成電路)。霍爾ic由霍爾元件和信號處理ic(signalprocessing?integrated?circui，信號處理集成電路)組成。其中，霍爾元件輸出詳細信息，信號處理ic將霍爾元件的輸出電壓進行比較，轉換成高/低電平數字信號后輸出。
2、但是，由于霍爾芯片在制造過程中會存在工藝問題或不足之處，導致制造完成的芯片的電壓與后端微控制器的輸入電壓范圍可能并不匹配，或者芯片的功能參數不滿足用戶需求，而將出現上述質量問題的芯片投入到后續產品生產中使用，會影響產品的性能，增加不必要的成本。為了避免將出現質量問題的芯片投入到后續產品中，需要對芯片進行測試，將不合格的芯片篩選出來，只將合格的芯片應用到后續產品生產中。
技術實現思路
1、本申請實施例提供了一種芯片的測試方法、裝置及設備，解決如何對芯片進行測試，將不合格的芯片篩選出來的問題。
2、第一方面，本申請實施例提供了一種芯片的測試方法，包括：
3、響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值；
4、在確定所述芯片燒寫完成后，響應于對所述芯片的讀取指令，獲取所述芯片中與所述多個管腳參數各自對應的存
5、根據與所述多個管腳參數各自對應的所述存儲器寫入值與所述存儲器響應值，判斷所述芯片是否通過修調測試；
6、在確定所述芯片通過修調測試的情況下，通過控制所述芯片的多個管腳的電壓或波形頻率，判斷所述芯片的輸出功能是否合格；
7、當所述芯片的輸出功能合格時，判定所述芯片合格。
8、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值之前，所述方法還包括：
9、獲取所述芯片的各個功能管腳在第一狀態的電壓，其中，所述第一狀態是由向所述芯片的各個所述功能管腳施加預設電流的時間確定的；
10、獲取所述芯片的電源管腳在第二狀態下的靜態電流，其中，所述第二狀態是由向所述芯片的所述電源管腳施加預設電壓的時間確定的；
11、根據所述電源管腳在第二狀態下的所述靜態電流和各個所述功能管腳在第一狀態下的所述電壓，判斷所述芯片的直流參數是否合格；
12、在確定所述芯片的直流參數合格的情況下，發出對所述芯片的修調測試指令。
13、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值，包括：
14、響應于對所述芯片的所述修調測試指令，向所述芯片發送不同的寫入波形指令；
15、根據所述芯片的多個管腳參數的目標參數值，確定目標寫入波形指令；
16、根據所述目標寫入波形指令的跳變點時間信息和所述芯片的預設波特率，計算得到所述芯片中與所述多個管腳參數各自對應的所述存儲器響應值。
17、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述根據與所述多個管腳參數各自對應的所述存儲器寫入值與所述存儲器響應值，判斷所述芯片是否通過修調測試，包括：
18、分別根據所述芯片中與各個所述管腳參數各自對應的所述存儲器寫入值與所述存儲器響應值，判斷所述芯片的各個所述管腳參數的寫入結果是否正確；
19、當所述芯片的所有的所述管腳參數的寫入結果都正確時，判定所述芯片通過修調測試。
20、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述通過控制所述芯片的多個管腳的電壓或波形頻率，判斷所述芯片的輸出功能是否合格，包括：
21、通過升高或降低所述芯片的電源管腳的電壓，判斷所述芯片的電壓跳變輸出功能是否合格；
22、通過升高或降低所述芯片的功能管腳的電壓，判斷所述芯片的增益參數輸出功能是否合格；
23、通過控制所述芯片的功能管腳的波形頻率，判斷所述芯片的電壓峰值輸出功能是否合格；
24、在判定所述芯片的所述電壓跳變輸出功能、所述增益參數輸出功能和所述電壓峰值輸出功能都合格的情況下，確定所述芯片的輸出功能合格。
25、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述芯片的功能管腳包括霍爾電壓功能管腳；
26、所述通過升高或降低所述芯片的電源管腳的電壓，判斷所述芯片的電壓跳變輸出功能是否合格，包括：
27、控制所述芯片的所述電源管腳的電壓從第一電壓變化到第二電壓；
28、獲取所述芯片的所述霍爾電壓功能管腳在第一時間段內的輸出電壓，其中，所述第一時間段為所述芯片的電源管腳的電壓從第一電壓變化到第二電壓的時間段；
29、判斷所述芯片的所述霍爾電壓功能管腳在第一時間段內的輸出電壓是否存在跳變；
30、當所述芯片的所述霍爾電壓功能管腳的輸出電壓存在跳變時，判定所述芯片的所述電壓跳變輸出功能合格。
31、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述芯片的功能管腳包括增益參數功能管腳和使能功能管腳；
32、所述通過升高或降低所述芯片的功能管腳的電壓，判斷所述芯片的增益參數輸出功能是否合格，包括：
33、控制所述芯片的所述使能功能管腳的電壓從第三電壓變化到第四電壓；
34、獲取所述芯片的所述增益參數功能管腳在第二時間段內的輸出電壓差，其中，所述第二時間段為所述芯片的所述使能功能管腳的電壓從第三電壓變化到第四電壓的時間段；
35、判斷所述芯片的所述增益參數功能管腳在所述第二時間段內的所述輸出電壓差是否在第一預設區間內；
36、當所述芯片的所述增益參數功能管腳在所述第二時間段內的所述輸出電壓差在所述第一預設區間內時，判定所述芯片的所述增益參數輸出功能合格。
37、在第一方面的一種可能的實現方式中，所述芯片的功能管腳包括差分輸入功能管腳和電壓峰值功能管腳，所述通過控制所述芯片的功能管腳的波形頻率，判斷所述芯片的電壓峰值輸出功能是否合格，包括：
38、控制所述芯片的所述差分輸入功能管腳的波形頻率從第一頻率變化到第二頻率；
39、獲取所述芯片的所述電壓峰值功能管腳在第三時間段內的輸出電壓峰值，其中，所述第三時間段為所述芯片的所述差分輸入功能管腳的波形頻率從第一頻率變化到第二頻率的時間段；
40、根據所述電壓峰值功能管腳在所述第三時間段內的輸出電壓峰值，計算得到所述電壓峰值功能管腳在所述第三時間段內的輸出電壓峰值比值；
41、判斷所述芯片的所述電壓峰值功能管腳在所述第三時間段內的輸出電壓峰值比值是否在第二預設區間內；
42、當所述芯片的所述電壓峰值功能管腳在所述第三時間段內的所述輸出電壓本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種芯片的測試方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值之前，所述方法還包括：
3.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值，包括：
4.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述根據與所述多個管腳參數各自對應的所述存儲器寫入值與所述存儲器響應值，判斷所述芯片是否通過修調測試，包括：
5.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述通過控制所述芯片的多個管腳的電壓或波形頻率，判斷所述芯片的輸出功能是否合格，包括：
6.如權利要求5所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述芯片的功能管腳包括霍爾電壓功能管腳；
7.如權利要求5所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述芯片的功能管腳包括增益參數功能管腳和使能功能管腳；
8.如權利要求5項所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述芯片的功能管腳包括差
9.一種芯片的測試裝置，其特征在于，包括：
10.一種芯片的測試設備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1至8任一項所述的方法。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片的測試方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值之前，所述方法還包括：
3.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述響應于對芯片的修調測試指令，確定所述芯片的多個管腳參數各自對應的存儲器響應值，包括：
4.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述根據與所述多個管腳參數各自對應的所述存儲器寫入值與所述存儲器響應值，判斷所述芯片是否通過修調測試，包括：
5.如權利要求1所述的芯片的測試方法，其特征在于，所述通過控制所述芯片的多個管腳的電壓或波形頻率，判斷所述芯片的輸出功能是否合格，包括：<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳瑞，楊澤坤，楚志華，李安平，李曉白，
申請(專利權)人：深圳米飛泰克科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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