【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及長(zhǎng)晶設(shè)備，具體而言，涉及一種碳化硅長(zhǎng)晶坩堝。
技術(shù)介紹
1、現(xiàn)有的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝一般是將碳化硅粉料放在坩堝底部，通過(guò)加熱坩堝使碳化硅粉料蒸發(fā)到坩堝蓋上實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)晶。但是，這樣的坩堝結(jié)構(gòu)經(jīng)常出現(xiàn)以下問(wèn)題：
2、1.長(zhǎng)晶后打開(kāi)坩堝，會(huì)發(fā)現(xiàn)不少的碳化硅粉料燒焦、并緊緊粘連在坩堝的底部，這些燒焦的碳化硅粉料并未被用來(lái)長(zhǎng)晶，不僅造成原料的浪費(fèi)、造成長(zhǎng)晶質(zhì)量較低，還對(duì)坩堝的使用壽命造成明顯不利影響；
3、2.坩堝蓋上的長(zhǎng)晶結(jié)果并不理想，晶體厚度的均勻性較差，晶體表面的平整度不高、缺陷較多，導(dǎo)致最后可用晶體的厚度難以提高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)的目的包括提供了一種碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其能夠改善碳化硅粉料燒焦的現(xiàn)象，提高原料利用率以及長(zhǎng)晶的均勻性。
2、本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例可以這樣實(shí)現(xiàn)：
3、第一方面，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，碳化硅長(zhǎng)晶坩堝包括坩堝主體、坩堝蓋、原料支撐座、多孔石墨板和中繼環(huán)；
4、坩堝蓋蓋合在坩堝主體上，原料支撐座安裝在坩堝主體內(nèi)的底部，原料支撐座用于承載碳化硅粉料，使碳化硅粉料與坩堝主體的底面間隔設(shè)置，多孔石墨板設(shè)置在坩堝主體內(nèi)、且位于原料支撐座的上方，中繼環(huán)設(shè)置在多孔石墨板與坩堝蓋之間，多孔石墨板用于使氣體均勻地通過(guò)、并在坩堝蓋上長(zhǎng)晶。
5、在可選的實(shí)施方式中，原料支撐座整體呈t字型，原料支撐座的頂面與坩堝主體的內(nèi)壁面圍成容納碳化硅粉料的空腔。
6、在可選的實(shí)施方式中，原
7、在可選的實(shí)施方式中，支撐板的底面設(shè)置有凸部，凸部用于與中空的圓筒立柱配合。
8、在可選的實(shí)施方式中，多孔石墨板的直徑大于中繼環(huán)的內(nèi)徑。
9、在可選的實(shí)施方式中，坩堝蓋的中部設(shè)置有向中繼環(huán)內(nèi)部凸出的長(zhǎng)晶部，長(zhǎng)晶部的底面為長(zhǎng)晶表面。
10、在可選的實(shí)施方式中，長(zhǎng)晶部的表面與中繼環(huán)的內(nèi)表面之間存在間隙，間隙形成氣體的泄壓通道。
11、在可選的實(shí)施方式中，中繼環(huán)靠近多孔石墨板一端的內(nèi)徑a小于中繼環(huán)靠近坩堝蓋一端的內(nèi)徑b，長(zhǎng)晶部的外徑c大于內(nèi)徑a、且小于內(nèi)徑b。
12、在可選的實(shí)施方式中，泄壓通道包括長(zhǎng)晶部的底面與中繼環(huán)內(nèi)部端面之間的間隙a以及長(zhǎng)晶部的外側(cè)面與中繼環(huán)的內(nèi)側(cè)面之間的間隙b。
13、在可選的實(shí)施方式中，坩堝蓋的頂面具有凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有保溫棉，保溫棉的中心開(kāi)設(shè)有豎直方向的通孔，通孔用于供測(cè)溫儀的光線(xiàn)通過(guò)。
14、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝的有益效果包括：
15、1.通過(guò)在坩堝主體內(nèi)的底部設(shè)置用于承載碳化硅粉料的原料支撐座，使碳化硅粉料與坩堝主體的底面間隔設(shè)置，避免底部的碳化硅粉料直接承受坩堝主體底面的高溫，改善底部的碳化硅粉料燒焦的情況，使更多的碳化硅粉料正常用于長(zhǎng)晶，提高原料的利用率和長(zhǎng)晶的質(zhì)量，減少坩堝主體的內(nèi)壁上粘連燒焦的碳化硅粉料的情況，提高坩堝的使用壽命；
16、2.通過(guò)在中繼環(huán)與原料支撐座之間設(shè)置多孔石墨板，使碳化硅粉料蒸發(fā)形成的氣體能夠均勻地通過(guò)多孔石墨板，使到達(dá)坩堝蓋上長(zhǎng)晶的氣體更加均勻，有利于形成厚度均勻的晶體，提高晶體表面的平整度，減少晶體缺陷。
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1.一種碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述碳化硅長(zhǎng)晶坩堝包括坩堝主體(1)、坩堝蓋(2)、原料支撐座(4)、多孔石墨板(6)和中繼環(huán)(5)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述原料支撐座(4)整體呈T字型，所述原料支撐座(4)的頂面與所述坩堝主體(1)的內(nèi)壁面圍成容納所述碳化硅粉料的空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述原料支撐座(4)包括圓筒立柱(41)和支撐板(42)，所述圓筒立柱(41)為中空結(jié)構(gòu)、且支撐在所述坩堝主體(1)內(nèi)的底部與所述支撐板(42)之間，所述支撐板(42)的頂面用于承載所述碳化硅粉料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述支撐板(42)的底面設(shè)置有凸部(43)，所述凸部(43)用于與中空的所述圓筒立柱(41)配合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述多孔石墨板(6)的直徑大于所述中繼環(huán)(5)的內(nèi)徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述坩堝蓋(2)的中部設(shè)置有向所述中繼環(huán)(5)內(nèi)部凸出的長(zhǎng)
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述長(zhǎng)晶部(22)的表面與所述中繼環(huán)(5)的內(nèi)表面之間存在間隙，所述間隙形成所述氣體的泄壓通道。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述中繼環(huán)(5)靠近所述多孔石墨板(6)一端的內(nèi)徑a小于所述中繼環(huán)(5)靠近所述坩堝蓋(2)一端的內(nèi)徑b，所述長(zhǎng)晶部(22)的外徑c大于內(nèi)徑a、且小于內(nèi)徑b。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述泄壓通道包括所述長(zhǎng)晶部(22)的底面與所述中繼環(huán)(5)內(nèi)部端面之間的間隙A以及所述長(zhǎng)晶部(22)的外側(cè)面與所述中繼環(huán)(5)的內(nèi)側(cè)面之間的間隙B。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述坩堝蓋(2)的頂面具有凹槽(21)，所述凹槽(21)內(nèi)設(shè)置有保溫棉(3)，所述保溫棉(3)的中心開(kāi)設(shè)有豎直方向的通孔(31)，所述通孔(31)用于供測(cè)溫儀的光線(xiàn)通過(guò)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述碳化硅長(zhǎng)晶坩堝包括坩堝主體(1)、坩堝蓋(2)、原料支撐座(4)、多孔石墨板(6)和中繼環(huán)(5)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述原料支撐座(4)整體呈t字型，所述原料支撐座(4)的頂面與所述坩堝主體(1)的內(nèi)壁面圍成容納所述碳化硅粉料的空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述原料支撐座(4)包括圓筒立柱(41)和支撐板(42)，所述圓筒立柱(41)為中空結(jié)構(gòu)、且支撐在所述坩堝主體(1)內(nèi)的底部與所述支撐板(42)之間，所述支撐板(42)的頂面用于承載所述碳化硅粉料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述支撐板(42)的底面設(shè)置有凸部(43)，所述凸部(43)用于與中空的所述圓筒立柱(41)配合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述多孔石墨板(6)的直徑大于所述中繼環(huán)(5)的內(nèi)徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅長(zhǎng)晶坩堝，其特征在于，所述坩...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜林，徐旺，殷建，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：深圳市海目芯微電子裝備科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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