【技術實現步驟摘要】
本文涉及但不限于超聲成像，尤其涉及一種電路基板及電子設備。
技術介紹
1、近年來，超聲波傳感器在電子消費領域、汽車領域、工業領域和醫學領域都得到了廣泛的應用。在消費電子領域和醫學領域，超聲波傳感器主要應用于指紋識別、手勢識別和超聲成像等方面。超聲波傳感器成像的清晰度決定了用戶的體驗感，例如在醫學領域，超聲波傳感器成像的質量越高，越有助于醫生對患者的病情進行更加準確的判斷。
技術實現思路
1、本公開實施例提供一種電路基板及電子設備，可以解決現有電路基板存在的局部線路短路的問題。
2、一方面，本公開實施例提供了一種電路基板，包括基底以及依次層疊設置于所述基底上的第一導電層、第二導電層以及第三導電層；所述電路基板包括至少一條沿第一方向延伸的第一信號線以及至少一條沿第二方向延伸的第二信號線，所述第一方向與所述第二方向交叉，且所述第一方向與所述第二方向構成的平面與所述基底所在平面相平行；至少一條所述第一信號線與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊，且所述第二信號線位于所述第三導電層；
3、其中，所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段位于所述第一導電層；或者，所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段位于所述第二導電層，且所述線段的線寬大于或者等于5.0微米。
4、在一些示例性實施例中，所述第一信號線位于所述第二導電層。
5、在一些示例性實施例中，所述第一信號線包括相連
6、在一些示例性實施例中，所述第一信號線還包括第三線段，且所述第三線段位于所述第一導電層，且所述第三線段與所述第一線段間隔設置；所述第三線段與所述第一線段經由所述第二線段相連接；其中，所述第三線段與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
7、在一些示例性實施例中，所述第一信號線位于所述第一導電層。
8、在一些示例性實施例中，所述電路基板包括至少一個電路單元，所述至少一個電路單元包括多個晶體管、至少一條第一信號線以及至少一條第二信號線；其中，所述多個晶體管包括至少一個金屬氧化物晶體管。
9、在一些示例性實施例中，所述至少一個金屬氧化物晶體管為雙柵結構的晶體管。
10、在一些示例性實施例中，所述至少一個金屬氧化物晶體管包括底柵、頂柵以及位于所述底柵和所述頂柵之間的有源層，且所述底柵和所述頂柵分別位于所述第一導電層以及所述第二導電層。
11、在一些示例性實施例中，所述多個晶體管包括至少一個低溫多晶硅晶體管。
12、在一些示例性實施例中，所述至少一個低溫多晶硅晶體管為雙柵結構的晶體管。
13、在一些示例性實施例中，所述低溫多晶硅晶體管的兩個柵極位于同一導電層。
14、在一些示例性實施例中，所述多個晶體管包括至少一個低溫多晶硅晶體管以及至少一個存儲電容；所述至少一個低溫多晶硅晶體管的柵電極與所述存儲電容的第一極板連接，所述至少一個金屬氧化物晶體管的第二極與所述存儲電容的第二極板連接。
15、在一些示例性實施例中，所述電路基板包括至少一個電路單元，所述至少一個電路單元包括多個晶體管、多條第一信號線以及多條第二信號線；位于同一所述電路單元的所述多條第一信號線與所述多條第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
16、在一些示例性實施例中，位于同一所述電路單元的所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段均位于所述第一導電層；或者，位于同一所述電路單元的所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段均位于所述第二導電層，且所述線段的線寬均大于或者等于5.0微米。
17、另一方面，本公開實施例提供一種電子設備，包括上述任一項實施例所述的電路基板。
18、本公開的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本公開而了解。本公開的其他優點可通過在說明書以及附圖中所描述的方案來實現和獲得。
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1.一種電路基板，其特征在于，包括基底以及依次層疊設置于所述基底上的第一導電層、第二導電層以及第三導電層；
2.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線位于所述第二導電層。
3.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線包括相連接的第一線段和第二線段，且所述第一線段位于所述第一導電層，所述第二線段位于所述第二導電層；其中，所述第一線段與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
4.如權利要求3所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線還包括第三線段，且所述第三線段位于所述第一導電層，且所述第三線段與所述第一線段間隔設置；所述第三線段與所述第一線段經由所述第二線段相連接；其中，所述第三線段與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
5.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線位于所述第一導電層。
6.如權利要求1至5任一項所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板包括至少一個電路單元，所述至少一個電路單元包括多個晶體管、至少一條第一信號線以及至少一條第二
7.如權利要求6所述的電路基板，其特征在于，所述至少一個金屬氧化物晶體管為雙柵結構的晶體管。
8.如權利要求7所述的電路基板，其特征在于，所述至少一個金屬氧化物晶體管包括底柵、頂柵以及位于所述底柵和所述頂柵之間的有源層，且所述底柵和所述頂柵分別位于所述第一導電層以及所述第二導電層。
9.如權利要求6所述的電路基板，其特征在于，所述多個晶體管包括至少一個低溫多晶硅晶體管。
10.如權利要求9所述的電路基板，其特征在于，所述至少一個低溫多晶硅晶體管為雙柵結構的晶體管。
11.如權利要求10所述的電路基板，其特征在于，所述低溫多晶硅晶體管的兩個柵極位于同一導電層。
12.如權利要求6所述的電路基板，其特征在于，所述多個晶體管包括至少一個低溫多晶硅晶體管以及至少一個存儲電容；所述至少一個低溫多晶硅晶體管的柵電極與所述存儲電容的第一極板連接，所述至少一個金屬氧化物晶體管的第二極與所述存儲電容的第二極板連接。
13.如權利要求1至5任一項所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板包括至少一個電路單元，所述至少一個電路單元包括多個晶體管、多條第一信號線以及多條第二信號線；位于同一所述電路單元的所述多條第一信號線與所述多條第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
14.如權利要求13所述的電路基板，其特征在于，位于同一所述電路單元的所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段均位于所述第一導電層；或者，位于同一所述電路單元的所述第一信號線的與所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊的線段均位于所述第二導電層，且所述線段的線寬均大于或者等于5.0微米。
15.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1至14任一項所述的電路基板。
...【技術特征摘要】
1.一種電路基板，其特征在于，包括基底以及依次層疊設置于所述基底上的第一導電層、第二導電層以及第三導電層；
2.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線位于所述第二導電層。
3.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線包括相連接的第一線段和第二線段，且所述第一線段位于所述第一導電層，所述第二線段位于所述第二導電層；其中，所述第一線段與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
4.如權利要求3所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線還包括第三線段，且所述第三線段位于所述第一導電層，且所述第三線段與所述第一線段間隔設置；所述第三線段與所述第一線段經由所述第二線段相連接；其中，所述第三線段與至少一條所述第二信號線在所述基底所在平面的正投影相交疊。
5.如權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述第一信號線位于所述第一導電層。
6.如權利要求1至5任一項所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板包括至少一個電路單元，所述至少一個電路單元包括多個晶體管、至少一條第一信號線以及至少一條第二信號線；其中，所述多個晶體管包括至少一個金屬氧化物晶體管。
7.如權利要求6所述的電路基板，其特征在于，所述至少一個金屬氧化物晶體管為雙柵結構的晶體管。
8.如權利要求7所述的電路基板，其特征在于，所述至少一個金屬氧化物晶體管包括底柵、頂柵以及位于所述底柵和所述頂柵之間的有源層，且所述底柵和所述頂...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉文渠，曹永剛，崔釗，呂志軍，孟德天，董立文，侯東飛，張鋒，王迎姿，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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