【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電路板的，尤其涉及一種電路板及其電鍍方法。
技術(shù)介紹
1、隨著pcb行業(yè)的高速發(fā)展，pcb結(jié)構(gòu)也隨著發(fā)生巨大的改變。pcb板厚的增加，孔徑的變小、電鍍以及厚徑比的提升對電鍍制作帶來了更多的困難，為解決電鍍困難問題，如今的電鍍方式已逐漸從直流電鍍轉(zhuǎn)向脈沖電鍍，以此來提升電鍍制作能力。
2、現(xiàn)有的對于電路板的電鍍方法通常為針對電路板中存在一種孔，如通孔或盲孔而設(shè)置的脈沖電鍍方法。然而，當(dāng)電路板中同時存在高孔徑比的鐳射盲孔、機械盲孔，以及高厚徑比的通孔時，采用現(xiàn)有的電鍍方法保證通孔的銅厚和深鍍能力的情況下，對于鐳射盲孔和機械盲孔而言，會使鐳射盲孔孔口封死，出現(xiàn)“包心”問題，以及機械盲孔孔底鍍層過薄，出現(xiàn)“螃蟹腳”問題，使得深鍍能力不足，電鍍不均勻，從而影響電路板的品質(zhì)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供了一種電路板及其電鍍方法，當(dāng)鐳射盲孔、機械盲孔和通孔同時存在時，利用分步電鍍方法實現(xiàn)了對高厚徑比盲通一體的深鍍能力和電鍍均勻性，保證了盲孔和通孔均可以正常導(dǎo)通，提高了電路板的品質(zhì)。
2、第一方面，本專利技術(shù)提供了一種電路板的電鍍方法，包括：
3、在多層電路板上進行鉆孔，形成鐳射盲孔、機械盲孔和通孔；
4、對鐳射盲孔、機械盲孔和通孔進行沉銅，以在鐳射盲孔、機械盲孔和通孔內(nèi)形成第一導(dǎo)通層；
5、采用第一脈沖電鍍工藝，在鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四
6、采用第二脈沖電鍍工藝，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第五導(dǎo)通層，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第六導(dǎo)通層；
7、采用第三脈沖電鍍工藝，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第七導(dǎo)通層。
8、可選的，采用第一脈沖電鍍工藝，在鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四導(dǎo)通層，包括：
9、采用第一脈沖電鍍工藝，按照第一預(yù)設(shè)母波形的脈沖電鍍條件，在鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四導(dǎo)通層；第一預(yù)設(shè)母波形包括至少一個周期的第一直流波形和至少一個周期的多個第一子波形；第一直流波形的電鍍時間與各第一子波形的電鍍時間相同；
10、采用第二脈沖電鍍工藝，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第五導(dǎo)通層，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第六導(dǎo)通層，包括：
11、采用第二脈沖電鍍工藝，按照第二預(yù)設(shè)母波形的脈沖電鍍條件，在機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第五導(dǎo)通層，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第六導(dǎo)通層；第二預(yù)設(shè)母波形包括至少一個周期的第二直流波形和至少一個周期的多個第二子波形；第二直流波形的電鍍時間與各第二子波形的電鍍時間相同；
12、采用第三脈沖電鍍工藝，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第七導(dǎo)通層，包括：
13、采用第三脈沖電鍍工藝，按照第三預(yù)設(shè)母波形的脈沖電鍍條件，在通孔內(nèi)壁表面沉積形成第七導(dǎo)通層；第三預(yù)設(shè)母波形包括至少一個周期的第三直流波形和至少一個周期的多個第三子波形；第三直流波形的電鍍時間與各第三子波形的電鍍時間相同；
14、第一直流波形、第二直流波形和第三直流波形的電鍍持續(xù)時間不同，第一子波形、第二子波形和第三子波形的波形不同。
15、可選的，第一子波形包括第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形；
16、在各第一子波形的一個周期內(nèi)，第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比相等；
17、相鄰的兩個第一子波形中，后者的第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比大于或等于前者的第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比；
18、第二子波形包括第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形；
19、在各第二子波形的一個周期內(nèi)，第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比相等；
20、相鄰的兩個第二子波形中，后者的第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比小于或等于前者的第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比；
21、第三子波形包括第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形；
22、在各第三子波形的一個周期內(nèi)，相鄰的兩個第三子波形中，后者的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比小于或等于前者的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比，后者的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比小于或等于前者的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比。
23、可選的，第一子波形還包括停頓波形，停頓波形設(shè)置于第一反向脈沖波形后；
24、在停頓波形階段，停止消耗電鍍液中電解反應(yīng)產(chǎn)生的銅離子，以使銅離子濃度增加。
25、可選的，銅離子濃度大于或等于80g/l。
26、可選的，第一預(yù)設(shè)母波形至少包括第一電鍍時間段、第二電鍍時間段和第三電鍍時間段，在第一電鍍時間段內(nèi)，第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第一子波形，各第一子波形的第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的第一預(yù)設(shè)電流比相等；在第二電鍍時間段內(nèi)，第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第一子波形，各第一子波形的第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的第二預(yù)設(shè)電流比相等；在第三電鍍時間段內(nèi)，第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第一子波形，各第一子波形的第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的第三預(yù)設(shè)電流比相等；
27、第一預(yù)設(shè)電流比、第二預(yù)設(shè)電流比和第三預(yù)設(shè)電流比依次遞增；
28、第二預(yù)設(shè)母波形至少包括第四電鍍時間段和第五電鍍時間段，在第四電鍍時間段內(nèi)，第二預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第二子波形，各第二子波形的第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的第四預(yù)設(shè)電流比相等；在第五電鍍時間段內(nèi)，第二預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第二子波形，各第二子波形的第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的第五預(yù)設(shè)電流比相等；
29、第四預(yù)設(shè)電流比大于第五預(yù)設(shè)電流比；
30、第三預(yù)設(shè)母波形至少包括第六電鍍時間段和第七電鍍時間段，在第六電鍍時間段內(nèi)，第三預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第三子波形，各第三子波形的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的第一預(yù)設(shè)時間比相等，第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的第六預(yù)設(shè)電流比相等；在第七電鍍時間段內(nèi)，第三預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個第三子波形，各第三子波形的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比依次遞減，各第三子波形的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比依次遞減。
31、可選的，第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為a1：a2，第一預(yù)設(shè)電流比為m1：n1，第二預(yù)設(shè)電流比為m2：n2，第三預(yù)設(shè)電流比為m3：n3；第二正向脈沖波形和第二反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為a3：a4，第四預(yù)設(shè)電流比為m4：n4，第五預(yù)設(shè)電流比為m5：n5；第一預(yù)設(shè)時間比為a5：a6；在第七電鍍時間段內(nèi)，第三預(yù)設(shè)母波形包括三個第三子波形，第一個第三子波形的第三正向脈沖波形和第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種電路板的電鍍方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，采用第一脈沖電鍍工藝，在所述鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在所述機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在所述通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四導(dǎo)通層，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一子波形包括第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一子波形還包括停頓波形，所述停頓波形設(shè)置于所述第一反向脈沖波形后；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電鍍方法，其特征在于，所述銅離子濃度大于或等于80g/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)母波形至少包括第一電鍍時間段、第二電鍍時間段和第三電鍍時間段，在所述第一電鍍時間段內(nèi)，所述第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個所述第一子波形，各所述第一子波形的所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的第一預(yù)設(shè)電流比相等；在所述第二電鍍時間段內(nèi)，所述第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個所述第一子波形，各所述第一子波形的所述第一正向脈沖波形
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為A1：A2，所述第一預(yù)設(shè)電流比為m1：n1，所述第二預(yù)設(shè)電流比為m2：n2，所述第三預(yù)設(shè)電流比為m3：n3；所述第二正向脈沖波形和所述第二反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為A3：A4，所述第四預(yù)設(shè)電流比為m4：n4，所述第五預(yù)設(shè)電流比為m5：n5；所述第一預(yù)設(shè)時間比為A5：A6；在所述第七電鍍時間段內(nèi)，所述第三預(yù)設(shè)母波形包括三個所述第三子波形，第一個所述第三子波形的所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為A7：A8，所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比為m6：n6；第二個所述第三子波形的所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為(A7-k1)：(A8-k2)，所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比為m7：n7，第三個所述第三子波形的所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為(A7-2*k1)：(A8-2*k2)，所述第三正向脈沖波形和所述第三反向脈沖波形的預(yù)設(shè)電流比為m8：n8；
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)母波形的電鍍時間與所述第三預(yù)設(shè)母波形的電鍍時間相等，所述第一預(yù)設(shè)母波形的電鍍時間大于所述第二預(yù)設(shè)母波形的電鍍時間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，采用第一脈沖電鍍工藝，在所述鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在所述機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在所述通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四導(dǎo)通層之后，采用第二脈沖電鍍工藝，在所述機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第五導(dǎo)通層，在所述通孔內(nèi)壁表面沉積形成第六導(dǎo)通層之前，還包括：
10.一種電路板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一項所述的電路板的電鍍方法制備而成。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電路板的電鍍方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，采用第一脈沖電鍍工藝，在所述鐳射盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第二導(dǎo)通層，在所述機械盲孔內(nèi)壁表面沉積形成第三導(dǎo)通層，以及在所述通孔內(nèi)壁表面沉積形成第四導(dǎo)通層，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一子波形包括第一正向脈沖波形和第一反向脈沖波形；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一子波形還包括停頓波形，所述停頓波形設(shè)置于所述第一反向脈沖波形后；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電鍍方法，其特征在于，所述銅離子濃度大于或等于80g/l。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)母波形至少包括第一電鍍時間段、第二電鍍時間段和第三電鍍時間段，在所述第一電鍍時間段內(nèi)，所述第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個所述第一子波形，各所述第一子波形的所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的第一預(yù)設(shè)電流比相等；在所述第二電鍍時間段內(nèi)，所述第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個所述第一子波形，各所述第一子波形的所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的第二預(yù)設(shè)電流比相等；在所述第三電鍍時間段內(nèi)，所述第一預(yù)設(shè)母波形包括至少兩個所述第一子波形，各所述第一子波形的所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的第三預(yù)設(shè)電流比相等；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鍍方法，其特征在于，所述第一正向脈沖波形和所述第一反向脈沖波形的預(yù)設(shè)時間比為a1：a2，所述第一預(yù)設(shè)電流比為m1：n1，所述第二預(yù)設(shè)電流比為m2：n2，所述第三...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王景貴，黎欽源，余登峰，謝明運，
申請(專利權(quán))人：廣州廣合科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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