【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及逆變電路，具體涉及一種反激型雙向逆變電路的整流控制電路及方法。
技術(shù)介紹
1、儲(chǔ)能和新能源汽車領(lǐng)域離不開(kāi)數(shù)字電源技術(shù)，當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的數(shù)字電源技術(shù)有一類屬于雙向逆變電源技術(shù)。雙向逆變電路中的能量變換級(jí)負(fù)責(zé)將相互隔離的兩組能源之間的交換，雙向逆變技術(shù)因?yàn)楣灿昧送惶子布娐罚瑢?shí)現(xiàn)了兩個(gè)方向的能量變換，因而節(jié)省了空間和成本。常用的電路拓?fù)溆腥珮颉⑼仆?半橋以及它們的各種組合，而在一些小功率的產(chǎn)品中，采用更簡(jiǎn)單的反激拓?fù)洌啾绕渌負(fù)洌娐犯?jiǎn)單，成本最低，而且在低谷導(dǎo)通技術(shù)的加持下，它也更能獲得極高的轉(zhuǎn)換效率。而在反激拓?fù)漕愋偷碾p向逆變應(yīng)用中，能量輸入的一側(cè)，采用的是單片機(jī)直接通過(guò)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)mos管，另外在能量輸出的一側(cè)則利用mos管的體二極管整流，在升壓方向的應(yīng)用中，高壓mos的體二極管開(kāi)關(guān)特性十分差，反向恢復(fù)時(shí)間達(dá)到數(shù)百納秒，且壓降比較高，直接利用體二極管會(huì)造成效率大幅度下降，而使用單片機(jī)輸出同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào)難度過(guò)大，控制信號(hào)需要從驅(qū)動(dòng)側(cè)的pwm為參考，需要考慮變壓器的分布電容、驅(qū)動(dòng)信號(hào)高壓hv側(cè)到低壓lv側(cè)之間的延遲特性等等因素，通過(guò)算法產(chǎn)生移相于驅(qū)動(dòng)側(cè)pwm同步驅(qū)動(dòng)信號(hào)，難于產(chǎn)生精確的同步整流控制信號(hào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決以上技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N反激型雙向逆變電路的整流控制電路及方法。
2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N反激型雙向逆變電路的整流控制電路，具體包括：高壓側(cè)電路，低壓側(cè)電路以及變壓電路。
3、其中，
4、
5、所述高壓側(cè)電路輸入端連接處理器mcu的第一信號(hào)發(fā)射端，所述高壓側(cè)電路輸出端連接所述變壓電路的高壓輸入端。
6、所述低壓側(cè)電路輸入端連接處理器mcu的第二信號(hào)發(fā)射端，所述低壓側(cè)電路輸出端連接所述變壓電路的低壓輸入端。
7、本案高壓側(cè)電路和低壓側(cè)電路除電路本身的內(nèi)置信號(hào)源外，還外接了處理器mcu的第一/第二信號(hào)發(fā)射端，通過(guò)此專利技術(shù)設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)電路的軟硬件結(jié)合，在提供相關(guān)拓?fù)涞恼ｒ?qū)動(dòng)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了精確同步整流控制，讓電路的轉(zhuǎn)換效率得到極大提升。
8、進(jìn)一步的，所述變壓電路包括：變壓器，第一電容和第二電容，其中，所述變壓器還包括：高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組。
9、所述變壓電路用于對(duì)所述高壓側(cè)電路和所述低壓側(cè)電路進(jìn)行耦合連接和電氣隔離，變壓器作為能量傳遞的主要載體。
10、進(jìn)一步的，所述高壓側(cè)電路包括：
11、高壓功率開(kāi)關(guān)，高壓驅(qū)動(dòng)芯片，高壓第一反相器，高壓第二反相器，高壓檢測(cè)比較器，電阻r1，電阻r2，電阻r3，電阻r4，電阻r5，電阻r6，電阻r7，電阻r8，電阻r9，電阻r10，電阻r11，第三電容，第四電容以及第五電容。
12、其中，所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片包括：en端口，vdd端口，gnd端口，in+端口以及out端口。
13、所述高壓第一反相器，所述高壓第二反相器。所述高壓檢測(cè)比較器，以及相關(guān)電阻共同組成了高壓自驅(qū)動(dòng)同步整流控制電路，作為高壓側(cè)電路內(nèi)部的信號(hào)源，用于控制所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片，進(jìn)而控制所述高壓功率開(kāi)關(guān)。
14、進(jìn)一步的，所述所述高壓側(cè)電路包括：
15、所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的en端口通過(guò)電阻r1連接高壓第一電壓。
16、所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的vdd端口連接高壓第一電壓。
17、所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的out端口通過(guò)電阻r3連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)柵極。
18、所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的gnd端口連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)柵極，還通過(guò)第三電容連接高壓第一電壓。
19、所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的in+端口通過(guò)電阻r2連接處理器mcu的第一信號(hào)發(fā)射端。
20、所述高壓第一反相器和高壓第二反相器串聯(lián)，構(gòu)成高壓反相器單元，所述高壓反相器單元的輸出端通過(guò)電阻r5連接所述所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片的in+端口，所述高壓反相器單元的輸入端通過(guò)電阻r7連接所述高壓檢測(cè)比較器的輸出端，所述電阻r6與所述高壓反相器單元并聯(lián)。
21、所述高壓檢測(cè)比較器的負(fù)極輸入端通過(guò)電阻r10連接高壓功率開(kāi)關(guān)柵極，還通過(guò)第五電容連接所述高壓檢測(cè)比較器的正極輸入端，還通過(guò)電阻r9連接高壓第二電壓，所述高壓檢測(cè)比較器的正極輸入端還接地，所述高壓檢測(cè)比較器由高壓第二電壓對(duì)地供電。
22、所述電阻r4一端連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)柵極，另一端連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)源極。
23、所述電阻r8一端連接所述高壓檢測(cè)比較器的輸出端，另一端連接高壓第二電壓。
24、所述電阻r11一端連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)源極，另一端接地。
25、通過(guò)此連接方式，可保證所述高壓驅(qū)動(dòng)芯片可接收處理器mcu的第一信號(hào)發(fā)射端的信號(hào)源或高壓自驅(qū)動(dòng)同步整流控制電路，實(shí)現(xiàn)了軟硬件結(jié)合控制高壓側(cè)電路。
26、進(jìn)一步的，所述第一電容與所述變壓器的高壓側(cè)繞組并聯(lián)后，一端與hv連接，另一端則連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)的柵極。
27、通過(guò)此電路設(shè)計(jì)，可連接高壓側(cè)電路與變壓電路，用于耦合連接和電氣隔離高壓側(cè)電路與低壓側(cè)電路。
28、進(jìn)一步，所述低壓側(cè)電路包括：
29、低壓功率開(kāi)關(guān)，低壓驅(qū)動(dòng)芯片，低壓第一反相器，低壓第二反相器，低壓檢測(cè)比較器，電阻r12，電阻r13，電阻r14，電阻r15，電阻r16，電阻r17，電阻r18，電阻r19，電阻r20，電阻r21，電阻r22，第三電容，第四電容以及第五電容。
30、其中，所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片包括：en端口，vdd端口，gnd端口，in+端口以及out端口。
31、所述低壓第一反相器，所述低壓第二反相器。所述低壓檢測(cè)比較器，以及相關(guān)電阻共同組成了低壓自驅(qū)動(dòng)同步整流控制電路，作為低壓側(cè)電路內(nèi)部的信號(hào)源，用于控制所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片，進(jìn)而控制所述低壓功率開(kāi)關(guān)。
32、進(jìn)一步的，所述低壓側(cè)電路還包括：
33、所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的en端口通過(guò)電阻r12連接低壓第一電壓。
34、所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的vdd端口連接低壓第一電壓。
35、所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的out端口通過(guò)電阻r14連接所述低壓功率開(kāi)關(guān)柵極。
36、所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的gnd端口連接所述低壓功率開(kāi)關(guān)柵極，還通過(guò)第三電容連接低壓第一電壓。
37、所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的in+端口通過(guò)電阻r13連接處理器mcu的第一信號(hào)發(fā)射端。
38、所述低壓第一反相器和低壓第二反相器串聯(lián)，構(gòu)成低壓反相器單元，所述低壓反相器單元的輸出端通過(guò)電阻r16連接所述所述低壓驅(qū)動(dòng)芯片的in+端口，所述低壓反相器單元的輸入端通過(guò)電阻r18連接所述低壓檢測(cè)比較器的輸出端，所述電阻r17與所述低壓反相器單元并聯(lián)。
39、所述低壓檢測(cè)比較器的負(fù)極輸入端通過(guò)電阻r21連接低壓功率開(kāi)關(guān)柵極，還通過(guò)第五電容連接所述低壓檢測(cè)比較器的正極輸入端，還通過(guò)電阻r20連接低壓第二本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種反激型雙向逆變電路的整流控制電路，其特征在于，所述整流控制電路包括：高壓側(cè)電路，低壓側(cè)電路以及變壓電路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流控制電路，其特征在于，所述變壓電路包括：變壓器，第一電容和第二電容，其中，所述變壓器還包括：高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流控制電路，其特征在于，所述高壓側(cè)電路包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整流控制電路，其特征在于，所述高壓側(cè)電路還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整流控制電路，其特征在于，所述電容C1與所述變壓器的高壓側(cè)繞組并聯(lián)后，一端與HV連接，另一端則連接所述高壓功率開(kāi)關(guān)的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流控制電路，其特征在于，所述低壓側(cè)電路包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的整流控制電路，其特征在于，所述低壓側(cè)電路還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的整流控制電路，其特征在于，所述電容C2與所述變壓器的低壓側(cè)繞組并聯(lián)后，一端與LV連接，另一端則連接所述低壓功率開(kāi)關(guān)的柵極。
9.一種基于權(quán)利要求1-8任一所述的整流控制電路的
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的整流控制方法，其特征在于，所述方式適用于電流斷續(xù)模式。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種反激型雙向逆變電路的整流控制電路，其特征在于，所述整流控制電路包括：高壓側(cè)電路，低壓側(cè)電路以及變壓電路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流控制電路，其特征在于，所述變壓電路包括：變壓器，第一電容和第二電容，其中，所述變壓器還包括：高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流控制電路，其特征在于，所述高壓側(cè)電路包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整流控制電路，其特征在于，所述高壓側(cè)電路還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整流控制電路，其特征在于，所述電容c1與所述變壓器的高壓側(cè)繞組并聯(lián)后，一端與hv連接...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韋理斌，樂(lè)云，楊思齊，任素云，戴清明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：惠州市藍(lán)微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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