【技術實現步驟摘要】
本揭露的一些實施例關于一種半導體裝置的制造方法及一種形成半導體裝置的方法。
技術介紹
1、半導體裝置用于多種電子應用，諸如個人計算機、手機、數字攝影機及其他電子裝備中。半導體裝置通常通過以下操作制造：在半導體基板上方依序沉積絕緣或介電材料層、導電材料層及半導體材料層；及使用微影來圖案化各種材料層以在半導體基板上面形成電路組件及元件。
2、半導體行業由最小特征大小的持續減小繼續改良各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度，此情形允許更多組件整合至給定區域中。然而，由于最小特征大小被減小，所以應被解決的額外問題出現。
技術實現思路
1、在一些態樣中，本揭露的一些實施例中所描述的技術是關于一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟。在基板上形成磊晶堆疊，磊晶堆疊包括至少一犧牲磊晶層及至少一通道磊晶層。在磊晶堆疊中形成多個鰭片。執行多個調諧操作以保持鰭片中的犧牲磊晶層的寬度不大于鰭片中通道磊晶層的寬度。在鰭片的多個通道區上形成犧牲柵極堆疊。在犧牲柵極堆疊的多個側壁上形成多個柵極側壁間隔物。在鰭片中圍繞犧牲磊晶層及通道磊晶層形成多個內部間隔物。形成多個源極/漏極特征。移除鰭片中的犧牲柵極堆疊及犧牲磊晶層。形成金屬柵極以替換犧牲柵極堆疊及犧牲磊晶層，其中金屬柵極由柵極側壁間隔物及內部間隔物防護而不受源極/漏極特征影響。
2、在一些態樣中，本揭露的一些實施例中所描述的技術是關于一種形成半導體裝置的方法，包括以下步驟。在基板上形成磊晶堆疊，磊晶堆疊包括多
3、在一些態樣中，本揭露的一些實施例中所描述的技術是關于一種形成一半導體裝置的方法，包括以下步驟。在基板上形成磊晶堆疊，磊晶堆疊包括多個犧牲磊晶層及多個通道磊晶層。在磊晶堆疊中形成多個鰭片。在鰭片之間形成隔離特征，同時調整在熱處置期間使用的溫度以形成隔離特征以防止犧牲磊晶層的寬度在隔離特征形成期間擴展超出通道磊晶層的寬度。在鰭片的多個通道區上形成犧牲柵極堆疊。在犧牲柵極堆疊的多個側壁上形成多個柵極側壁間隔物。在鰭片中圍繞犧牲磊晶層及通道磊晶層形成多個內部間隔物。形成多個源極/漏極特征。移除鰭片中的犧牲柵極堆疊及多個犧牲磊晶層。形成金屬柵極以替換犧牲柵極堆疊及多個犧牲磊晶層，其中金屬柵極由柵極側壁間隔物及內部間隔物防護而不受源極/漏極特征影響。
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1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中執行所述多個調諧操作包含蝕刻該犧牲磊晶層的多個側壁。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，進一步包含：
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中在所述多個鰭片的所述多個通道區上形成該犧牲柵極堆疊包含在所述多個鰭片的所述多個通道區上形成具有一犧牲柵極殘余物的該犧牲柵極堆疊，該犧牲柵極殘余物在一x方向或一y方向上不水平地延伸超出3納米。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述多個柵極側壁間隔物及形成所述多個內部間隔物包含在所述多個柵極側壁間隔物與所述多個內部間隔物之間具有一間隙情況下形成所述多個柵極側壁間隔物及所述多個內部間隔物。
6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，其中所述多個柵極側壁間隔物與所述多個內部間隔物之間的該間隙為0.3納米至2納米。
7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述多個柵極側壁間隔物及形成所述多個內部間隔物包含在一曲率角情況下形成所述多個
8.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包含：
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，其中蝕刻所述多個犧牲磊晶層的所述多個側壁包含執行一電漿蝕刻，該電漿蝕刻以CH4、CHF3、HBr、Cl2及/或H2的一蝕刻氣體，針對N2及/或O2的選擇性的一鈍化氣體，He、Ar及/或N2的一稀釋氣體在10瓦特至4000瓦特的一功率下、在1毫托至800毫托的一壓力下且以20sccm至3000sccm的一氣流執行。
10.一種形成半導體裝置的方法，其特征在于，包含：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中執行所述多個調諧操作包含蝕刻該犧牲磊晶層的多個側壁。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，進一步包含：
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中在所述多個鰭片的所述多個通道區上形成該犧牲柵極堆疊包含在所述多個鰭片的所述多個通道區上形成具有一犧牲柵極殘余物的該犧牲柵極堆疊，該犧牲柵極殘余物在一x方向或一y方向上不水平地延伸超出3納米。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述多個柵極側壁間隔物及形成所述多個內部間隔物包含在所述多個柵極側壁間隔物與所述多個內部間隔物之間具有一間隙情況下形成所述多個柵極側壁間隔物及所述多個內部間隔物。
6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，其中所述多個柵極側壁間隔物與所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高魁佑，林士堯，卓瓊玉，曾柏源，林敏巧，陳振平，林志翰，張銘慶，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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