【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種微型發光芯片、制備方法以及顯示面板。
技術介紹
1、現代社會已經進入信息化并向智能化方向發展，顯示是實現信息交換和智能化的關鍵環節。在目前眾多顯示技術中，微型發光單元顯示技術例如是微發光二極管顯示器(micro?light?emitting?diode?display，micro?led)顯示技術被認為是具有顛覆性的下一代顯示技術，并受到了廣泛關注。micro-led顯示芯片是在單個芯片上集成高密度的像素發光單元的二維陣列顯示器件。
2、micro-led顯示芯片因具有尺寸小、壽命長、響應速度快以及功耗低等優點，而被廣泛認為是終極顯示。但當前阻礙micro?led走向產業化進程上仍然存在一些問題。對于薄膜晶體管(tft)直顯顯示技術，tft驅動背板的驅動電流很小，只有na級別。但是micro?led存在小電流密度工作發光效率非常低。這就導致micro?led顯示屏在性能上和有機發光二極管(oled)顯示屏存在一定差異，導致顯示效果較差且功耗較大。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種微型發光芯片、制備方法以及顯示面板，以提高微型發光芯片的工作電壓。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種微型發光芯片，包括：
3、至少兩個垂直堆疊且相同發光顏色的微型發光單元；
4、在垂直堆疊方向上，相鄰兩個微型發光單元相對設置的表面設置有鋸齒狀結構；所述鋸齒狀結構包括插接部和插接槽，所述插接部和所述插接槽間隔設置；所
5、可選地，所述插接槽的側壁設置有鍵合層。
6、可選地，所述鍵合層為導電鍵合層。
7、可選地，所述插接槽的側壁為傾斜側壁或者垂直側壁。
8、可選地，相鄰兩個微型發光單元的插接槽的側壁的傾斜斜率相等。
9、可選地，還包括電流擴展層；
10、所述微型發光芯片還包括第一表面以及與所述第一表面相對設置的第二表面，所述電流擴展層覆蓋所述微型發光芯片第一表面的p型半導體層。
11、可選地，所述微型發光芯片還包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極位于所述微型發光芯片的同一側；
12、所述第一電極位于所述電流擴展層遠離所述微型發光單元的一側，和所述電流擴展層接觸；
13、所述微型發光芯片的第一表面還設置有凹槽，所述凹槽的底部露出所述微型發光芯片的第二表面的n型半導體層；
14、所述第二電極位于所述凹槽，且和所述電流擴展層絕緣設置。
15、可選地，還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述凹槽的側壁以及覆蓋所述電流擴展層；
16、所述鈍化層設置有第一開口和第二開口；所述第一開口露出所述第一電極，所述第二開口露出所述第二電極。
17、根據本專利技術的另一方面，提供了一種微型發光芯片的制備方法，包括：
18、提供至少兩個相同發光顏色的微型發光單元；其中，所述微型發光單元的表面設置有鋸齒狀結構；所述鋸齒狀結構包括插接部和插接槽，所述插接部和所述插接槽間隔設置；所述插接槽的底部位于所述微型發光單元的半導體層內；
19、將至少兩個微型發光單元垂直堆疊，其中，在垂直堆疊方向上，相鄰兩個所述微型發光單元相對設置的表面設置有所述鋸齒狀結構；相鄰兩個微型發光單元相對設置的半導體層的導電類型相反；相鄰兩個微型發光單元相對設置的半導體層通過所述插接部和所述插接槽實現插接連接，以實現至少兩個垂直堆疊的微型發光單元串聯連接。
20、可選地，將至少兩個微型發光單元垂直堆疊之后還包括：
21、在至少兩個垂直堆疊且相同發光顏色的微型發光單元形成至少一個通槽，以實現對至少兩個垂直堆疊且相同發光顏色的微型發光單元進行像素化處理。
22、可選地，將至少兩個微型發光單元垂直堆疊之前還包括：
23、在所述插接槽的側壁形成鍵合層。
24、可選地，在所述插接槽的側壁形成鍵合層包括：
25、在所述插接槽的側壁形成導電鍵合層。
26、根據本專利技術的另一方面，提供了一種顯示面板，包括第一方面任意所述的微型發光芯片。
27、本專利技術實施例提供的微型發光芯片、制備方法以及顯示面板，在堆疊方向上，相鄰兩個微型發光單元相對設置的表面均設置有鋸齒狀結構，并通過鋸齒狀結構中的插接部和插接槽實現插接連接，由于插接槽的底部位于相鄰兩個微型發光單元相對設置的半導體層內，進而實現了相同發光顏色的至少兩個微型發光單元的串聯連接，增大了微型發光芯片的電阻，從而提高了微型發光芯片能夠承受的工作電壓，進一步擴大了其應用范圍。且在垂直堆疊方向上，相鄰兩個微型發光單元相對設置的半導體層的插接槽的側壁直接接觸，增大了兩個微型發光單元的接觸面積從而增加了兩個微型發光單元的連接強度和牢固度。
28、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本專利技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術的范圍。本專利技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
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1.一種微型發光芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，所述插接槽的側壁設置有鍵合層。
3.根據權利要求2所述的微型發光芯片，其特征在于，所述鍵合層為導電鍵合層。
4.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，所述插接槽的側壁為傾斜側壁或者垂直側壁。
5.根據權利要求4所述的微型發光芯片，其特征在于，相鄰兩個微型發光單元的插接槽的側壁的傾斜斜率相等。
6.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的微型發光芯片，其特征在于，所述微型發光芯片還包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極位于所述微型發光芯片的同一側；
8.根據權利要求7所述的微型發光芯片，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述凹槽的側壁以及覆蓋所述電流擴展層；
9.一種微型發光芯片的制備方法，其特征在于，包括：
10.根據權利要求9所述的微型發光芯片的制備方法，其特征在于，
11.根據權利要求10所述的微型發光芯片的制
12.根據權利要求11所述的微型發光芯片的制備方法，其特征在于，在所述插接槽的側壁形成鍵合層包括：
13.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-8任一所述的微型發光芯片。
...【技術特征摘要】
1.一種微型發光芯片，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，所述插接槽的側壁設置有鍵合層。
3.根據權利要求2所述的微型發光芯片，其特征在于，所述鍵合層為導電鍵合層。
4.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，所述插接槽的側壁為傾斜側壁或者垂直側壁。
5.根據權利要求4所述的微型發光芯片，其特征在于，相鄰兩個微型發光單元的插接槽的側壁的傾斜斜率相等。
6.根據權利要求1所述的微型發光芯片，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的微型發光芯片，其特征在于，所述微型發光芯片還包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，請求不公布姓名，
申請(專利權)人：西湖煙山科技杭州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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