【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及芯片封裝，具體為一種切割熱解膜集成電路封裝方法。
技術介紹
1、封裝基板切割也是封裝工藝中的一個重要步驟。在封裝工藝的前一步，將電子芯片貼裝在基板上并連接好電路后，需要將基板切割成所需尺寸的小塊，以便組裝成最終的電子產品。在封裝基板切割過程中需要注意的是，要保證切割尺寸和精度的一致性，避免損傷芯片或者影響電路的連接。
2、當前工藝是使用uv膜，將基板貼置uv膜上，將uv膜放置于切割機上，使用切割刀切割，同時也將基板切割成相應的形狀和尺寸。切割完成后，在uv曝光機中，將uv膜曝光一定時間，使得uv膜受到照射后硬化。將割好的基板通過清洗機清洗，以去除切割過程中產生的殘渣和污染等物質。
3、然而，對存在高度差的電子元件，由于空氣殘留，使用uv減粘膜易出現殘膠現象，降低了導致產品質量，同時，產品生產的工序較多，降低了生產效率。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種切割熱解膜集成電路封裝方法，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：一種切割熱解膜集成電路封裝方法，包括以下步驟：
3、步驟一、產品貼膜，將熱解膜貼附在產品表面，為后續切割做準備；
4、步驟二、產品切割，沿著切割道將產品切成單顆；
5、步驟三、烘烤，通過高溫消除熱解膜粘性，便于將產品與熱解膜分離。
6、更進一步的，所述熱解膜由三層結構組成，第一層為pet離型膜，所述pet離型膜的厚度
7、更進一步的，所述pet離型膜在所述步驟一產品貼膜時撕除。
8、更進一步的，所述發泡型壓敏膠層與產品表面直接貼合。
9、更進一步的，所述步驟三烘烤時，烤箱溫度設置為120-160℃，烘干時間設置為1-3分鐘，直至熱解膜粘性完全消失。
10、更進一步的，所述步驟三烘烤后，將產品反扣在收料盒頂部，產品直接落入到收料盒中。
11、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
12、該切割熱解膜集成電路封裝方法，設置有熱解膜，熱解膜可以在加熱后完全失去粘性，從而實現半導體器件與膠帶的自動分離，簡化了制作流程，提高了生產效率和產品質量。
13、本方案中，切割工序從原來的6道降低為3道，在提高了產品良率的同時，降低了生產成本。
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1.一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述熱解膜由三層結構組成，第一層為PET離型膜，所述PET離型膜的厚度為30-70μm；第二層為發泡型壓敏膠層，所述發泡型壓敏膠層的厚度為35-45μm；第三層為透明PET膜，所述透明PET膜的厚度為50-100μm。
3.根據權利要求2所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述PET離型膜在所述步驟一產品貼膜時撕除。
4.根據權利要求2所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述發泡型壓敏膠層與產品表面直接貼合。
5.根據權利要求1所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述步驟三烘烤時，烤箱溫度設置為120-160℃，烘干時間設置為1-3分鐘，直至熱解膜粘性完全消失。
6.根據權利要求1所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述步驟三烘烤后，將產品反扣在收料盒頂部，產品直接落入到收料盒中。
【技術特征摘要】
1.一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述熱解膜由三層結構組成，第一層為pet離型膜，所述pet離型膜的厚度為30-70μm；第二層為發泡型壓敏膠層，所述發泡型壓敏膠層的厚度為35-45μm；第三層為透明pet膜，所述透明pet膜的厚度為50-100μm。
3.根據權利要求2所述的一種切割熱解膜集成電路封裝方法，其特征在于，所述pet離型膜在所述步驟...
【專利技術屬性】
技術研發人員：雍士國，蘇建宇，
申請(專利權)人：日月新半導體蘇州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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