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    一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工裝置制造方法及圖紙

    技術編號:43451079 閱讀:6 留言:0更新日期:2024-11-27 12:53
    本發明專利技術公開了一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工裝置,其中,所述超大尺寸玻璃基板面形修正方法包括以下步驟:對待加工件進行整體研磨和/或局部拋光,得到所需工件,所需工件的PV值≤10μm,且所需工件的TTV值≤10μm。本發明專利技術提供的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,通過整體研磨和局部拋光,達到修正后的超大尺寸玻璃基面,PV值≤10μm、TTV值≤10μm的效果,并且通過自重研磨,解決了磨削工序沒有理想基準面的難題,而且對待加工件的要求低,對待加工件沒有面形精度的要求。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及玻璃基板精密加工,尤其涉及一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工裝置


    技術介紹

    1、所謂玻璃基板面形修正,是指通過磨削、化學機械拋光的方式實現玻璃基板表面的平整,一般通過平面度(以pv簡稱)、平行度(以ttv簡稱)來表征面形精度。傳統的玻璃基板面形修正,基本針對小尺寸玻璃基板,通過雙面拋光來解決面形問題,但是雙面拋光設備尺寸做大之后,加工精度達不到要求,因此傳統雙面拋光設備可加工基片的尺寸≤φ700mm,拋光后通過傳統的磨削和化學機械拋光可以達到改善面形的效果,但是要想真正實現高精度修正,特別是超大尺寸玻璃基板的面形修正,需要結合待加工件面形,選擇合適的加工手段和工藝來達到預期pv值和ttv值。

    2、現有的面形修正技術主要通過雙面研磨/拋光、局部拋光的方式來改善面形,其中雙面研磨是當前改善面形的主流方式,但是受限于設備尺寸,無法進行超大尺寸(尺寸≥520mm×800mm)玻璃基板的研磨/拋光;而局部拋光則主要采用小磨頭,通過去除高點的方式來改善面形,但是由于有邊緣效應,使得加工工具加工過的部位的邊緣產生臺階紋或條紋。

    3、此外,現有技術基本沒有針對超大尺寸玻璃基板的面形修正方法。一般來說,要想獲得玻璃基板的平整表面,即數值很小的pv值,現有的傳統方法有磨削、拋光,但大多是基于玻璃基板進行整體修正的方式,無法做到局部針對性的修正。部分采用局部拋光的方式,可以優化pv值,卻帶來了別的問題。

    4、如公開號為cn101927448a,公開日為2010年12月19日,名稱為“局部拋光半導體晶片的方法”的中國專利文獻公開了一種用于局部拋光半導體晶片的一面的方法,用可旋轉拋光頭壓著半導體晶片,將其要拋光的一面對著位于旋轉拋光板上并含有固著磨料的拋光墊,在半導體晶片和拋光墊之間引入拋光劑,并且選擇施加在拋光頭的位于半導體晶片的邊緣區域的室中的半導體晶片上的拋光壓力,和扣環所施加壓力以使僅半導體晶片的邊緣處的材料被基本上去除,也就是說晶片邊緣的定點拋光。

    5、這種方法主要是消除邊緣梯級、邊緣區域不期望的涂層或邊緣區域不期望的增厚,對于中心區域是沒有辦法解決的;此外該方法是采用行星輪固定基板的方式,對于超大尺寸玻璃基板是不適用的。

    6、如公開號為cn112817070b,公開日為2021年5月18日,名稱為“一種平面光學元件的面形修正方法”的中國專利文獻公開了一種平面光學元件的面形修正方法,該方法在平面光學元件的正面鍍制要求的多層膜,并在平面光學元件的背面鍍制修正的單鍍制相同薄膜的方案容易操作。修正后的面形精度高,很容易到達小于0.06μm。

    7、這種方法是通過沉積薄膜的方式來修正面形,厚度一般是納米級別,這對于面形的修正力度很小,對于待加工件的要求較高,會對pv值的要求在0.5μm以下。

    8、如公開號為cn116100376a,公開日為2023年5月12日,名稱為“一種小磨頭拋光石英的工藝方法”的中國專利文獻公開了一種小磨頭拋光石英的工藝方法,該方法為了解決小磨頭拋光時光潔度和粗糙度的問題,采用分階段性的拋光方法,在控制光潔度和粗糙度的同時也滿足了拋光時去除量的要求。首先,使用大粒徑氧化鈰拋光液進行面形修正;之后,使用小粒徑氧化鈰拋光液進行初步光潔度修正;最后,使用硅溶膠拋光液進行最終光潔度修正。

    9、這種方法是通過控制壓力大小和磨粒粒徑來改善pv值和粗糙度,與常規化學機械拋光不同之處在于磨頭要比常規尺寸小許多,可以定點拋光基板高點,但是沒有考慮邊緣效應,很容易在表面留下凹凸不平的臺階形條紋,而且單純的靠小磨頭來修正面形,效率太低。

    10、如公開號為cn108890449a,公開日為2018年11月27日,名稱為“光學元件面形修正方法及裝置”的中國專利文獻公開了一種光學元件面形修正方法及裝置,該方法及裝置通過利用集成了多個團簇離子束產生裝置的加工裝置,在待加工光學元件的不同的面形精度的情況下,選擇適宜的團簇離子束產生裝置以產生對應的團簇離子束,并以不同的加工模式對待加工光學元件進行加工,在提高待加工光學元件面形精度的同時降低加工區域的表面粗糙度。這種方法是通過離子源轟擊基板的方式來改善面形,pv值甚至可以達到納米級別,但是效率特別低,且僅限于待加工件pv值1μm以下的玻璃基板。

    11、基于此,期望提出一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法來解決上述問題。


    技術實現思路

    1、針對現有技術的不足,本專利技術提供一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法以及加工裝置,能夠達到超大尺寸(尺寸≥520mm×800mm)玻璃基面加工后的pv值≤10μm、ttv值≤10μm效果。

    2、為達到上述目的,本專利技術的實施例采用如下技術方案:

    3、依照本專利技術的一個方面,一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法,所述超大尺寸玻璃基板面形修正方法包括以下步驟:

    4、對待加工件進行整體研磨、局部拋光,得到所需工件,所需工件的pv值≤10μm,且所需工件的ttv值≤10μm。

    5、優選地,所述整體研磨包括以下步驟:所述待加工件的工裝固定通過固定擋板實現,固定擋板通過固定桿固定在輔助機臺上,通過自重研磨提高pv值,再通過單面拋光獲得可用于面形測量的拋光面。

    6、優選地,局部拋光包括以下步驟:依次通過面形測量、面形標記、薄膜粘貼、小磨頭拋光優化待加工件凸面的pv值,通過單面拋光達到整體精修的目的。

    7、優選地,所述自重研磨將待加工件加工面pv值優化至50μm±5μm。

    8、優選地,所述待加工件為尺寸≥520mm×800mm的超大尺寸玻璃基板。

    9、優選地,自重研磨時,在待加工件下表面凸點位置的背面放置砝碼,提高加工效率,砝碼被粘貼在待加工件的上表面,所述拋光機下盤轉速為0.1~10rpm,以保障砝碼位置的固定,所述自重研磨將待加工件pv值優化至50μm±5μm。

    10、優選地,所述自重研磨后,通過基板磨削將待加工件的pv值優化至20μm。基板磨削后進行單面拋光,單面拋光為零壓拋光,單面拋光是為了去除部分損傷層、去掉磨砂層,使待加工件能夠通過三坐標進行精準的面型測量,進入所述局部拋光的下一步驟,即面形標記。

    11、優選地,面形測量在單面拋光之后,面形測量測得面形精度滿足pv值≤10μm、ttv值≤10μm,然后采用單面拋光進行整體精修,時間<30min,重復2~3次;面形測量測得pv值>10μm或ttv值>10μm則進入局部拋光的下一步驟,即面形標記。

    12、優選地,所述面形測量后,根據面形測量結果做好面型標記,在待加工件上標記出凹部和凸部,凸部背面進行薄膜粘貼,以便突出凸部,利于小磨頭加工。

    13、優選地,所述小磨頭拋光的過程中,將待加工件粘合在吸附墊上,待加工件設置補償邊框,包裹待加工件的邊緣,使小磨頭可以移動到待加工件邊緣,防止待加工件邊緣出現邊緣效應;所述小磨頭拋光,由機床通過磨頭軸帶動小磨頭旋轉完成,根據面形本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述超大尺寸玻璃基板面形修正方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述整體研磨包括以下步驟:

    3.根據權利要求1所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述局部拋光包括以下步驟:

    4.根據權利要求3所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,面形測量在所述單面拋光之后,面形測量測得面形精度滿足PV值≤10μm、TTV值≤10μm,則采用單面拋光進行整體精修,時間<30min,重復2~3次;

    5.根據權利要求3所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述面形測量后,根據面形測量結果做好面型標記,在待加工件上標記出凹部和凸部,凸部背面進行薄膜粘貼。

    6.根據權利要求3所述的一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述小磨頭拋光時,將待加工件粘合在吸附墊上,待加工件設置補償邊框,包裹待加工件的邊緣;所述小磨頭拋光完工后,回到面形測量步驟,重復5~7次。

    7.根據權利要求1~6中任意一項所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述待加工件為尺寸≥520mm×800mm的超大尺寸玻璃基板。

    8.根據權利要求1~6中任意一項所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,自重研磨時,在待加工件下表面凸點位置的背面放置砝碼,砝碼被粘貼在待加工件的上表面,所述拋光機下盤轉速為0.1~10rpm,所述自重研磨將待加工件PV值優化至50μm±5μm。

    9.根據權利要求1~6中任意一項所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述自重研磨后,通過基板磨削將待加工件的PV值優化至20μm,基板磨削后進行單面拋光。

    10.一種加工裝置,其特征在于,所述加工裝置采用如權利要求1~9中任意一項所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法進行玻璃基板加工,所述加工裝置包括以下部件:

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    【技術特征摘要】

    1.一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述超大尺寸玻璃基板面形修正方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述整體研磨包括以下步驟:

    3.根據權利要求1所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述局部拋光包括以下步驟:

    4.根據權利要求3所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,面形測量在所述單面拋光之后,面形測量測得面形精度滿足pv值≤10μm、ttv值≤10μm,則采用單面拋光進行整體精修,時間<30min,重復2~3次;

    5.根據權利要求3所述的超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述面形測量后,根據面形測量結果做好面型標記,在待加工件上標記出凹部和凸部,凸部背面進行薄膜粘貼。

    6.根據權利要求3所述的一種超大尺寸玻璃基板面形修正方法,其特征在于,所述小磨頭拋光時,將待加工件粘合在吸附墊上,待加工件設置...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳偉丁曉罡張誠
    申請(專利權)人:湖南普照信息材料有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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