【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于半導體光電，特別涉及一種高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法。
技術介紹
1、近年來，氮化物材料由于其寬禁帶、電子遷移率高等特點，在光電子和電力電子領域有著廣泛的應用。p型歐姆接觸影響器件的性能和可靠性，實現低阻、可重復性好的p型歐姆接觸對于氮化鎵(gan)基光電器件，特別是在高電流密度工作下的激光器非常重要。在實際應用中，制作低阻的p型gan歐姆接觸比較困難，主要是因為重摻雜的p型gan材料(p型濃度>1018cm-3)較難生長，還有就是缺乏合適的接觸金屬材料，p型gan材料的功函數很大(7.5ev)，而功函數最大的金屬pt也只有5.65ev。除此之外，金屬化工藝(包括表面處理，金屬沉積和合金化處理)的條件也會影響p型gan的接觸電阻。雖然采用不同的工藝條件可以獲得類似歐姆性質的i-v特性，但是接觸電阻率通常為10-2-10-3w·cm2，這樣的阻值對于一般顯示用的發光二極管(led)不存在嚴重的問題，但是對于高電流密度工作的激光二極管(ld)，會引起諸如缺陷生成，退化或者互擴散等問題，實現ld要求接觸電阻率必須低于10-4w·cm2。特別是p型gan歐姆接觸問題的研究還不夠成熟，依然還需要從p型gan本身的制備工藝、金屬化方案、表面預處理和合金化處理等方面做進一步的優化。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法。
2、本專利技術的目的通過如下技術方案實現：
3、一種高
4、在p型氮化物半導體表面作有規律的橫向或縱向劃痕；將銦球或銦錫合金球預壓至劃痕區；用400-500℃的電烙鐵在銦球或銦錫合金球電極上做連續旋涂；最后讓電極自然冷卻至室溫即可得到p型歐姆接觸電極。
5、優選的是，所述的p型氮化物半導體用丙酮、酒精做表面潔凈處理。
6、優選的是，所述的p型氮化物半導體表面橫向或縱向的劃痕深度為10-20nm。
7、優選的是，所述的預壓的壓力為1.8-2.5kgf/cm2。
8、優選的是，所述的銦球直徑規格為0.6-0.8mm、純度為99.99％。
9、優選的是，所述的銦錫合金球直徑規格為1-1.5mm，合金質量含量中錫含量占比為15-35％。
10、優選的是，所述的銦球電極做連續2-3min的旋涂。
11、優選的是，所述的銦錫合金球電極做連續5-10min的旋涂。
12、本專利技術方法涉及的高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，是以銦球或銦錫合金球為前體，通過擠壓和熱熔手段將其附著于半導體片的劃痕區上，在熱融過程也間接實現了對電極的熱處理，使得電極與半導體能達到低阻接觸效果，這是后續電學性能測試中不可或缺的重要環節，有望在高電流密度工作下的激光器中得到廣泛應用。本專利技術的制備方法具有原料廉價易得、制備過程簡單、無環境污染等優點。
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1.一種高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的P型氮化物半導體用丙酮、酒精做表面潔凈處理。
3.根據權利要求1所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的P型氮化物半導體表面橫向或縱向的劃痕深度為10-20nm。
4.根據權利要求1所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的預壓的壓力為1.8-2.5kgf/cm2。
5.根據權利要求1所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的銦球直徑規格為0.6-0.8mm、純度為99.99％。
6.根據權利要求1所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的銦錫合金球直徑規格為1-1.5mm，合金質量含量中錫含量占比為15-35％。
7.根據權利要求5所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于
8.根據權利要求6所述的高效率環保型P型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的銦錫合金球電極做連續5-10min的旋涂。
...【技術特征摘要】
1.一種高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的p型氮化物半導體用丙酮、酒精做表面潔凈處理。
3.根據權利要求1所述的高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的p型氮化物半導體表面橫向或縱向的劃痕深度為10-20nm。
4.根據權利要求1所述的高效率環保型p型氮化物半導體歐姆接觸電極制備方法，其特征在于，所述的預壓的壓力為1.8-2.5kgf/cm2。
5.根據權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：韋文旺，許秀寧，謝泉文，韓飛飛，劉玉英，龔靜怡，李迪，阮薇燕，陸玉瑩，
申請(專利權)人：賀州學院，
類型：發明
國別省市：
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