【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)屬于晶圓后處理，具體而言，涉及一種晶圓后處理方法。
技術(shù)介紹
1、集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，在助推制造業(yè)向數(shù)字化、智能化轉(zhuǎn)型升級(jí)的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。芯片是集成電路的載體，芯片制造涉及集成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓加工、電性測(cè)量、切割封裝和測(cè)試等工藝流程。其中，化學(xué)機(jī)械拋光(chemicalmechanical?polishing,cmp)屬于晶圓制造工序中的五大核心制程之一。
2、完成化學(xué)機(jī)械拋光的晶圓需要進(jìn)行清洗、干燥等后處理，以避免微量離子和金屬顆粒對(duì)半導(dǎo)體器件的污染，保障半導(dǎo)體器件的性能和合格率。常見(jiàn)的清洗方式有：雙流體噴射清洗、滾刷清洗和兆聲波清洗等；常見(jiàn)的干燥方式有：旋轉(zhuǎn)干燥或馬蘭戈尼干燥等。
3、現(xiàn)有技術(shù)中，晶圓后處理需要在不同的工位分別處理，這需要配置多個(gè)處理腔，使得晶圓后處理裝置的占地面積增加；同時(shí)，晶圓在多個(gè)處理腔之間傳輸，會(huì)增加晶圓二次污染的可能，致使無(wú)法獲取符合工藝要求的潔凈晶圓。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例提供了一種晶圓后處理方法，旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。
2、本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例提供了一種晶圓后處理方法，其包括：
3、s1，承載裝置的第二承載體升起，將待處理的晶圓裝載于第二承載體；
4、s2，第二承載體帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，兆聲噴淋作業(yè)裝置擺動(dòng)至晶圓上方，以兆聲清洗晶圓；
5、s3，第二承載體下降，以將晶圓交互于承載裝置的第一承載體；
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7、s5，晶圓刷洗完成后，刷洗作業(yè)裝置復(fù)位，以噴淋清洗晶圓并甩干。
8、在一些實(shí)施例中，所述承載裝置的外周側(cè)設(shè)置有防護(hù)罩，其能夠沿豎向移動(dòng)；步驟s1中，承載裝置外周側(cè)的防護(hù)罩位于低位，以防止裝載的晶圓與所述防護(hù)罩發(fā)生干涉。
9、步驟s2中，所述防護(hù)罩位于高位，以阻擋并引導(dǎo)晶圓表面離心分散的清洗廢液，防止清洗廢液離心飛濺至箱體的內(nèi)側(cè)壁。
10、步驟s3中，同心設(shè)置于第一承載體內(nèi)部的第二承載體沿豎直方向移動(dòng)，以改變第二承載體與第一承載體之間的高度差。
11、在一些實(shí)施例中，所述第一承載體為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其周向間隔設(shè)置有多個(gè)限位輪，以定位待處理的晶圓；所述第二承載體配置有多個(gè)卡柱，所述卡柱沿周向間隔設(shè)置，以?shī)A持待處理的晶圓；其中，所述限位輪與所述卡柱在周向上交錯(cuò)設(shè)置。
12、步驟s4中，所述刷洗作業(yè)裝置的滾刷自第一承載體的缺口，朝向水平承載的晶圓擺動(dòng)；所述滾刷擺動(dòng)過(guò)程中，滾刷與晶圓之間設(shè)置有間隙。
13、在一些實(shí)施例中，所述缺口朝向所述刷洗作業(yè)裝置的安裝側(cè)設(shè)置，所述缺口大于所述滾刷的外徑。
14、在一些實(shí)施例中，所述滾刷的長(zhǎng)度大于或等于待處理晶圓的半徑，所述滾刷能夠沿豎直方向移動(dòng)，以靠近或遠(yuǎn)離晶圓表面。
15、在一些實(shí)施例中，所述滾刷的數(shù)量為一對(duì)，并且，滾刷的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反，以通過(guò)滾刷與晶圓之間的摩擦力帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)。
16、在一些實(shí)施例中，所述滾刷包括第一滾刷段和第二滾刷段，所述第一滾刷段靠近待處理晶圓的中心，所述第一滾刷段的清洗能力小于所述第二滾刷段的清洗能力。
17、在一些實(shí)施例中，所述第一滾刷段的長(zhǎng)度為滾刷長(zhǎng)度的1/10-1/8，其外周側(cè)的凸起尺寸和/或疏密度小于第二滾刷段的對(duì)應(yīng)參數(shù)。
18、在一些實(shí)施例中，所述刷洗作業(yè)裝置朝向晶圓擺動(dòng)之前，刷洗作業(yè)裝置上的噴液桿朝向滾刷噴射液體，使得滾刷處于浸潤(rùn)狀態(tài)。
19、步驟s5中，所述第二承載體帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置先朝向晶圓噴射化學(xué)液，清洗液噴淋作業(yè)裝置再朝向晶圓噴射去離子水，噴氣裝置最后朝向晶圓噴射干燥氣體，以實(shí)現(xiàn)晶圓的單片清洗。
20、在一些實(shí)施例中，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置、清洗液噴淋作業(yè)裝置及噴氣裝置的至少兩個(gè)能夠集成為一體。
21、在一些實(shí)施例中，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置配置有兆聲噴頭，所述兆聲噴頭相對(duì)于晶圓表面的夾角可調(diào)，以根據(jù)工況調(diào)整兆聲噴頭的清洗能力。
22、在一個(gè)實(shí)施例中，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置自晶圓的中心朝向晶圓的邊緣擺動(dòng)，所述兆聲噴頭在晶圓邊緣的清洗能力大于其在晶圓中心的清洗能力。
23、本專(zhuān)利技術(shù)的有益效果包括：
24、a.提供的晶圓后處理方法，在單個(gè)后處理腔室實(shí)施晶圓的兆聲清洗、滾刷清洗、噴射清洗及干燥處理，避免晶圓在多個(gè)處理腔之間的傳輸，抑制晶圓傳輸過(guò)程的二次污染，同時(shí)提高晶圓后處理的作業(yè)效率；此外，晶圓后處理系統(tǒng)的整體體積小于多個(gè)處理腔室對(duì)應(yīng)的體積的總和，有利于縮小晶圓后處理裝備在fab廠(chǎng)中的空間占用；
25、b.承載組件的第一承載體與第二承載體同心設(shè)置，并且，第二承載頭能夠沿豎直方向移動(dòng)，以便于承接待處理的晶圓；同時(shí)，第二承載頭能夠?qū)⒕A移動(dòng)至高位，以便于晶圓的噴射清洗及干燥處理；
26、c.刷洗作業(yè)裝置的滾刷傾斜設(shè)置于晶圓的上下側(cè)，以利用滾刷與晶圓之間的摩擦力帶動(dòng)晶圓繞其軸線(xiàn)可靠旋轉(zhuǎn)；
27、d.滾刷配置有第一滾刷段和第二滾刷段，該第一滾刷段靠近待處理晶圓的中心，并且，該第一滾刷段的清洗能力小于第二滾刷段的清洗能力，以防止晶圓中心區(qū)域過(guò)度清洗而影響器件的性能；
28、e.兆聲噴淋作業(yè)裝置配置有兆聲噴頭，該兆聲噴頭相對(duì)于晶圓表面的夾角可調(diào)，以根據(jù)工況調(diào)整兆聲噴頭的清洗能力；
29、f.兆聲噴淋作業(yè)裝置自晶圓的中心朝向晶圓的邊緣擺動(dòng)，該兆聲噴頭在晶圓邊緣的清洗能力大于其在晶圓中心的清洗能力，以加強(qiáng)晶圓邊緣區(qū)域的清洗；
30、g.兆聲噴淋作業(yè)裝置、清洗液噴淋作業(yè)裝置及噴氣裝置的至少兩個(gè)能夠集成為一體，以減少作業(yè)裝置對(duì)箱體中空間的占用，提高晶圓后處理系統(tǒng)日常維護(hù)的便捷性。
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1.一種晶圓后處理方法，其特征在于，包括
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述承載裝置的外周側(cè)設(shè)置有防護(hù)罩，其能夠沿豎向移動(dòng)；步驟S1中，承載裝置外周側(cè)的防護(hù)罩位于低位，以防止裝載的晶圓與所述防護(hù)罩發(fā)生干涉。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟S2中，所述防護(hù)罩位于高位，以阻擋并引導(dǎo)晶圓表面離心分散的清洗廢液，防止清洗廢液離心飛濺至箱體的內(nèi)側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟S3中，同心設(shè)置于第一承載體內(nèi)部的第二承載體沿豎直方向移動(dòng)，以改變第二承載體與第一承載體之間的高度差。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述第一承載體為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其周向間隔設(shè)置有多個(gè)限位輪，以定位待處理的晶圓；所述第二承載體配置有多個(gè)卡柱，所述卡柱沿周向間隔設(shè)置，以?shī)A持待處理的晶圓；其中，所述限位輪與所述卡柱在周向上交錯(cuò)設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟S4中，所述刷洗作業(yè)裝置的滾刷自第一承載體的缺口，朝向水平承載的晶圓擺動(dòng)；所述滾刷擺動(dòng)過(guò)程
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述缺口朝向所述刷洗作業(yè)裝置的安裝側(cè)設(shè)置，所述缺口大于所述滾刷的外徑。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述滾刷的長(zhǎng)度大于或等于待處理晶圓的半徑，所述滾刷能夠沿豎直方向移動(dòng)，以靠近或遠(yuǎn)離晶圓表面。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述滾刷的數(shù)量為一對(duì)，并且，滾刷的轉(zhuǎn)動(dòng)方向相反，以通過(guò)滾刷與晶圓之間的摩擦力帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述滾刷包括第一滾刷段和第二滾刷段，所述第一滾刷段靠近待處理晶圓的中心，所述第一滾刷段的清洗能力小于所述第二滾刷段的清洗能力。
11.如權(quán)利要求10所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述第一滾刷段的長(zhǎng)度為滾刷長(zhǎng)度的1/10-1/8，其外周側(cè)的凸起尺寸和/或疏密度小于第二滾刷段的對(duì)應(yīng)參數(shù)。
12.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述刷洗作業(yè)裝置朝向晶圓擺動(dòng)之前，刷洗作業(yè)裝置上的噴液桿朝向滾刷噴射液體，使得滾刷處于浸潤(rùn)狀態(tài)。
13.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟S5中，所述第二承載體帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置先朝向晶圓噴射化學(xué)液，清洗液噴淋作業(yè)裝置再朝向晶圓噴射去離子水，噴氣裝置最后朝向晶圓噴射干燥氣體，以實(shí)現(xiàn)晶圓的單片清洗。
14.如權(quán)利要求13所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置、清洗液噴淋作業(yè)裝置及噴氣裝置的至少兩個(gè)能夠集成為一體。
15.如權(quán)利要求13所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置配置有兆聲噴頭，所述兆聲噴頭相對(duì)于晶圓表面的夾角可調(diào)，以根據(jù)工況調(diào)整兆聲噴頭的清洗能力。
16.如權(quán)利要求15所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述兆聲噴淋作業(yè)裝置自晶圓的中心朝向晶圓的邊緣擺動(dòng)，所述兆聲噴頭在晶圓邊緣的清洗能力大于其在晶圓中心的清洗能力。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓后處理方法，其特征在于，包括
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述承載裝置的外周側(cè)設(shè)置有防護(hù)罩，其能夠沿豎向移動(dòng)；步驟s1中，承載裝置外周側(cè)的防護(hù)罩位于低位，以防止裝載的晶圓與所述防護(hù)罩發(fā)生干涉。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟s2中，所述防護(hù)罩位于高位，以阻擋并引導(dǎo)晶圓表面離心分散的清洗廢液，防止清洗廢液離心飛濺至箱體的內(nèi)側(cè)壁。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟s3中，同心設(shè)置于第一承載體內(nèi)部的第二承載體沿豎直方向移動(dòng)，以改變第二承載體與第一承載體之間的高度差。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述第一承載體為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，其周向間隔設(shè)置有多個(gè)限位輪，以定位待處理的晶圓；所述第二承載體配置有多個(gè)卡柱，所述卡柱沿周向間隔設(shè)置，以?shī)A持待處理的晶圓；其中，所述限位輪與所述卡柱在周向上交錯(cuò)設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，步驟s4中，所述刷洗作業(yè)裝置的滾刷自第一承載體的缺口，朝向水平承載的晶圓擺動(dòng)；所述滾刷擺動(dòng)過(guò)程中，滾刷與晶圓之間設(shè)置有間隙。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述缺口朝向所述刷洗作業(yè)裝置的安裝側(cè)設(shè)置，所述缺口大于所述滾刷的外徑。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征在于，所述滾刷的長(zhǎng)度大于或等于待處理晶圓的半徑，所述滾刷能夠沿豎直方向移動(dòng)，以靠近或遠(yuǎn)離晶圓表面。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理方法，其特征...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉效巖，楊雪梅，劉豐迪，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：華海清科北京科技有限公司，
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