【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光伏電池制備，尤其涉及一種tbc電池背面鈍化層的制備方法、鈍化層及tbc電池。
技術介紹
1、常見的光伏電池的正面金屬電極柵線位于光伏電池的正面，背面金屬電極柵線位于光伏電池的背面，而tbc電池的正面金屬電極柵線和背面金屬電極柵線均位于tbc電池的背面，減少正面金屬電極柵線對太陽光的遮擋，最大程度的利用太陽光，擴大有效發電面積，從而提升電池轉換效率。tbc電池背面采用超薄隧穿氧化層以及分布在超薄隧穿氧化層背面的叉指狀的p區重摻雜多晶硅層和n區重摻雜多晶硅層來鈍化背面，形成鈍化接觸結構，極大地降低了金屬接觸復合電流，提升開壓和電流，從而提升電池轉換效率。
2、tbc電池的常規鈍化層結構為隧穿氧化層、摻雜多晶硅層和氧化鋁薄膜層，而在制備隧穿氧化層和摻雜多晶硅層的同時，會在摻雜多晶硅層的背面形成mask掩膜層，需要通過酸溶液清洗去除mask掩膜層后，才能夠繼續進行氧化鋁薄膜層的制備；然而目前清洗去除mask掩膜層的過程中，容易對mask掩膜層正面的摻雜多晶硅層造成破壞，導致制備好完整的鈍化層后，其鈍化層也可能降低對tbc電池的鈍化效果，阻止載流子在界面處復合的效果降低，還降低了tbc電池的光電轉換效率。
技術實現思路
1、為解決上述技術問題，本專利技術提供一種tbc電池背面鈍化層的制備方法、鈍化層及tbc電池。本專利技術的技術方案如下：
2、第一方面，本專利技術提供了一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，包括以下步驟：
3、s1，對n型硅片
4、s2，對完成雙面堿拋光處理的n型硅片背面進行第一次pecvd處理和第一次退火處理，以在n型硅片的背面形成第一隧穿氧化層、摻硼多晶硅層、第一氧化硅層、第一本征多晶硅膜層和第一mask掩膜層；
5、s3，對完成第一次退火處理的n型硅片背面的多個第二區域和多個隔離區域進行第一次激光開槽處理，以去除第二區域和隔離區域的第一隧穿氧化層、摻硼多晶硅層、第一氧化硅層、第一本征多晶硅膜層和第一mask掩膜層；
6、s4，對完成第一次激光開槽處理的n型硅片背面的多個第二區域和多個隔離區域進行第二次pecvd處理和第二次退火處理，以在n型硅片背面的第二區域和隔離區域均依次形成第二隧穿氧化層、摻磷多晶硅層、第二氧化硅層、第二本征多晶硅膜層和第二mask掩膜層；
7、s5，對完成第二次退火處理的n型硅片背面的多個隔離區域進行第二次激光開槽處理，以去除隔離區域的第二隧穿氧化層、摻磷多晶硅層、第二氧化硅層、第二本征多晶硅膜層和第二mask掩膜層；
8、s6，使用酸溶液對完成第二次激光開槽處理的n型硅片進行第一次清洗處理，以去除n型硅片背面的第一mask掩膜層和第二mask掩膜層；使用堿溶液對完成第一次清洗處理的n型硅片進行第二次清洗處理，以去除n型硅片背面的第一本征多晶硅膜層和第二本征多晶硅膜層；
9、s7，對完成第二次清洗處理的n型硅片進行制絨處理；
10、s8，對完成制絨處理的n型硅片進行ald處理，來形成氧化鋁薄膜層，以得到制備好的tbc電池的鈍化層。
11、可選地，所述s2在具體實施時，包括：
12、s21，將完成雙面堿拋光處理的n型硅片放置在pecvd沉積爐內，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為1800mtorr，向pecvd沉積爐內通入流量為10000sccm的笑氣，來進行第一隧穿氧化層的沉積，使n型硅片的背面形成第一隧穿氧化層；其中，通入笑氣的持續時間為120s，pecvd沉積爐的功率為13000w；
13、s22，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為3000mtorr，向完成第一隧穿氧化層沉積的pecvd沉積爐內通入流量為3600sccm的硅烷、流量為10080sccm的氫氣和流量為800sccm的硼烷，來進行摻硼非晶硅層的沉積，使第一隧穿氧化層的背面形成摻硼非晶硅層；其中，通入硅烷、氫氣和硼烷的持續時間為600s，pecvd沉積爐的功率為13000w；
14、s23，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為1800mtorr，向完成摻硼非晶硅層沉積的pecvd沉積爐內通入流量為10000sccm的笑氣，來進行第一氧化硅層的沉積，以使摻硼非晶硅層的背面形成第一氧化硅層；其中，通入笑氣的持續時間為240s，pecvd沉積爐的功率為13000w；
15、s24，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為3000mtorr，向完成第一氧化硅層沉積的pecvd沉積爐內通入流量為3600sccm的硅烷和流量為10080sccm的氫氣，來進行第一本征非晶硅膜層的沉積，以使第一氧化硅層的背面形成第一本征非晶硅膜層；其中，通入硅烷和氫氣的持續時間為300s，pecvd沉積爐的功率為13000w；
16、s25，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為1700mtorr，向完成第一本征非晶硅膜層的沉積的pecvd沉積爐內通入流量為1600sccm的硅烷和流量為6000sccm的笑氣，來進行第一mask掩膜層的沉積，以使第一本征非晶硅膜層的背面形成第一mask掩膜層，以完成第一次pecvd處理；其中，通入硅烷和氫氣的持續時間為60s，pecvd沉積爐的功率為14000w；
17、s26，對完成第一次pecvd處理的n型硅片進行第一次退火處理，使得n型硅片背面的摻硼非晶硅層和第一本征非晶硅膜層分別轉化為摻硼多晶硅層和第一本征多晶硅膜層。
18、可選地，所述s3在具體實施時，包括：
19、使用皮秒激光器來對完成第一次退火處理的n型硅片背面的多個第二區域和多個隔離區域進行第一次激光開槽處理，以去除n型硅片背面的第二區域和隔離區域的第一隧穿氧化層、摻硼多晶硅層、第一氧化硅層、第一本征多晶硅膜層和第一mask掩膜層。
20、可選地，所述s4在具體實施時，包括：
21、s41，將完成第一次激光開槽處理的n型硅片放置在pecvd沉積爐內，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為1800mtorr，向pecvd沉積爐內通入流量為10000sccm的笑氣，來進行第二隧穿氧化層的沉積，使n型硅片背面的第二區域和隔離區域均形成第二隧穿氧化層；其中，通入笑氣的持續時間為120s，pecvd沉積爐的功率為13000w；
22、s42，控制pecvd沉積爐內溫度為420℃，并控制pecvd沉積爐內壓力為3000mtorr，向完成第二隧穿氧化層沉積的pecvd沉積爐內通入流量為3600sccm的硅烷、流量為10080本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S2在具體實施時，包括：
3.根據權利要求1或2中任一項所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S3在具體實施時，包括：
4.根據權利要求1或2所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S4在具體實施時，包括：
5.根據權利要求1或2所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S5在具體實施時，包括：
6.根據權利要求1或2所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S6在具體實施時，包括：
7.根據權利要求1或2所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S7在具體實施時，包括：
8.根據權利要求7所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述S8在具體實施時，包括：
9.一種TBC電池背面的鈍化層，采用權利要求1-8所述的一種TBC電池背面鈍化層的制備方
10.一種TBC電池，其特征在于，包括權利要求9所述的TBC電池背面的鈍化層、氮化硅減反膜層(13)和多個金屬電極(14)，所述氮化硅減反膜層(13)形成在所述氧化鋁薄膜層(12)的外周，多個所述金屬電極(14)分別形成在多個第一區域的第一氧化硅層(4)的背面和多個第二區域的第二氧化硅層(9)的背面。
...【技術特征摘要】
1.一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述s2在具體實施時，包括：
3.根據權利要求1或2中任一項所述的一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述s3在具體實施時，包括：
4.根據權利要求1或2所述的一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述s4在具體實施時，包括：
5.根據權利要求1或2所述的一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述s5在具體實施時，包括：
6.根據權利要求1或2所述的一種tbc電池背面鈍化層的制備方法，其特征在于，所述s6在具體實施時，包括：
7.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：聶文君，秦積海，李浩，楊立友，
申請(專利權)人：晉能清潔能源科技股份公司，
類型：發明
國別省市：
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