【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體的領(lǐng)域，尤其涉及高電子遷移率晶體管及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體技術(shù)中，iii-v族的化合物半導(dǎo)體可用于形成各種集成電路裝置，例如：高功率場效晶體管、高頻晶體管或高電子遷移率晶體管(high?electron?mobilitytransistor,hemt)。hemt是屬于具有二維電子氣(two?dimensional?electron?gas,2deg)的一種晶體管，其2deg會鄰近于能隙不同的兩種材料之間的接合面(亦即，異質(zhì)接合面)。由于hemt并非使用摻雜區(qū)域作為晶體管的載子通道，而是使用2deg作為晶體管的載子通道，因此相較于現(xiàn)有的金氧半場效晶體管(mosfet)，hemt具有多種吸引人的特性，例如：高電子遷移率及以高頻率傳輸信號的能力。通常，在hemt中可設(shè)置場板來調(diào)控電場分布，進(jìn)而提升hemt的擊穿電壓，然而，用來制造hemt的場板的現(xiàn)有的制程步驟繁復(fù)，并增加制造成本。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本專利技術(shù)提出一種高電子遷移率晶體管(hemt)及其制造方法，使用較少的光罩?jǐn)?shù)量和較少的金屬層來制造出更多的場板，以簡化hemt的制程步驟和降低制造成本，并且通過更多的場板達(dá)到重新分布電場的作用，進(jìn)而提升hemt的擊穿電壓。
2、根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種高電子遷移率晶體管，包括基底、半導(dǎo)體通道層、半導(dǎo)體阻障層、源極電極、漏極電極、半導(dǎo)體蓋層、第一介電層、第一導(dǎo)通孔、柵極電極、第一場板以及第二場板。半導(dǎo)體通道層和半導(dǎo)體阻障層依序
3、根據(jù)本專利技術(shù)的一實(shí)施例，提供一種高電子遷移率晶體管的制造方法，包括以下步驟：提供基底；在基底上依序形成半導(dǎo)體通道層和半導(dǎo)體阻障層；形成半導(dǎo)體蓋層于半導(dǎo)體阻障層上；形成源極電極和漏極電極于半導(dǎo)體通道層上；形成第一介電層于源極電極、半導(dǎo)體蓋層和漏極電極之上；形成第一開口在第一介電層內(nèi)；形成第二開口，貫穿第一介電層，且向下延伸至半導(dǎo)體蓋層上；沉積第一金屬層于第一介電層上，且填充第一開口和第二開口，以分別形成第一場板于第一開口內(nèi)和第一導(dǎo)通孔于第二開口內(nèi)；以及圖案化第一金屬層，以形成柵極電極接觸第一導(dǎo)通孔和第二場板接觸第一場板。
4、為了讓本專利技術(shù)的特征明顯易懂，下文特舉出實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
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1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一導(dǎo)通孔、該柵極電極、該第一場板和該第二場板均由一第一金屬層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一場板的側(cè)壁和底面之間的夾角大于90度。
4.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
5.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一導(dǎo)通孔還貫穿該蝕刻停止層和該第二介電層。
6.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
7.如權(quán)利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第二導(dǎo)通孔、該第三導(dǎo)通孔、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線、該第一導(dǎo)通孔、該柵極電極、該第一場板和該第二場板均由一第一金屬層構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括一第三場板，設(shè)置于該第二介電層下方，且位于該第一導(dǎo)通孔和該第一場板之間，其中該源極電極、該漏極電極和該第三場板均由一第二金屬層構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求8所述的
10.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括一第三介電層設(shè)置在該半導(dǎo)體阻障層上，其中該源極電極的一部分和該漏極電極的一部分均各自延伸至該第三介電層的頂面上。
11.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
12.如權(quán)利要求11所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該源極電極、該漏極電極、該第三場板和該第四場板均由一第二金屬層構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求11所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一場板與該第四場板和該介電區(qū)塊在垂直投影方向上均部分重疊，且該第一場板具有兩個(gè)高度段差。
14.一種高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
15.如權(quán)利要求14所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，在形成該第一介電層之前，還包括：
16.如權(quán)利要求15所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第二開口的一第二蝕刻制程還蝕刻貫穿該蝕刻停止層和該第二介電層，且該第二蝕刻制程還同時(shí)形成一第三開口，以暴露出該源極電極，及一第四開口，以暴露出該漏極電極。
17.如權(quán)利要求16所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，該第一金屬層還同時(shí)填充該第三開口和該第四開口，以分別形成一第二導(dǎo)通孔在該源極電極上，及一第三導(dǎo)通孔在該漏極電極上，且圖案化該第一金屬層還同時(shí)形成一第一導(dǎo)線電連接至該第二導(dǎo)通孔，及一第二導(dǎo)線電連接至該第三導(dǎo)通孔。
18.如權(quán)利要求17所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第一開口使用一第一光罩，形成該第二開口、該第三開口和該第四開口使用一第二光罩，形成該第二場板、該柵極電極、該第一導(dǎo)線和該第二導(dǎo)線使用一第三光罩。
19.如權(quán)利要求14所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：
20.如權(quán)利要求14所述的高電子遷移率晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一導(dǎo)通孔、該柵極電極、該第一場板和該第二場板均由一第一金屬層構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一場板的側(cè)壁和底面之間的夾角大于90度。
4.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
5.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一導(dǎo)通孔還貫穿該蝕刻停止層和該第二介電層。
6.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
7.如權(quán)利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第二導(dǎo)通孔、該第三導(dǎo)通孔、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線、該第一導(dǎo)通孔、該柵極電極、該第一場板和該第二場板均由一第一金屬層構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括一第三場板，設(shè)置于該第二介電層下方，且位于該第一導(dǎo)通孔和該第一場板之間，其中該源極電極、該漏極電極和該第三場板均由一第二金屬層構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求8所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，該第一場板和該第三場板在垂直投影方向上部分重疊，且該第一場板具有一高度段差。
10.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括一第三介電層設(shè)置在該半導(dǎo)體阻障層上，其中該源極電極的一部分和該漏極電極的一部分均各自延伸至該第三介電層的頂面上。
11.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括：
12.如權(quán)利要求11...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄒振東，鄭韋志，李家豪，
申請(專利權(quán))人：世界先進(jìn)積體電路股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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