【技術實現步驟摘要】
本公開的實施例涉及功率半導體封裝(psp)，并且更特別地，涉及與psp的基板和引線相關聯的問題。
技術介紹
1、在分立半導體制造中，常見的是將半導體封裝的所謂骨干作為引線框架。引線框架的主要目的是將電氣信號從芯片攜帶到外部世界，并且吸收由芯片產生的熱量。
2、對于功率半導體封裝(power?semiconductor?package，psp)，引線框架由單一的銅結構組成，該銅結構由耦合到擋桿(dambar)中的定義數量的引線(腿)組成，其中擋桿與引線正交。在常見情況下，引線框架將包括用于附接管芯的管芯附接焊盤(die?attachpaddle，dap)。當psp被封裝時，諸如用環氧模塑化合物(epoxy?molding?compound，emc)封裝時，引線將部分保留在密封劑外，而dap和管芯在密封劑內。
3、將dbc/dcb(直接銅接合)基板引入半導體封裝的隔離族對于某些應用是有利的。對于dcb基板，熱量被消散到基板而不是dap中。因此，引線框架的dap部分對于dcb基板是不必要的，并且可以消除引線框架的銅dap部分的額外成本。盡管如此，從管芯到psp外部的電氣連接仍然需要引線。傳統上，引線框架的擋桿在psp的制造中提供了關鍵元件。
4、正是相對于這些和其他考慮，本改進可能是有用的。
技術實現思路
1、提供本
技術實現思路
是為了以簡化的形式引入以下在具體實施方式中進一步描述的概念的選擇。本
技術實現思路
不旨在標識所要求保護的主題的關鍵特征或基本特征
2、根據本公開的無鉛(lead-free)功率半導體封裝(psp)的示例性實施例可以包括基板、多個銅引線、管芯和密封劑。基板具有交替的銅層和由氮化硅制成的陶瓷層。不是引線框架的一部分的銅引線，使用活性金屬釬焊被連接到基板。包含允許psp操作的電路的管芯，使用銀燒結膏被連接到基板。密封劑包封基板和管芯，其中多個引線的一部分在密封劑外部。
3、根據本公開的psp制造中使用的傳遞模具(transfer?mold)的另一個示例性實施例可以包括頂部引線引導塊(leadguide?block)和底部引線引導塊、頂部腔體和底部腔體以及夾桿(pinchbar)。頂部引線引導塊和底部引線引導塊圍繞作為psp的基板組件的一部分的引線，基板組件具有不是引線框架的一部分的多個引線、基板和管芯。頂部腔體和底部腔體分別與頂部引線引導件和底部引線引導件相鄰，其中基板組件的基板裝配在其中。夾桿被設置在頂部引線引導塊和底部引線引導塊之間，并防止將密封劑滲到通過將頂部腔體和底部腔體配合而形成的腔體中。
4、根據本公開的用于使用傳遞模具制造psp的方法的示例性實施例可以包括將多個基板組件插入鋁晶舟(boat)中。多個基板組件各自包括引線、基板和管芯。鋁晶舟在第一側上的第一平面中被凹陷，其中凹陷形成用于接收多個基板組件的基板的腔體。鋁晶舟也在與第一側相鄰的第二側上的第二平面中被升高，其中多個基板組件的引線被接收到第二側中。該方法還包括將載體板(carrier?plate)添加到鋁晶舟，使得載體板位于引線上方，載體板具有一個或多個磁體以將載體板貼附到引線。該方法還包括將基板組件裝配到傳遞模具的底部模套(chase)中，該底部模套具有底部引線引導塊，底部引線引導塊包括一個或多個夾桿縫隙(pinchbar?crevice)。
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1.一種功率半導體封裝(PSP)，包括：
2.根據權利要求1所述的PSP，所述基板還包括：
3.根據權利要求2所述的PSP，所述基板還包括：
4.根據權利要求3所述的PSP，其中，所述第一陶瓷層和所述第二陶瓷層包括氮化硅。
5.根據權利要求3所述的PSP，其中，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
6.根據權利要求3所述的PSP，其中，所述第二尺寸為1.5mm。
7.根據權利要求3所述的PSP，其中，所述第一尺寸在0.4mm和0.8mm之間。
8.根據權利要求3所述的PSP，其中，所述第三尺寸為0.25mm。
9.一種用于在制造功率半導體封裝(PSP)中使用的傳遞模具，所述傳遞模具包括：
10.根據權利要求9所述的傳遞模具，還包括：
11.根據權利要求9所述的傳遞模具，還包括：
12.根據權利要求9所述的傳遞模具，所述夾桿還包括：
13.根據權利要求9所述的傳遞模具，還包括具有凹口的支撐桿，在所述凹口上所述基板組件的銅島被安置。
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15.一種使用傳遞模具制造功率半導體封裝的方法，所述方法包括：
16.根據權利要求15所述的方法，還包括：
17.根據權利要求16所述的方法，還包括：
18.根據權利要求17所述的方法，還包括：
19.根據權利要求18所述的方法，還包括：
20.根據權利要求19所述的方法，還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種功率半導體封裝(psp)，包括：
2.根據權利要求1所述的psp，所述基板還包括：
3.根據權利要求2所述的psp，所述基板還包括：
4.根據權利要求3所述的psp，其中，所述第一陶瓷層和所述第二陶瓷層包括氮化硅。
5.根據權利要求3所述的psp，其中，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
6.根據權利要求3所述的psp，其中，所述第二尺寸為1.5mm。
7.根據權利要求3所述的psp，其中，所述第一尺寸在0.4mm和0.8mm之間。
8.根據權利要求3所述的psp，其中，所述第三尺寸為0.25mm。
9.一種用于在制造功率半導體封裝(psp)中使用的傳遞模具，所述傳遞模具包括：
10.根據權利要求9所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蒂布西奧·馬爾多，羅伯特·埃比多，阿內爾·德韋扎，杰夫·格羅澤恩，羅杰·卡杜特，
申請(專利權)人：力特保險絲公司，
類型：發明
國別省市：
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