【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造設備及半導體制造方法，特別涉及一種刻蝕設備及刻蝕方法。
技術介紹
1、原子層刻蝕（ale）是一種重要的納米級刻蝕技術，能夠精確地對一個原子層進行刻蝕，并在適當的位置停止刻蝕，獲得極高的刻蝕選擇率。現有的原子層刻蝕裝置采用兩類工藝方案：其一，將晶圓置于一個低溫腔體進行反應，在晶圓表面形成揮發性物質；再將該晶圓傳送至另一個高溫腔體加熱該晶圓，使揮發性物質揮發完成刻蝕。該方案需要將晶圓在兩個腔體來回傳送，產能低。其二，將晶圓置于冷卻盤，反應形成揮發性物質；冷卻盤表面設置有可升降頂針，頂針托起晶圓靠近熱源烘烤，使揮發性物質揮發。該方案通過頂針升降改變晶圓溫度的方式，效率低；頂針升降亦會造成晶圓晃動，影響晶圓在制造過程中的穩定性；此外，揮發后還會在冷卻盤上形成副產品顆粒，影響晶圓表面性能。上述兩種方案，均需要通過機械傳送的方式，改變晶圓溫度，溫度變化效率低。因此，針對上述問題，亟需一種刻蝕設備及刻蝕方法。
技術實現思路
1、為了解決現有原子層刻蝕工藝過程中，通過機械傳送改變被刻蝕晶圓位置，使之處于不同的溫度條件進行加工的工藝流程，存在加工效率低、產能低的問題。本申請提供以下技術方案：
2、第一方面，提供一種刻蝕設備，包括：靜電吸盤，至少一個加熱器；
3、靜電吸盤具有：吸附表面；
4、吸附表面內設置有至少一個通氣孔，通氣孔至少用于將第一氣體傳導至吸附表面一側；
5、至少一個加熱器于吸附表面一側，距吸附表面所在平面預設距離設置。
6、進一步地，靜電吸盤還具有冷卻管道，冷卻管道設置于靜電吸盤的內部，冷卻管道的供冷端與外界冷卻源連通。
7、進一步地，吸附表面設置有凸起部，凸起部在吸附表面圍成閉合圖形，用于靜電吸盤吸附晶圓時，在晶圓表面與靜電吸盤之間形成封閉空隙。
8、進一步地，至少一個加熱器周向設置于加熱平面；
9、加熱平面距吸附表面所在平面的距離為預設距離；
10、至少一個加熱器所在周向的中心，與靜電吸盤中心的連線垂直于加熱平面。
11、進一步地，刻蝕設備還包括反應腔；
12、靜電吸盤，以及至少一個加熱器設置于反應腔內。
13、進一步地，反應腔上部設置有進氣閥；反應腔下部設置有排氣閥。
14、進氣閥用于將第二氣體或第三氣體傳送至反應腔內；
15、排氣閥用于將反應腔內的氣體排出。
16、進一步地，至少一個加熱器上部設置有通氣隔板，通氣隔板的隔板平面平行于吸附表面；
17、通氣隔板中，垂直于隔板平面設置有至少一個通孔，通孔用于調節第二氣體或第三氣體于吸附表面產生的壓強。
18、進一步地，刻蝕設備還包括換氣閥；
19、換氣閥與進氣閥連接，用于切換第二氣體或第三氣體。
20、第二方面，提供一種刻蝕方法，應用于第一方面記載的刻蝕設備，包括：
21、響應于被刻蝕晶圓未達到預設刻蝕深度，執行：
22、吸附所述被刻蝕晶圓，由通氣孔通入第一氣體，使所述被刻蝕晶圓溫度降低；
23、由進氣閥通入第二氣體，使所述被刻蝕晶圓的被刻蝕表面在反應腔內與第二氣體發生反應；
24、由所述通氣孔抽氣，使所述被刻蝕晶圓與靜電吸盤的之間形成真空，開啟至少一個加熱器加熱所述被刻蝕晶圓；
25、由所述進氣閥通入第三氣體，吹掃所述被刻蝕表面生成的反應物。
26、進一步地，第一氣體為氦氣。
27、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：
28、通過實施本申請實施例公開的刻蝕設備及刻蝕方法，以靜電吸盤吸附被刻蝕晶圓，配合反應氣體、吹掃氣體，以及加熱器，可以在一個反應腔內完成對被刻蝕晶圓的原子層刻蝕，在晶圓位置固定的情況下，完成晶圓升、降溫，刻蝕反應，及副產物的吹掃泵吸，提高對被刻蝕晶圓的加工效率。
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1.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：靜電吸盤，至少一個加熱器；
2.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述靜電吸盤還具有冷卻管道，所述冷卻管道設置于所述靜電吸盤的內部，所述冷卻管道的供冷端與外界冷卻源連通。
3.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述吸附表面設置有凸起部，所述凸起部在所述吸附表面圍成閉合圖形，用于所述靜電吸盤吸附晶圓時，在晶圓表面與所述靜電吸盤之間形成封閉空隙。
4.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述至少一個加熱器周向設置于加熱平面；
5.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述刻蝕設備還包括反應腔；
6.根據權利要求5所述的刻蝕設備，其特征在于，所述反應腔上部設置有進氣閥；
7.根據權利要求5所述的刻蝕設備，其特征在于，所述至少一個加熱器上部設置有通氣隔板，所述通氣隔板的隔板平面平行于所述吸附表面；
8.根據權利要求5所述的刻蝕設備，其特征在于，所述刻蝕設備還包括換氣閥；
9.一種刻蝕方法，其特征在于，應用于權利要求1-8任一項所述的
10.根據權利要求9所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第一氣體為氦氣。
...【技術特征摘要】
1.一種刻蝕設備，其特征在于，包括：靜電吸盤，至少一個加熱器；
2.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述靜電吸盤還具有冷卻管道，所述冷卻管道設置于所述靜電吸盤的內部，所述冷卻管道的供冷端與外界冷卻源連通。
3.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述吸附表面設置有凸起部，所述凸起部在所述吸附表面圍成閉合圖形，用于所述靜電吸盤吸附晶圓時，在晶圓表面與所述靜電吸盤之間形成封閉空隙。
4.根據權利要求1所述的刻蝕設備，其特征在于，所述至少一個加熱器周向設置于加熱平面；
5.根據權利要求1所述的刻蝕設備，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：梁潔，王兆祥，涂樂志，李可，王曉雯，方文強，王奮，田有糧，
申請(專利權)人：上海邦芯半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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