【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體，尤其涉及一種半導體器件的制備方法和半導體器件。
技術介紹
1、在存儲器半導體制造工藝中,半導體襯底包括多個有源區域和用于隔離有源區域的隔離區域，部分有源區域的上方需要形成用于連接數據線的接觸結構的容納槽，該容納槽通過刻蝕工藝形成，由于刻蝕過程中的對位出現錯位及刻蝕工藝的蝕刻量控制不佳的原因，形成的容納槽的形狀、位置均易與理想狀態存在差異，從而使得制備形成的半導體器件易出現不良，嚴重影響了半導體器件的性能。
技術實現思路
1、本申請的目的是至少解決半導體器件的制備方法造成半導體器件的良率較低的問題。該目的是通過以下技術方案實現的：
2、本申請的第一方面提出了一種半導體器件的制備方法，包括：
3、提供襯底，并在所述襯底上形成隔離結構，相鄰所述隔離結構之間形成有源區；
4、在所述襯底一側表面形成硬掩模層，對所述硬掩膜層圖案化，形成暴露部分所述有源區的通孔；
5、在經所述通孔暴露的所述有源區形成信號線接觸槽，所述信號線接觸槽與所述通孔連通；
6、在所述信號線接觸槽的側壁形成防滲透膜；
7、形成信號線接觸結構，所述信號線接觸結構至少部分位于所述信號線接觸槽內。
8、本申請提供的半導體器件的制備方法中，通過在信號線接觸槽的側壁形成防滲透膜，可在后續制備工藝中，防止摻雜離子滲透至預設有源區相鄰的有源區內，在由于制備工藝精度的限制對隔離結構進行過刻，從而暴露預設有源區相鄰的有源區后，可通過形成防滲
9、本申請第二方面還提供了一種半導體器件，其特征在于，由本申請第一方面提供的半導體器件的制備方法制備形成。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述信號線接觸槽的側壁形成防滲透膜的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述快速熱氧化工藝的處理溫度為T，900℃≤T≤1100℃；和/或，
4.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述去除所述氧化層中位于所述信號線接觸槽的底壁的部分的步驟包括：
5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述防滲透膜的厚度大于或等于10埃米。
6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成隔離結構包括：
7.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述隔離材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
8.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述信號線接觸結構的材質包括摻雜有磷化氫的多晶硅。
9.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述對所述硬掩膜層圖案
10.一種半導體器件，其特征在于，由權利要求1-9任一項所述的半導體器件的制備方法制備形成。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述信號線接觸槽的側壁形成防滲透膜的步驟包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述快速熱氧化工藝的處理溫度為t，900℃≤t≤1100℃；和/或，
4.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述去除所述氧化層中位于所述信號線接觸槽的底壁的部分的步驟包括：
5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述防滲透膜的厚度大于或等于10埃米。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱寧炳，李宙相，金成哲，羅珉權，金學云，
申請(專利權)人：成都高真科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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