【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及繞鍍識別，更具體地說，它涉及一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法及系統。
技術介紹
1、pecvd(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition，等離子體增強化學氣相沉積)是一種用于在硅片表面沉積薄膜的技術，廣泛應用于太陽能電池片的生產中。在topcon太陽能電池的生產中，pecvd技術可以用于沉積鈍化層和多晶硅層。繞鍍是指在沉積過程中，薄膜不僅在硅片的正面形成，也會在硅片的邊緣和背面形成，這可能會影響電池的質量和電性能。因此pecvd繞鍍識別是一個需要關注的問題。
2、傳統的pecvd繞鍍識別方法主要是純視覺檢測，通過顯微鏡或肉眼觀察硅片的邊緣和背面，檢查是否有不必要的沉積物。傳統的純視覺檢測方法存在效率低下、準確性不高的問題，容易漏判、錯判或過判。
3、因此，本申請提供一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法及系統，解決上述問題。
技術實現思路
1、本申請的目的是提供一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法及系統，解決現有pecvd繞鍍識別效率低下、準確性不高的問題；通過提取電池片卡點位hsv通道值和灰度值判別卡點個數，進而識別繞鍍電池片，解決上述問題。
2、本申請首先提供一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，包括：獲取ccd相機采集的鍍膜完成后的電池片圖像；從電池片圖像中提取所有卡點位圖像；將卡點位圖像轉化至hsv顏色空間得到卡點位圖像的hsv通道值，將卡點位圖像進行灰度化
3、采用上述技術方案，通過提取電池片卡點位圖像的hsv通道值和灰度值聯合識別電池片是否存在繞鍍情況，相較于傳統的純視覺檢測，更準確、更迅速，相較于rgb顏色空間識別，錯誤率更低。
4、在一種可能的實施方式中，設定范圍，通過如下步驟得到：獲取標準模式ccd相機采集的膜厚在正常上限、膜厚在正常下限、模組在正常中值的電池片圖像；從電池片圖像中提取卡點位圖像，并測量卡點位圖像的hsv通道值和灰度值；計算所有卡點位圖像的hsv通道值均值和灰度值均值，作為基準值；以基準值為中心設置偏離值，得到hsv通道設定范圍和灰度值設定范圍。
5、在一種可能的實施方式中，將卡點位圖像hsv通道值和灰度值與設定范圍比較，確定是否存在卡點位，將卡點位個數與電池片實際卡點位個數比較，確定電池片是否存在繞鍍，包括：將卡點位圖像hsv通道值和灰度值與設定范圍比較，當卡點位圖像hsv通道值和灰度值均在設定范圍內時，確定存在卡點位，標識為1，反之標識為0；統計同一電池片圖像上的所有卡點圖像的標識和，當標識和等于電池片實際卡點位個數時判定為合格，反之判定為不合格。
6、在一種可能的實施方式中，從電池片圖像中提取所有卡點位圖像，包括：基于aoi軟件從電池片圖像中提取電池片坐標數據；基于電池片坐標數據提取以卡點位為中心的矩形框坐標；根據矩形框坐標從電池片圖像中提取卡點位圖像。
7、在一種可能的實施方式中，設定范圍為：h通道值170.8±15、s通道值64.2±10、v通道值46.9±10、灰度值25±5。
8、本申請還提供一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別系統，包括：數據獲取單元，用于獲取ccd相機采集的鍍膜完成后的電池片圖像；卡點位提取單元，用于從電池片圖像中提取所有卡點位圖像；判定數據提取單元，用于將卡點位圖像轉化至hsv顏色空間得到卡點位圖像的hsv通道值，將卡點位圖像進行灰度化得到卡點位圖像的灰度值；繞鍍判定單元，用于將卡點位圖像hsv通道值和灰度值與設定范圍比較，確定是否存在卡點位，將卡點位個數與電池片實際卡點位個數比較，確定電池片是否存在繞鍍。
9、在一種可能的實施方式中，繞鍍判定單元，包括：設定范圍提取單元，用于獲取標準模式ccd相機采集的膜厚在正常上限、膜厚在正常下限、模組在正常中值的電池片圖像；從電池片圖像中提取卡點位圖像，并測量卡點位圖像的hsv通道值和灰度值；計算所有卡點位圖像的hsv通道值均值和灰度值均值，作為基準值；以基準值為中心設置偏離值，得到hsv通道設定范圍和灰度值設定范圍。
10、在一種可能的實施方式中，繞鍍判定單元，具體用于將卡點位圖像hsv通道值和灰度值與設定范圍比較，當卡點位圖像hsv通道值和灰度值均在設定范圍內時，確定存在卡點位，標識為1，反之標識為0；統計同一電池片圖像上的所有卡點圖像的標識和，當標識和等于電池片實際卡點位個數時判定為合格，反之判定為不合格。
11、在一種可能的實施方式中，卡點位提取單元，具體用于基于aoi軟件從電池片圖像中提取電池片坐標數據；基于電池片坐標數據提取以卡點位為中心的矩形框坐標；根據矩形框坐標從電池片圖像中提取卡點位圖像。
12、在一種可能的實施方式中，繞鍍判定單元中的設定范圍為：h通道值170.8±15、s通道值64.2±10、v通道值46.9±10、灰度值25±5。
13、與現有技術相比，本申請具有以下有益效果：通過設定范圍識別卡點位圖像中是否正常，再通過正常的卡點位數量和實際電池片卡點位數量分析電池片是否存在繞鍍，相較于傳統的純視覺檢測，更準確、更迅速；通過提取hsv通道值配合灰度值進行卡點位繞鍍判斷，hsv顏色空間不僅可以識別邊緣膜色變化，還可以識別色調、飽和度變化，增強繞鍍識別的準確性，相較于rgb顏色空間識別，錯誤率更低。
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1.一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別方法，其特征在于，所述設定范圍，通過如下步驟得到：
3.根據權利要求1所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別方法，其特征在于，將所述卡點位圖像HSV通道值和灰度值與設定范圍比較，確定是否存在卡點位，將卡點位個數與電池片實際卡點位個數比較，確定電池片是否存在繞鍍，包括：
4.根據權利要求1所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別方法，其特征在于，從所述電池片圖像中提取所有卡點位圖像，包括：
5.根據權利要求1所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別方法，其特征在于，所述設定范圍為：H通道值170.8±15、S通道值64.2±10、V通道值46.9±10、灰度值25±5。
6.一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別系統，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別系統，其特征在于，所述繞鍍判定單元，包括：設定范圍提取單元，用于獲取標準
8.根據權利要求6所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別系統，其特征在于，所述繞鍍判定單元，具體用于將所述卡點位圖像HSV通道值和灰度值與設定范圍比較，當卡點位圖像HSV通道值和灰度值均在設定范圍內時，確定存在卡點位，標識為1，反之標識為0；統計同一電池片圖像上的所有卡點圖像的標識和，當標識和等于電池片實際卡點位個數時判定為合格，反之判定為不合格。
9.根據權利要求6所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別系統，其特征在于，所述卡點位提取單元，具體用于基于AOI軟件從所述電池片圖像中提取電池片坐標數據；基于所述電池片坐標數據提取以卡點位為中心的矩形框坐標；根據所述矩形框坐標從所述電池片圖像中提取卡點位圖像。
10.根據權利要求6所述的一種基于HSV模型的PECVD繞鍍識別系統，其特征在于，所述繞鍍判定單元中的設定范圍為：H通道值170.8±15、S通道值64.2±10、V通道值46.9±10、灰度值25±5。
...【技術特征摘要】
1.一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，其特征在于，所述設定范圍，通過如下步驟得到：
3.根據權利要求1所述的一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，其特征在于，將所述卡點位圖像hsv通道值和灰度值與設定范圍比較，確定是否存在卡點位，將卡點位個數與電池片實際卡點位個數比較，確定電池片是否存在繞鍍，包括：
4.根據權利要求1所述的一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，其特征在于，從所述電池片圖像中提取所有卡點位圖像，包括：
5.根據權利要求1所述的一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別方法，其特征在于，所述設定范圍為：h通道值170.8±15、s通道值64.2±10、v通道值46.9±10、灰度值25±5。
6.一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別系統，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的一種基于hsv模型的pecvd繞鍍識別系統，其特征在于，所述繞鍍判定單元，包括：設定范圍提取單元，用于獲取標準模式ccd相機采集的膜厚在正常上限、膜厚在正常下限、模組在正常中值的電池片圖像...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張兵，劉大偉，夏中高，王濤，劉冰，陳李勝，薛金山，
申請(專利權)人：綿陽炘皓新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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