【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體清洗檢測領域，具體涉及一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法。
技術介紹
1、硅片的生產對于表面處理和封裝對于硅片的原材料純度和表面潔凈度要求很高。目前對于硅片的標準主要集中在金屬雜質、陰陽離子、顆粒、有機揮發物等方面。對于揮發性有機物，常規檢測方法是使用熱脫附-氣相色譜質譜聯用，預處理方法分為兩種，一種是使用艙體將硅片整片放入艙體，然后根據需要加熱溫度到最高400c；另一種是將硅片打碎成合適尺寸，然后放進專門的微艙中進行加熱處理。前者的優點在于不破壞硅片本身，但是使用的腔體加熱設備，目前國內沒有直接售賣，國際目前使用的設備僅檢測硅片朝上面的voc，無法根據需求選擇檢測硅片整片或單面；后者的優點在于有現成可加熱到200度的腔體加熱設備，但是無法達到400度，因此會丟失部分高沸點物質，同時該方法為破壞性方法，不適合全檢。
技術實現思路
1、針對現有技術存在的問題，本專利技術提供一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，已解決上述至少一個技術問題。
2、本專利技術的技術方案是：一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
3、步驟一，使用硅片筆將硅片吸取然后轉移至樣品加熱盤中，蓋上上加熱盤；
4、步驟二，加熱盤組放進加熱套組后通氮氣，然后進行升溫加熱；
5、步驟三，在加熱過程中，使用tenax吸附管對流出的氮氣進行采樣，揮發性有機物voc隨著氮氣可以被tenax吸附管收集；
6、步驟四，在完成
7、本專利技術可以根據需求選擇檢測硅片單面或雙面的voc釋出，有效檢測硅片表面的voc高溫釋出，基于客戶實際需求，可以檢測單面或雙面的voc釋放量信息，為硅片在工業生產中的表處和清洗提供信息，外置式加熱設備，可以配合不同加熱盤使用，降低成本，外連吸附管采樣，可以依據需求進行自動化采樣處理。
8、進一步優選，所述氮氣速率設定在100-500ml/min。從而可以平穩的使有機物平穩的釋放，檢測率更準確。
9、進一步優選，所述氮氣分別朝向樣品加熱盤的上加熱盤和下加熱盤。可以正反兩面一起析出揮發性有機物。
10、進一步優選，所述樣品加熱盤是石英制成的加熱盤，且加熱盤呈螺紋狀。石英制作，本身v0c釋出可忽略不計；盤內螺紋不僅適合不同尺寸的硅片還適合檢測硅片的單面或雙面voc釋出。
11、進一步優選，步驟二以1℃/min的速率進行加熱直至400℃并保持1小時。
12、從而可以使揮發性有機物慢慢析出。
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1.一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：所述氮氣速率設定在100-500mL/min。
3.根據權利要求2所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：所述氮氣分別朝向樣品加熱盤的上加熱盤和下加熱盤。
4.根據權利要求1所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：所述樣品加熱盤是石英制成的加熱盤，且加熱盤呈螺紋狀。
5.根據權利要求1所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：步驟二以1℃/min的速率進行加熱直至400℃并保持1小時。
【技術特征摘要】
1.一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：所述氮氣速率設定在100-500ml/min。
3.根據權利要求2所述的一種硅片上揮發性有機物的采樣檢測方法，其特征在于：所述氮氣分別朝向樣品加熱...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王羚，賀賢漢，
申請(專利權)人：上海富樂德智能科技發展有限公司，
類型：發明
國別省市：
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