【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電解銅箔加工，特別涉及一種附載體超薄銅箔的制備方法及附載體超薄銅箔。
技術介紹
1、隨著世界電子電路行業技術迅速發展，元器件的片式化和集成化應用日益廣泛，電子產品將持續向集成化、自動化、小型化、輕量化、低能耗等方向發展，未來多層板、剛撓結合板、hdi板、ic載板等高端pcb產品的需求量將日益顯著增長。下游技術變化趨勢將推動電子電路銅箔產品的發展和產業技術升級。
2、附載體超薄銅箔最早主要應用領域是ic封裝載板，自2017年以來，采用改進型半加成法制造智能手機主板，由于半加成法工藝制造中要采用附載體超薄銅箔，使得附載體超薄銅箔需求量增大。在實際生產中，載體箔在預壓加工前需要與超薄銅箔保持一定的、均勻的接合力，而經過高溫壓合加工后，載體箔要很容易與覆銅箔的固化成型基板材料剝離。在有關研究文獻中指出：載體銅箔生產和使用的關鍵問題是解決載體箔和超薄銅箔的剝離問題，保證他們之間具有適當的剝離強度，當剝離層在載體箔表面上不均勻時，載體箔和超薄銅箔之間的黏合強度會不穩定，黏合強度太低會導致二者過早分離而不能使用；而當黏結強度太強，超薄銅箔難以從載體箔上剝離也不能使用，因此剝離層是評價載體銅箔適用性非常重要的一環，它的制備至關重要。
技術實現思路
1、為了解決現有技術中存在的上述技術問題，本專利技術提供了一種附載體超薄銅箔的制備方法及附載體超薄銅箔。
2、本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下：
3、本專利技術的第一方面在于提供一種附載體超薄銅箔
4、(1)對載體銅箔進行預處理；
5、(2)將預處理后的載體銅箔浸入剝離層處理溶液中，進行一次電沉積制備鉻碳鋁合金剝離層，得到帶合金剝離層的載體銅箔；
6、(3)將帶合金剝離層的載體銅箔浸入電鍍銅溶液中，進行二次電沉積，得到附載體超薄銅箔。
7、本專利技術的有益效果在于：本專利技術提供的附載體超薄銅箔的制備方法，可制得基于鉻碳鋁合金剝離層的超薄銅箔，該鉻碳鋁合金層晶粒細膩，界面純凈，在高溫下可避免和銅箔之間引起擴散，使得剝離層的剝離力適中，易于超薄銅箔的穩定均勻的分離。
8、在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以作出如下技術改進：
9、進一步，步驟(1)中，所述預處理為將載體銅箔置于硫酸和雙氧水的混合水溶液中浸泡，浸泡時間為15-60秒。
10、進一步，所述硫酸和雙氧水的混合水溶液中，硫酸與水的體積比為10-15％，雙氧水與水的體積比為2％-5％。
11、采用上述進一步技術方案的有益效果在于：充分去除載體銅箔表面的氧化物和油污，便于后續的電沉積工藝。
12、進一步，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液包括以下質量濃度的各組分：六水合鉻離子0.3-0.6mol/l，草酸二水合物0.19-0.31mol/l，酒石酸0.11-0.2mol/l，硫酸鋁0.11-0.2mol/l，琥珀酸0.1-0.2mol/l。
13、進一步，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液以純水作為溶劑，所述剝離層處理溶液的ph為1-2。
14、進一步，步驟(2)中，所述一次電沉積的溫度為30-40℃，電流密度為20-25a/dm2，一次電沉積時間為5-10秒。
15、采用上述進一步技術方案的有益效果在于：步驟(2)中，將載體箔作為電鍍陰極，置入剝離層處理溶液中進行電鍍得到剝離層。
16、進一步，步驟(3)中，所述電鍍銅溶液包括以下質量濃度的各組分：銅離子70-100g/l，硫酸90-110g/l，氯化物5-10ppm，明膠2-10ppm。
17、進一步，步驟(3)中，所述二次電沉積的電流密度為35-50a/dm2，溫度為40-60℃，時間為100-150秒。
18、進一步，所述明膠的分子量為50000-100000。
19、采用上述進一步技術方案的有益效果在于：步驟(3)中，將步驟(2)中帶有剝離層的載體箔作為電鍍陰極浸入電鍍銅溶液中，電沉積超薄銅箔。
20、本專利技術的另一方面在于提供一種附載體超薄銅箔，采用上述制備方法制備得到。
21、與現有技術相比，本專利技術具有如下技術效果：
22、采用本專利技術提供的附載體超薄銅箔的制備方法，一步即可得到合金剝離層，制作方法簡單，得到的附載體超薄銅箔經過高溫壓合能穩定均勻的剝離下來。
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1.一種附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述預處理為將載體銅箔置于硫酸和雙氧水的混合水溶液中浸泡，浸泡時間為15-60秒。
3.根據權利要求2所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的混合水溶液中，硫酸與水的體積比為10-15％，雙氧水與水的體積比為2％-5％。
4.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液包括以下質量濃度的各組分：六水合鉻離子0.3-0.6mol/L，草酸二水合物0.19-0.31mol/L，酒石酸0.11-0.2mol/L，硫酸鋁0.11-0.2mol/L，琥珀酸0.1-0.2mol/L。
5.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液以純水作為溶劑，所述剝離層處理溶液的pH為1-2。
6.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述一次電沉積的溫度為30-
7.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述電鍍銅溶液包括以下質量濃度的各組分：銅離子70-100g/L，硫酸90-110g/L，氯化物5-10ppm，明膠2-10ppm。
8.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述二次電沉積的電流密度為35-50A/dm2，溫度為40-60℃，時間為100-150秒。
9.根據權利要求7所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，所述明膠的分子量為50000-100000。
10.一種附載體超薄銅箔，其特征在于，采用權利要求1-9中任一項所述的制備方法制備得到。
...【技術特征摘要】
1.一種附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述預處理為將載體銅箔置于硫酸和雙氧水的混合水溶液中浸泡，浸泡時間為15-60秒。
3.根據權利要求2所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的混合水溶液中，硫酸與水的體積比為10-15％，雙氧水與水的體積比為2％-5％。
4.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液包括以下質量濃度的各組分：六水合鉻離子0.3-0.6mol/l，草酸二水合物0.19-0.31mol/l，酒石酸0.11-0.2mol/l，硫酸鋁0.11-0.2mol/l，琥珀酸0.1-0.2mol/l。
5.根據權利要求1所述的附載體超薄銅箔的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述剝離層處理溶液以純水作為溶劑，所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王其伶，王學江，孫云飛，張艷衛，劉銘，張嵩巖，徐媛亭，陳萌，
申請(專利權)人：山東金寶電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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