【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及功率放大器，具體地，涉及一種提高gan功率放大器線性度的電路結構。
技術介紹
1、在現有的gan功率放大器設計中，為了提高線性度，通常采用以下幾種技術方案：1.增益擴展技術：通過對放大器增益特性進行擴展，以減少非線性失真；2.前饋校正技術：利用前饋信號來補償主信號的非線性失真；3.預失真技術：在輸入信號上預先加入反向非線性失真，以在輸出信號中抵消放大器的非線性失真。但是上述三種方案都存在著各自的問題，例如：增益擴展技術在高頻應用中效果有限，難以在寬帶情況下實現良好的線性度提升；前饋校正技術復雜，設計難度大，成本高；預失真技術在高功率應用中效果不穩定。
2、因此，提供一種在使用過程中可以解決現有技術中存在的線性度提升效果有限、設計復雜度高、成本高及高功率應用中效果不穩定等問題，以實現更穩定、更高效的線性度提升的提高gan功率放大器線性度的電路結構是本專利技術亟需解決的問題。
技術實現思路
1、針對上述技術問題，本專利技術的目的是克服現有技術中的功率放大器存在的線性度提升效果有限、設計復雜度高、成本高及高功率應用中效果不穩定等問題，從而提供一種在使用過程中可以實現更穩定、更高效的線性度提升的提高gan功率放大器線性度的電路結構。
2、為了實現上述目的，本專利技術提供了一種提高gan功率放大器線性度的電路結構，所述電路結構包括：有源偏置電路和預失真線性化電路；其中，
3、所述有源偏置電路的輸出端與功率放大器電路的偏置信號輸入端相連，以用于
4、優選地，所述有源偏置電路包括：第一雙極型晶體管m1、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻以及第三電阻；
5、所述第二雙極型晶體管的基極作為輸入端，其集電極接供電電壓，其發射極與所述第三電阻的一端相連，所述第三電阻的另一端作為有源偏置電路的輸出端，二極管接法的第一雙極型晶體管的發射極接地，其集電極一方面與第二雙極型晶體管的基極相連，另一方面還與第一電阻的一端相連，該第一電阻的另一端接供電電壓，所述第一雙極型晶體管的基極與第二電阻的一端相連，該第二電阻的另一端與第二雙極型晶體管的發射極相連。
6、優選地，所述預失真線性化電路包括：并聯的二極管以及第一電容，其中，
7、所述二極管的陽極與第一電容的一端連接后作為預失真線性化電路的輸入端，并且與有源偏置電路的輸出端相連，所述二極管的陰極與第一電容的另一端連接后接地。
8、優選地，所述二極管為肖特基二極管。
9、根據上述技術方案，本專利技術提供的提高gan功率放大器線性度的電路結構在使用時的有益效果為：本專利技術首次將有源偏置技術和預失真技術綜合考慮，提出一種新型的提高功率放大器的線性度的電路結構，在此種結構中，利用有源偏置電路處理電源電壓的電壓波動對有源偏置電路輸出偏置電壓的影響，此結構亦可摒除輸入信號的電壓波動對功率放大器的影響，同時為射頻放大器電路提供偏置電壓，從而有效提高射頻放大器的線性度指標，而且預失真線性化電路也可以提高功率放大器線性度指標。相比傳統的增益擴展技術，本專利技術在寬帶和高頻應用中均能實現顯著的線性度提升，并且設計復雜度低，相比前饋校正技術，本專利技術的電路結構相對簡單，降低了設計難度和成本，適用于高功率應用，通過動態調整偏置電壓，本專利技術在高功率條件下能保持穩定的線性度提升效果。
10、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明；而且本專利技術中未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現。
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1.一種提高GaN功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述電路結構包括：有源偏置電路和預失真線性化電路；其中，
2.根據權利要求1所述的提高GaN功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述有源偏置電路包括：第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻以及第三電阻；
3.根據權利要求1所述的提高GaN功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述預失真線性化電路包括：并聯的二極管以及第一電容，其中，
4.根據權利要求3所述的提高GaN功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述二極管為肖特基二極管。
【技術特征摘要】
1.一種提高gan功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述電路結構包括：有源偏置電路和預失真線性化電路；其中，
2.根據權利要求1所述的提高gan功率放大器線性度的電路結構，其特征在于，所述有源偏置電路包括：第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱良凡，曹振玲，汪琨，鄭君，禹克軒，劉煜文，儲其麗，
申請(專利權)人：安徽華東光電技術研究所有限公司，
類型：發明
國別省市：
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