【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于無損檢測領域，具體涉及一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置。
技術介紹
1、隨著電子技術和計算機技術的快速發展，超聲相控陣技術逐漸應用于工業無損檢測，特別是在火電、核工業及航空工業等領域，如火電廠再熱器穿頂棚密封焊縫檢測，該處密封結構復雜、管排密集，無法采用射線和常規超聲檢測，使用相控陣超聲檢測技術，可以檢出裂紋缺陷。但目前相控陣體積及重量較大，例如目前某公司生產的行業領先的全集成16通道相控陣超聲檢測設備的尺寸(高×寬×深)為221×271×120?毫米（8.7×10.6×4.7英寸），重量為（含一塊電池）4.54?公斤（10.0?磅），對于技術人員來說，在一些工況較差環境下使用極為不便。
2、超聲相控陣是超聲探頭晶片的組合，由多個壓電晶片按一定的規律分布排列，然后逐次按預先規定的延遲時間激發各個晶片，所有晶片發射的超聲波形成一個整體波陣面。超聲相控陣檢測技術使用不同形狀的多陣元換能器產生和接收超聲波束，通過控制換能器陣列中各陣元發射脈沖的不同延遲時間，改變聲波到達（或來自）物體內某點時的相位關系，實現超聲波的波束掃描、偏轉和聚焦。然后采用機械掃描和電子掃描相結合的方法來實現圖像成像。通常使用的是一維線形陣列探頭，壓電晶片呈直線狀排列，聚焦聲場為片狀，能夠得到含缺陷的二維圖像，這類二維圖像構成并不復雜，目前使用憶阻器的集成電路來識別和處理這類二維圖像并不難實現。
3、憶阻器陣列具有非易失記憶特性、高速低功耗、結構簡單、多級存儲、易高度集成等諸多優勢，在新一代高密度非易失性存儲器、類腦人工智能、
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，該法制得的相控陣探頭裝置自帶存儲功能，同時具有一定的圖像處理能力，能有效降低主機重量，提升超聲相控陣技術的應用范圍。
2、本專利技術的目的是通過以下技術方案實現的：
3、一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，包括外殼、設置在外殼上的多導體同軸線纜及封裝在外殼內從下到上依次設置的對應匹配層、壓電復合材料晶片及憶阻器存算單元串聯電路板；所述憶阻器存算單元串聯電路板中的憶阻器存算單元呈三明治結構，其包括下部的金屬鍍層、中部的介電層及上部的金屬鍍層陣列，上部的金屬鍍層陣列與多導體同軸線纜相連接。
4、進一步的，所述憶阻器存算單元串聯電路板中，下部的金屬鍍層采用au、pt或cu中的一種，金屬鍍層的尺寸需覆蓋壓電復合材料晶片中的所有晶片，以保證金屬鍍層處電流能傳遞至每個壓電復合材料晶片，金屬鍍層與壓電復合材料晶片的結合方式采用物理氣相沉積。
5、進一步的，所述憶阻器存算單元串聯電路板中，介電層采用寬禁帶金屬氧化物材料，介電層與金屬鍍層的結合方式包括但不限于物理氣相沉積、化學氣相沉積。
6、進一步的，所述憶阻器存算單元串聯電路板中，金屬鍍層陣列采用au、pt、ag、al或cu中的一種，金屬鍍層陣列的厚度為50nm~10um，金屬導體陣列與介電層的結合方式包括但不限于物理氣相沉積，金屬導體陣列采用光刻膠刻蝕制備或使用金屬掩模板制備。
7、進一步的，所述憶阻器存算單元串聯電路板中，金屬鍍層陣列的陣列類型包括但不限于線陣列、二維矩形陣列及圓形陣列。
8、進一步的，所述金屬鍍層陣列中，單個陣列的尺寸范圍為10um～1mm×10um～1mm。
9、進一步的，金屬鍍層陣列與多導體同軸線纜中的導線相連接，連接的方式包括但不限于焊接。
10、進一步的，所述外殼的內側設置有內側套筒，外殼的內部空間中填充設置有背襯底。
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1.一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，包括外殼（1）、設置在外殼（1）上的多導體同軸線纜（7）及封裝在外殼（1）內從下到上依次設置的對應匹配層（6）、壓電復合材料晶片（5）及憶阻器存算單元串聯電路板（4）；所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中的憶阻器存算單元呈三明治結構，其包括下部的金屬鍍層（41）、中部的介電層（42）及上部的金屬鍍層陣列（43），上部的金屬鍍層陣列（43）與多導體同軸線纜（7）相連接。
2.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，下部的金屬鍍層（41）采用Au、Pt或Cu中的一種，金屬鍍層（41）的尺寸需覆蓋壓電復合材料晶片（5）中的所有晶片，以保證金屬鍍層（41）處電流能傳遞至每個壓電復合材料晶片（5），金屬鍍層（41）與壓電復合材料晶片（5）的結合方式采用物理氣相沉積。
3.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，介電層（22）采用寬禁帶金屬氧化物材料，介電層（22）與金屬鍍層（41）的結合方式
4.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，金屬鍍層陣列（43）采用Au、Pt、Ag、Al或Cu中的一種，金屬鍍層陣列（43）的厚度為50nm~10um，金屬導體陣列（53）與介電層（52）的結合方式包括但不限于物理氣相沉積，金屬導體陣列（53）采用光刻膠刻蝕制備或使用金屬掩模板制備。
5.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，金屬鍍層陣列（43）的陣列類型包括但不限于線陣列、二維矩形陣列及圓形陣列。
6.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述金屬鍍層陣列（43）中，單個陣列的尺寸范圍為10um～1mm×10um～1mm。
7.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，金屬鍍層陣列（43）上方的與多導體同軸線纜（7）中的導線相連接，連接的方式包括但不限于焊接。
8.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述外殼（1）的內側設置有內側套筒（3），外殼（1）的內部空間中填充設置有背襯底（2）。
...【技術特征摘要】
1.一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，包括外殼（1）、設置在外殼（1）上的多導體同軸線纜（7）及封裝在外殼（1）內從下到上依次設置的對應匹配層（6）、壓電復合材料晶片（5）及憶阻器存算單元串聯電路板（4）；所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中的憶阻器存算單元呈三明治結構，其包括下部的金屬鍍層（41）、中部的介電層（42）及上部的金屬鍍層陣列（43），上部的金屬鍍層陣列（43）與多導體同軸線纜（7）相連接。
2.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，下部的金屬鍍層（41）采用au、pt或cu中的一種，金屬鍍層（41）的尺寸需覆蓋壓電復合材料晶片（5）中的所有晶片，以保證金屬鍍層（41）處電流能傳遞至每個壓電復合材料晶片（5），金屬鍍層（41）與壓電復合材料晶片（5）的結合方式采用物理氣相沉積。
3.根據權利要求1所述的一種自帶存儲功能的相控陣探頭裝置，其特征在于，所述憶阻器存算單元串聯電路板（4）中，介電層（22）采用寬禁帶金屬氧化物材料，介電層（22）與金屬鍍層（41）的結合方式包括但不限于物理氣相沉積、化學氣相沉積。
4.根據...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳曉平，李望，趙寧寧，樓玉民，趙煒煒，鮑聽，周梵，崔益民，黃一君，汪博，彭忠岳，
申請(專利權)人：浙江浙能技術研究院有限公司，
類型：發明
國別省市：
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