【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及散熱銅管，具體為一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管。
技術(shù)介紹
1、目前筆記本，臺式機(jī)、電視、美容儀等產(chǎn)品的芯片、板卡等發(fā)熱器的主要散熱方式是利用相變冷媒進(jìn)行散熱，例如泵驅(qū)兩相流試用的冷媒，將冷媒作為散熱介質(zhì)不夠環(huán)保，例如氟氯碳化物這種冷媒會破壞臭氧層，同時冷媒的使用成本更高，且散熱效率有限。
2、因此需要提供一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，使通過納米多孔膜所形成的薄膜沸騰可以提升液-氣轉(zhuǎn)化效率，提升散熱銅管的散熱能力，其相對于冷媒散熱更加環(huán)保，散熱成本更低且散熱效率更高,能夠應(yīng)用于包含idc產(chǎn)品(服務(wù)器、存儲、交換機(jī)、路由等)、醫(yī)療設(shè)備、通訊設(shè)備及工控機(jī)類(vpx、cpc?i、atca等機(jī)型)的芯片、板卡等發(fā)熱器件散熱部位，基于此，本申請?zhí)岢隽艘环N獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、(一)解決的技術(shù)問題
2、針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提供了一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，具備能夠代替相變冷媒進(jìn)行散熱等優(yōu)點(diǎn)，解決了相變冷媒散熱效率較低、使用成本較高和不夠環(huán)保的問題。
3、(二)技術(shù)方案
4、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，所述裝置為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)(1)，其間隙為1mm以內(nèi)，所述裝置的內(nèi)受熱側(cè)側(cè)壁上附著有納米薄膜(2),所述裝置內(nèi)部的中空結(jié)構(gòu)(1)為真空。。
5、優(yōu)選的，所述納米薄膜(2)采用納米金屬材料，所述納米金屬材料是形成納米晶粒的
6、優(yōu)選的，所述納米晶粒具有晶界比例，所述晶界比例為3％～50％。。
7、優(yōu)選的，所述納米晶粒的粒徑直徑在2nm～5nm，所述納米晶粒顆粒表面能與總能量之比為0.8％～14％。
8、優(yōu)選的，所述納米晶粒表面原子的比例為40％～80％，所述納米薄膜(2)的厚度小于等于100um。
9、優(yōu)選的，所述納米金屬材料包括納米鋁粉和1.8％c的鋼，所述納米金屬材料的制備方法包括惰性氣體蒸發(fā)、原位加壓法、高能球磨法和非晶晶化法。
10、優(yōu)選的，所述納米薄膜(2)通過點(diǎn)焊接附著到中空結(jié)構(gòu)(1)的內(nèi)側(cè)壁，再通過燒結(jié)或者擴(kuò)散焊接工藝將所述納米薄膜(2)完全附著在所述中空結(jié)構(gòu)(1)的內(nèi)側(cè)壁。
11、優(yōu)選的，所述納米薄膜(2)的孔隙率為45～50％，平均孔徑240nm，直孔長度為60μm。
12、(三)有益效果
13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供了一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，具備以下有益效果：
14、該獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，通過在中空結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)壁上附著納米薄膜，使得通過納米多孔膜所形成的薄膜沸騰不再有流動失穩(wěn)情況的顧慮，使中空結(jié)構(gòu)的傳熱能力顯著提升；使用了納米多孔氧化鋁膜作為加熱表面，液體流過膜上的納米孔后形成薄液膜并被加熱汽化，這種沿多孔膜表面法向方向的供液方式消除了液體流動阻力對臨界熱流密度的限制，可以應(yīng)用于大面積高熱流密度沸騰傳熱。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于:所述裝置為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)(1)，其間隙為1mm以內(nèi)，所述裝置的內(nèi)受熱側(cè)側(cè)壁上附著有納米薄膜(2),所述裝置內(nèi)部的中空結(jié)構(gòu)(1)為真空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米薄膜(2)采用納米金屬材料，所述納米金屬材料是形成納米晶粒的金屬與合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米晶粒具有晶界比例，所述晶界比例為3％～50％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米晶粒的粒徑直徑在2nm～5nm，所述納米晶粒顆粒表面能與總能量之比為0.8％～14％。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米晶粒表面原子的比例為40％～80％，所述納米薄膜(2)的厚度小于等于100um。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米金屬材料包括納米鋁粉和1.8％C的鋼，所述納米金屬材料的
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米薄膜(2)通過點(diǎn)焊接附著到中空結(jié)構(gòu)(1)的內(nèi)側(cè)壁，再通過燒結(jié)或者擴(kuò)散焊接工藝將所述納米薄膜(2)完全附著在所述中空結(jié)構(gòu)(1)的內(nèi)側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米薄膜(2)的孔隙率為45～50％，平均孔徑240nm，直孔長度為60μm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于:所述裝置為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu)(1)，其間隙為1mm以內(nèi)，所述裝置的內(nèi)受熱側(cè)側(cè)壁上附著有納米薄膜(2),所述裝置內(nèi)部的中空結(jié)構(gòu)(1)為真空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米薄膜(2)采用納米金屬材料，所述納米金屬材料是形成納米晶粒的金屬與合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米晶粒具有晶界比例，所述晶界比例為3％～50％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的納米結(jié)構(gòu)散熱銅管，其特征在于：所述納米晶粒的粒徑直徑在2nm～5nm，所述納米晶粒顆粒表面能與總能量之比為0.8％～14％。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種獲取薄膜蒸發(fā)的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：潘建鋒，李健，張環(huán)，
申請(專利權(quán))人：江蘇海鋆自動化技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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