【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請主要涉及光伏，尤其涉及一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池。
技術(shù)介紹
1、叉指型背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽電池（interdigitated?back?contact?siliconheterojunction?solar?cell,?hbc）兼具叉指型背接觸太陽電池和帶有薄本征層的異質(zhì)結(jié)太陽電池的優(yōu)點。叉指型背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽電池具有氮化硅膜層，在電池生產(chǎn)過程中，堿性溶液會刻蝕氮化硅層，進而導致氮化硅層產(chǎn)生缺陷，缺陷會惡化電池對光線的利用率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請要解決的技術(shù)問題是提供一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池，該太陽能電池的制備方法和太陽能電池能夠修復氮化層上的凹陷和孔洞，從而避免惡化太陽能電池對光線的利用率。
2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池的制備方法，包括：提供硅襯底，所述硅襯底具有相對的正面和背面；在所述正面一側(cè)沉積第一介質(zhì)層；在所述背面一側(cè)形成交替分布的p區(qū)和n區(qū)，形成交替分布的p區(qū)和n區(qū)包括使用堿性溶液進行刻蝕的步驟，所述堿性溶液刻蝕所述第一介質(zhì)層，并在所述第一介質(zhì)層背離所述硅襯底的表面形成凹陷和/或微孔；以及在所述第一介質(zhì)層背離所述硅襯底的表面上沉積第二介質(zhì)層，沉積所述第二介質(zhì)層的溫度低于沉積所述第一介質(zhì)層的溫度。
3、在本申請一實施例中，使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第二介質(zhì)層的時長小于使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第一介質(zhì)層的時長。
4、在本申請一實施例中，制備方法還包括：在所述硅襯
5、在本申請一實施例中，所述第三介質(zhì)層的厚度為5nm~15nm，折射率為2.2~2.3，所述第一介質(zhì)層的厚度為10nm~30nm，折射率為1.9~2.1，所述第二介質(zhì)層的厚度為30nm~60nm，折射率為1.6~1.8。
6、在本申請一實施例中，所述p區(qū)包括層疊的本征非晶硅和摻雜非晶硅，所述n區(qū)包括層疊的隧穿氧化層和摻雜多晶硅，或所述p區(qū)包括層疊的隧穿氧化層和摻雜多晶硅，所述n區(qū)包括層疊的本征非晶硅和摻雜非晶硅。
7、在本申請一實施例中，在沉積所述第一介質(zhì)層之前，對所述硅襯底進行制絨處理和拋光處理，以形成具有金字塔結(jié)構(gòu)的正面和具有拋光面的背面。
8、在本申請一實施例中，對所述硅襯底進行雙面拋光處理，先形成所述n區(qū)，再形成所述p區(qū)，在形成所述n區(qū)之后且在形成所述p區(qū)之前，對正面進行制絨處理，以形成具有金字塔結(jié)構(gòu)的正面，其中，所述n區(qū)包括層疊的隧穿氧化層和摻雜多晶硅。
9、本申請另一方面還提出一種太陽能電池，包括，硅襯底，具有相對的正面和背面；第一介質(zhì)層，位于所述正面一側(cè)；p區(qū)和n區(qū)，交替分布在所述背面一側(cè)，所述第一介質(zhì)層背離所述硅襯底的表面具有凹陷和/或微孔；以及第二介質(zhì)層，位于所述第一介質(zhì)層背離所述硅襯底的表面上。
10、在本申請一實施例中，所述第二介質(zhì)層填充所述凹陷和/或所述微孔。
11、在本申請一實施例中，使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第二介質(zhì)層的時長小于使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第一介質(zhì)層的時長。
12、在本申請一實施例中，太陽能電池還包括第三介質(zhì)層，位于所述硅襯底與所述第一介質(zhì)層之間，所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層包括氮化硅，所述第二介質(zhì)層包括氮氧化硅，沉積所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層的溫度為400℃~550℃，沉積所述第二介質(zhì)層的溫度為160℃~220℃。
13、在本申請一實施例中，所述第三介質(zhì)層的厚度為5nm~15nm，折射率為2.2~2.3，所述第一介質(zhì)層的厚度為10nm~30nm，折射率為1.9~2.1，所述第二介質(zhì)層的厚度為30nm~60nm，折射率為1.6~1.8。
14、在本申請一實施例中，所述p區(qū)包括層疊的本征非晶硅和摻雜非晶硅，所述n區(qū)包括層疊的隧穿氧化層和摻雜多晶硅，或所述p區(qū)包括層疊的隧穿氧化層和摻雜多晶硅，所述n區(qū)包括層疊的本征非晶硅和摻雜非晶硅。
15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請具有以下優(yōu)點：本申請以較高的溫度沉積第一介質(zhì)層，可以提高第一介質(zhì)層的鈍化效果和減反射效果，同時以較低的溫度沉積第二介質(zhì)層修復第一介質(zhì)層上的缺陷，從而避免惡化太陽能電池對光線的利用率。
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1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第二介質(zhì)層的時長小于使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第一介質(zhì)層的時長。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：在所述硅襯底與所述第二介質(zhì)層之間形成第三介質(zhì)層，其中，所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層包括氮化硅，所述第二介質(zhì)層包括氮氧化硅，沉積所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層的溫度為400℃~550℃，沉積所述第二介質(zhì)層的溫度為160℃~220℃。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第三介質(zhì)層的厚度為5nm~15nm，折射率為2.2~2.3，所述第一介質(zhì)層的厚度為10nm~30nm，折射率為1.9~2.1，所述第二介質(zhì)層的厚度為30nm~60nm，折射率為1.6~1.8。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在沉積所述第一介質(zhì)層之前，對所述硅襯底進行制絨處理和拋光處理，以形成具有金字塔結(jié)構(gòu)的正面和具有拋光面的背面。
<...【技術(shù)特征摘要】
1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第二介質(zhì)層的時長小于使用含有氫氟酸的化學溶液去除所述第一介質(zhì)層的時長。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：在所述硅襯底與所述第二介質(zhì)層之間形成第三介質(zhì)層，其中，所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層包括氮化硅，所述第二介質(zhì)層包括氮氧化硅，沉積所述第一介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層的溫度為400℃~550℃，沉積所述第二介質(zhì)層的溫度為160℃~220℃。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第三介質(zhì)層的厚度為5nm~15nm，折射率為2.2~2.3，所述第一介質(zhì)層的厚度為10nm~30nm，折射率為1.9~2.1，所述第二介質(zhì)層的厚度為30nm~60nm，折射率為1.6~1.8。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在沉積所述第一介質(zhì)層之前，對所述硅襯底進行制絨處理和拋光處理，以形成具有金字塔結(jié)構(gòu)的正面和具有拋光面的背面。
7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述硅襯底進行雙面拋光處理，先形成所述n區(qū)，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：霍亭亭，楊廣濤，
申請(專利權(quán))人：天合光能股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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