【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及微電子技術和光電子，更具體地說，特別涉及一種控制run-vent壓強平衡的方法。
技術介紹
1、在金屬有機化合物化學氣相沉積（mocvd）設備中，一般都有一套run-vent切換閥門。為了減少run-vent之間存在壓差，造成切入（或切出）某一路mo源的瞬間，會有其他源切入（或切出）另外的mo源進入run側管路，這會導致在切換mo源時產生不良影響。現有技術通過調整vent側管路的流量來控制壓力差，這導致總流量不穩定，vent側管路的流量的不穩定性可能影響真空泵的抽氣速度和反應室內的壓強，進而影響材料生長的質量。并且由于壓力控制不當，這樣會影響材料生長組分造成發光材料的波長不一致、薄膜厚度不均勻以及重復性差等多種不良影響。
2、“mocvd?設備?run?-?vent”是指?mocvd（金屬有機化學氣相沉積）設備的運行（run）和通風（vent）相關的操作或狀態。
3、mo源?（metalorganic?source）種類繁多，在研究和生產中使用過的mo源超過70多種，?mo源概念已超出金屬有機化合物的范圍，現在mo源的含義應是：凡在mocvd外延技術中作為基本材料使用的金屬或元素有機化合物統稱為mo源，因此mo源在部分外國文獻中常籠統地稱為“mocvd的前體物（precursor）”。
4、而在專利“cn115821228a”中提出一種mocvd設備管路的實時平衡壓差裝置及其使用方法，包括包括反應室匯流排管路和尾氣匯流排管路，在二者上分別設置氣源組件，氣源組件能單一或同時進行供氣
5、于是，有鑒于此，針對現有的結構及缺失予以研究改良，提供一種控制run-vent壓強平衡的方法，以期達到更具有更加實用價值性的目的。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術提供一種控制run-vent壓強平衡的方法，以解決以上的問題。
2、本專利技術一種控制run-vent壓強平衡的方法，由以下具體技術手段所達成：
3、一種控制run-vent壓強平衡的方法，包括run側管路和vent側管路，所述run側管路的一端安裝有run側流量控制器，所述vent側管路的一端安裝有vent側流量控制器，所述run側管路和vent側管路之間安裝有傳感器，所述傳感器電性連接有pid運算器，所述pid運算器電性連接有電動調節閥，所述run側管路和vent側管路中間的之間安裝有多組切換閥門，所述vent側管路遠離vent側流量控制器的一端安裝有緩沖罐，所述run側管路遠離run側流量控制器的一端依次安裝有控壓組件和反應室，所述vent側管路的末端與run側管路的末端與抽氣系統連接，所述切換閥門，配置為對所述裝置的run模式和vent模式進行切換，以允許所述裝置在不同的生產階段使用不同的氣體流，所述切換閥門的數量大于3個；
4、為保持run-vent壓強平衡的措施有以下措施；
5、a：利用傳感器測量run-vent的壓力差，這個壓力差給pid運算器，運算結果控制vent端的電動調節閥，當vent壓力高則加大電動調節閥的開度；當vent壓力低則減少電動調節閥的開度，直到run-vent的壓力差為零為止；
6、a：當vent管路的阻力太大，而run側管路的阻力太小，可以在run一側的下游增加一個控壓組件，以增加run側的阻力；
7、a：為了更好地控制壓差平衡，可以在vent一側的下游增加一個緩沖罐。
8、在一些實施方案中，為了保證run側流量控制器和vent側流量控制器之間的壓力平衡，需要傳感器、pid運算器和調節閥的協同作用來實現。具體地，控制run-vent壓強平衡的方法包括：
9、利用傳感器來測量run側流量控制器端和vent側流量控制器端的壓力差。并且傳感器能夠實時監測run側管路和vent側管路的壓力狀態，傳感器測量得到的壓力差值被傳遞給pid運算器，pid運算器根據壓力差值進行計算，生成控制信號。pid運算器的輸出信號控制vent側管路的調節閥；
10、如果vent側管路的壓力高于run側管路的壓力時，pid運算器會指示調節閥增大開度，從而減少vent側管路的氣體流量，從而降低vent側管路端的壓力。相反，如果vent側管路的壓力低于run側管路的壓力時，調節閥會減小開度，增大vent管道的氣體流量，提高vent側管路端的壓力。本專利技術通過改變vent側管路的阻力而不是直接改變vent側管路的流量來實現壓力平衡，使得不會影響尾氣管道中的流量總量，也不會對真空抽氣泵的抽氣效率和反應室的壓強造成不利影響，并且在保證vent側管路和run側管路之間的壓力平衡的同時，也不會改變尾氣管道中的流量總量，不會對真空抽氣泵的抽氣造成影響，也不會影響到反應室的壓強。
11、在一些實施方案中，傳感器為傳感器，用于測量vent側管路和run側管路之間的壓力差，以控制壓力平衡。
12、根據裝置的不同的功能需求，傳感器可以是不同的類型，例如是溫度傳感器，用于測量和控制反應室內的溫度，確保材料生長所需的精確溫度條件；例如是壓力傳感器。以監測和控制反應室內的壓力，確保在適當的壓力下進行化學氣相沉積；例如是流量傳感器測量進入反應室的氣體流量，以確保氣體的供應與所需生長速率和質量相匹配；例如是氧氣傳感器，以監測反應室內的氧氣濃度，以防止材料氧化；例如是濕度傳感器，以檢測反應室內的濕度水平，因為濕度可能會影響材料的生長質量和設備的性能；例如是光電傳感器，以用于檢測襯底的存在和位置，確保襯底正確放置在生長位置上；例如是氣體成分傳感器，以監測反應室內的氣體成分，確保所需的化學成分比例；例如是光電二極管陣列pda，以用于光譜分析，監測生長過程中材料的光學特性；例如是質量流量控制器mfc，以精確控制氣體的質量流量，對氣體供應進行精確調節；例如是電阻式傳感器，以用于測量電阻率等電氣特性，可能用于監測生長材料的電學性能。
13、在一些實施方案中，該裝置還包括切換閥門，切換閥門是run-vent切換閥門，用于對裝置的run模式和vent模式進行切換，以允許裝置在不同的生產階段使用不同的氣體流。run-vent切換閥門在mocvd設備中切換run運行模式和vent排氣模式的過程通常涉及以下步驟：
14、接收控制信號：run-vent切換閥門通常由控制系統如pid控制器控制，控制系統根據設備內部的壓力傳感器或其他傳感器的讀數來決定何時切換模式；
15、在run模式下，切換閥本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：包括RUN側管路（10）和VENT側管路（11），所述RUN側管路（10）的一端安裝有RUN側流量控制器（1），所述VENT側管路（11）的一端安裝有VENT側流量控制器（2），所述RUN側管路（10）和VENT側管路（11）之間安裝有傳感器（3），所述傳感器（3）電性連接有PID運算器（4），所述PID運算器（4）電性連接有電動調節閥（5），所述RUN側管路（10）和VENT側管路（11）中間的之間安裝有多組切換閥門（6），所述VENT側管路（11）遠離VENT側流量控制器（2）的一端安裝有緩沖罐（8），所述RUN側管路（10）遠離RUN側流量控制器（1）的一端依次安裝有控壓組件（7）和反應室（9），所述VENT側管路（11）的末端與RUN側管路（10）的末端與抽氣系統連接；
2.如權利要求1所述一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：所述PID運算器（4）的計算公式：ΔP＝P1-P2，P1為RUN側管路（10）的壓強，P2為VENT側管路（11）的壓強。
3.如權利要求1所述一種控制R
4.如權利要求3中所述的控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于，所述潤滑組件（12）包括開設于限位環（805）內部的蓄液腔（1201），所述蓄液腔（1201）的下端開設有多個出液孔（1202），所述罐體（801）的內部開設有匚型連接孔（1203），所述密封板（804）上端的內部開設有配合匚型連接孔（1203）使用的第一L型孔（1204），所述第一L型孔（1204）的上端設置有回收環槽（1205），所述密封板（804）下端的內部開設有配合匚型連接孔（1203）使用的第二L型孔（1207），所述第二L型孔（1207）的上端開口處開設有導油環，所述導油環的內部安裝有海綿環（1206），所述第二L型孔（1207）的下端固定設置有連接管（1208），所述限位環（805）的上端開設有配合連接管（1208）使用的通孔（1209），所述限位環（805）上表面開設有配合通孔（1209）使用的環槽。
5.如權利要求1所述一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：所述控壓組件（7）包括與RUN側管路（10）連接的外殼（701），所述外殼（701）內部安裝有進孔和出孔，所述外殼（701）位于出孔處設置有導流腔（702），所述外殼（701）的內部轉動安裝有環形片（706），所述環形片（706）的外壁開設有多個微孔（7061），所述環形片（706）的一側固定安裝有連接板（704），所述連接板（704）的中間位置固定安裝有轉桿，所述轉桿貫穿外殼（701）并與之轉動連接，所述轉桿的另一端固定安裝有轉輪（705），所述轉輪（705）的內部安裝有定位組（703），所述外殼（701）的外壁開設有配合定位組（703）使用的凹槽（7011）。
6.如權利要求5所述一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：所述定位組（703）包括與外殼（701）滑動連接的滑塊（7031），所述滑塊（7031）的一側固定連接有導向桿（7032），所述導向桿（7032）與外殼（701）滑動連接，所述導向桿（7032）的另一端固定安裝有活動板（7034），所述活動板（7034）的另一端安裝有復位彈簧（7035）。
7.如權利要求6所述一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：所述凹槽（7011）截面為三角形，所述滑塊（7031）開設有配合凹槽（7011）使用的倒角，所述凹槽（7011）與滑塊（7031）位置相對應。
8.如權利要求1所述一種控制RUN-VENT壓強平衡的方法，其特征在于：所述切換閥門（6），配置為對所述裝置的RUN模式和VENT模式進行切換，以允許所述裝置在不同的生產階段使用不同的氣體流，所述切換閥門（6）的數量大于3個。
...【技術特征摘要】
1.一種控制run-vent壓強平衡的方法，其特征在于：包括run側管路（10）和vent側管路（11），所述run側管路（10）的一端安裝有run側流量控制器（1），所述vent側管路（11）的一端安裝有vent側流量控制器（2），所述run側管路（10）和vent側管路（11）之間安裝有傳感器（3），所述傳感器（3）電性連接有pid運算器（4），所述pid運算器（4）電性連接有電動調節閥（5），所述run側管路（10）和vent側管路（11）中間的之間安裝有多組切換閥門（6），所述vent側管路（11）遠離vent側流量控制器（2）的一端安裝有緩沖罐（8），所述run側管路（10）遠離run側流量控制器（1）的一端依次安裝有控壓組件（7）和反應室（9），所述vent側管路（11）的末端與run側管路（10）的末端與抽氣系統連接；
2.如權利要求1所述一種控制run-vent壓強平衡的方法，其特征在于：所述pid運算器（4）的計算公式：δp＝p1-p2，p1為run側管路（10）的壓強，p2為vent側管路（11）的壓強。
3.如權利要求1所述一種控制run-vent壓強平衡的方法，其特征在于：所述緩沖罐（8）包括安裝在vent側管路（11）中間位置的罐體（801），所述罐體（801）位于調節閥（5）與切換閥門（6）之間的位置，所述罐體（801）的上端安裝有端蓋（803），所述端蓋（803）的外壁開設有多組氣孔，所述端蓋（803）的下端安裝有過濾板（802），所述罐體（801）的內部安裝有密封板（804），所述密封板（804）的上端粘貼有配重塊（806），所述罐體（801）內部的下端固定設置有限位環（805），所述罐體（801）、密封板（804）和限位環（805）之間設置有潤滑組件（12）。
4.如權利要求3中所述的控制run-vent壓強平衡的方法，其特征在于，所述潤滑組件（12）包括開設于限位環（805）內部的蓄液腔（1201），所述蓄液腔（1201）的下端開設有多個出液孔（1202），所述罐體（801）的內部開設有匚型連接孔（1203），所述密封板（804）上端的內部開設有配合匚型連接孔（1203）使用的第一l型孔（1204），所述第一l型孔（1204...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李銳，羅敏捷，張浩，
申請(專利權)人：蘇州中科重儀半導體材料有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。