【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及氧化鋁陶瓷基板領(lǐng)域，具體涉及一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板及其制備方法及應(yīng)用。
技術(shù)介紹
1、陶瓷基板具有體積小、重量輕、耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介電損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、熱膨脹系數(shù)與元件相近等優(yōu)點(diǎn)，在許多行業(yè)中發(fā)揮著重要作用氧化鋁陶瓷基板是陶瓷基板的一種，氧化鋁陶瓷通過(guò)氧化鋁純度進(jìn)行分類，氧化鋁純度為>99％被稱為剛玉瓷，氧化鋁純度為99％、95％和90％左右被稱為99瓷、95瓷和90瓷，純度越高的陶瓷片其介電常數(shù)越高，介質(zhì)損耗越低，其基板的光潔度越好。
2、然而，目前高純度的氧化鋁陶瓷基板在流延制備的過(guò)程中易產(chǎn)生凹坑，致使表面光潔度難以進(jìn)一步提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提出一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板及其制備方法，旨在解決目前高純度的氧化鋁陶瓷基板在流延制備的過(guò)程中易產(chǎn)生凹坑，致使表面光潔度難以進(jìn)一步提升的問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提出一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，包括以下步驟：
3、將制備原料制漿，得到漿料；
4、將所述漿料流延成型，得到生瓷帶，其中所述流延成型的過(guò)程中采用光學(xué)級(jí)基材膜；所述光學(xué)級(jí)基材膜的材料包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇、三醋酸纖維素中的至少一種；
5、將所述生瓷帶等靜壓后燒結(jié)，得到高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板。
6、可選地，以質(zhì)量百分比計(jì)，所述制備原料包括：氧化鋁粉40％～60％，氧化鈣0
7、可選地，所述氧化鋁粉的粉體純度為99％～99.999％。
8、可選地，所述分散劑包括三油酸甘油酯；和/或，所述增塑劑包括鄰苯二甲酸二辛酯和/或聚乙二醇；和/或，所述粘結(jié)劑包括聚乙烯醇縮丁醛；和/或，所述溶劑包括酯和醇的混合物，所述酯為乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一種，所述醇為乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、正丁醇、異丁醇中的至少一種。
9、可選地，所述分散劑包括三油酸甘油酯；和/或，所述增塑劑包括鄰苯二甲酸二丁酯和/或聚乙二醇；和/或，所述粘結(jié)劑包括聚乙烯醇縮丁醛；和/或，所述溶劑包括酯和醇的混合物，所述酯為乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯中的至少一種，所述醇為乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、正丁醇、異丁醇中的至少一種。
10、可選地，所述光學(xué)級(jí)基材膜的離型力為5g～10g。
11、可選地，所述制漿包括：將氧化鋁粉加至溶劑中，再加入分散劑第一次球磨混合，得到中間產(chǎn)物，向所述中間產(chǎn)物中加入增塑劑和粘結(jié)劑第二次球磨混合，得到漿料。
12、可選地，所述燒結(jié)包括第一段燒結(jié)和第二段燒結(jié)，其中，所述第一段燒結(jié)溫度為由室溫升至400℃～1000℃，所述升溫的速率為0.1℃/min～3℃/min；所述第二段燒結(jié)溫度為由室溫升至1400℃～1750℃，所述升溫的速率為0.1℃/min～4℃/min。
13、可選地，所述第一段燒結(jié)在最高溫度保溫4h～6h；和/或，所述第二段燒結(jié)在最高溫度保溫2h～4h。
14、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提出一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板，由上述的制備方法制備得到。
15、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)還提出一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的應(yīng)用，所述高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板應(yīng)用于電子元器件領(lǐng)域、光電領(lǐng)域或新能源領(lǐng)域。
16、本專利技術(shù)的有益效果：本專利技術(shù)針對(duì)高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法進(jìn)行優(yōu)化，在流延步驟中采用光學(xué)級(jí)基材膜，利用其平整度高、低粗糙度、離型力穩(wěn)定、高殘余、漿料適配性強(qiáng)、高拉伸強(qiáng)度、無(wú)針尖、無(wú)異物點(diǎn)等特點(diǎn)，在陶瓷基板的流延生產(chǎn)過(guò)程中起著流延涂布時(shí)承載陶瓷膜片的作用，使得流延后靠離型膜一面的料片表面光滑無(wú)微坑，燒結(jié)后產(chǎn)品表面光滑。表面光潔度是氧化鋁陶瓷基片的主要性能指標(biāo)之一，應(yīng)用到不同類型的電路對(duì)基片表面光潔度的要求不同，本方案的氧化鋁陶瓷基片表面光滑，粗糙度得到了極大改善，能夠應(yīng)用于當(dāng)電路需要超細(xì)的導(dǎo)體線條等要求較高的使用情境中。
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1.一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)，所述制備原料包括：
3.如權(quán)利要求2所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁粉的粉體純度為99％～99.999％。
4.如權(quán)利要求2所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述分散劑包括三油酸甘油酯；
5.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述光學(xué)級(jí)基材膜的離型力為5g～10g。
6.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述制漿包括：將氧化鋁粉加至溶劑中，再加入分散劑第一次球磨混合，得到中間產(chǎn)物，向所述中間產(chǎn)物中加入增塑劑和粘結(jié)劑第二次球磨混合，得到漿料。
7.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)包括第一段燒結(jié)和第二段燒結(jié)，
8.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在
9.一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板由如權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的制備方法制備得到。
10.一種如權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的應(yīng)用，其特征在于，所述高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板應(yīng)用于電子元器件領(lǐng)域、光電領(lǐng)域或新能源領(lǐng)域。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，以質(zhì)量百分比計(jì)，所述制備原料包括：
3.如權(quán)利要求2所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁粉的粉體純度為99％～99.999％。
4.如權(quán)利要求2所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述分散劑包括三油酸甘油酯；
5.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述光學(xué)級(jí)基材膜的離型力為5g～10g。
6.如權(quán)利要求1所述的高表面光潔度氧化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述制漿包括：將氧化鋁粉加至...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡傳燈，張現(xiàn)利，李珊珊，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣東環(huán)波新材料有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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