【技術實現步驟摘要】
本申請涉及紅外探測器，尤其涉及一種紅外材料cv器件結構及制備方法。
技術介紹
1、經過數十年的發(fā)展，紅外光伏探測技術取得了顯著的進步，向swap(更小的尺寸，更輕的重量和更低的功耗)方向發(fā)展，對紅外光伏探測器的性能提出了新的要求。紅外材料與鈍化層之間的電學性能的改善對提高紅外光伏探測器的性能具有重要意義。改善紅外光伏探測器制備過程中的鈍化工藝，對于減少暗電流，提高紅外光伏探測器性能具有重要意義。
2、目前紅外光伏探測器是基于金屬-絕緣體-半導體(mis)的電容器即光伏探測器。探測器的性能受鈍化層和紅外材料層之間的界面影響。界面的電學狀態(tài)可以通過電容-電壓(cv)來分析，包括固定電荷密度、快和慢界面態(tài)密度以及表面處理和鈍化過程中可能在紅外材料層和鈍化層界面處引入雜質、懸掛鍵、偏離正常化學計量比以及晶體缺陷等。這些結構、化學以及電學缺陷將誘導形成高密度的固定電荷、快界面態(tài)以及慢界面態(tài)，從而產生過剩的器件暗電流和較高的噪聲，并影響器件性能。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種紅外材料cv器件結構及制備方法，用以改善紅外材料層和鈍化層之間的電學性能，減少暗電流，提高紅外光伏探測器的性能。
2、本申請實施例提供一種紅外材料cv器件結構，包括順次設置的基板、接觸電極層、銦柱、柵電極層、鈍化層、紅外材料層和地電極層，其中：
3、所述基板、所述接觸電極層和所述銦柱作為正極引出結構，地電極層作為負極引出結構。
4、可選的，所述基板為絕緣材料制成，所
5、所述接觸電極層、柵電極層和地電極層的厚度為50nm～10um；
6、所述鈍化層為碲化鎘、硫化鋅或氮化硅材料，厚度為100nm～10um；
7、所述紅外材料層，為碲鎘汞、銻化銦或超晶格，厚度為100nm～500um。
8、可選的，所述基板上設置有對準標記，以基于所述對準標記在所述接觸層電極光刻所形成的電極圖案。
9、本申請實施例還提出一種如前述的紅外材料cv器件的制備方法，包括如下步驟：
10、在基板上進行光刻以生長接觸電極層，以及，在紅外材料層的一側生長一層鈍化層；
11、在所述鈍化層表面光刻出所需的圖形；
12、基于光刻后的所述鈍化層，生長一層金屬，作為柵電極層；
13、在所述紅外材料層背面的襯底層，進行光刻；
14、在光刻后的所述紅外材料層的背面生長地電極層；
15、將處理好的器件材料和基板進行倒裝互連；
16、使用內部引線將地電極層的地電極和柵電極層的柵電極接入到測試框架上，再使用外部測試線引出。
17、可選的，在所述鈍化層表面光刻出所需的圖形之后還包括：利用腐蝕液去掉部分鈍化層。
18、可選的，在基板上進行光刻以生長接觸電極層包括：
19、在基板上進行光刻以生長電極，去掉部分金屬，剩余部分金屬作為接觸電極層；
20、在光刻后的所述紅外材料層的背面生長地電極層包括：
21、在光刻后的所述紅外材料層的背面生長一層金屬，去掉部分金屬，剩余部分金屬作為地電極層。
22、本申請實施例的器件結構及制備方法能夠改善紅外材料層和鈍化層之間的電學性能，減少暗電流，提高紅外光伏探測器的性能。
23、上述說明僅是本申請技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
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1.一種紅外材料CV器件結構，其特征在于，包括順次設置的基板、接觸電極層、銦柱、柵電極層、鈍化層、紅外材料層和地電極層，其中：
2.如權利要求1所述的紅外材料CV器件結構，其特征在于，所述基板為絕緣材料制成，所述接觸電極層、柵電極層和地電極層采用鉻、金或鉑材料制成；
3.如權利要求1所述的紅外材料CV器件結構，其特征在于，所述基板上設置有對準標記，以基于所述對準標記在所述接觸層電極光刻所形成的電極圖案。
4.一種如權利要求1-3任一項所述的紅外材料CV器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
5.如權利要求4所述的紅外材料CV器件的制備方法，其特征在于，在所述鈍化層表面光刻出所需的圖形之后還包括：利用腐蝕液去掉部分鈍化層。
6.如權利要求4所述的紅外材料CV器件的制備方法，其特征在于，在基板上進行光刻以生長接觸電極層包括：
【技術特征摘要】
1.一種紅外材料cv器件結構，其特征在于，包括順次設置的基板、接觸電極層、銦柱、柵電極層、鈍化層、紅外材料層和地電極層，其中：
2.如權利要求1所述的紅外材料cv器件結構，其特征在于，所述基板為絕緣材料制成，所述接觸電極層、柵電極層和地電極層采用鉻、金或鉑材料制成；
3.如權利要求1所述的紅外材料cv器件結構，其特征在于，所述基板上設置有對準標記，以基于所述對準標記在所述...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李浩冉，戴永喜，王嬌，馬騰達，米南陽，寧提，王鑫，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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