【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路，具體涉及一種快速瞬態響應ldo電路。
技術介紹
1、在大量soc芯片或模數/數模轉換芯片中，內部都會集成一個ldo電路模塊，為其他數字電路模塊或模擬電路提供一個穩定且低噪聲的工作電源電壓。對于一個高性能的ldo電路，需要具備高穩定性，快速瞬態響應，高電源抑制比等優點。在傳統的ldo電路中，在電壓輸出端口需要連接一個大的片外電容，來提高電路的穩定性，同時片外電容可以在負載電流跳變時提供或儲存額外的輸出電流，從而避免在輸出端產生較大的過沖電壓。由于片外電容ldo電路，不僅需要額外的片外電容開銷，而且對片外電容的esr(等效串聯電阻)有要求，如果片外電容的類型選擇不當，可能導致不穩定，因此目前提出了許多頻率補償方法或者無片外電容的ldo技術。
2、ldo電路的瞬態響應是指當負載電流或供電電壓跳變時，會造成輸出電壓的變化，隨后需要通過自身的負反饋系統使得輸出電壓重新回到穩定值的過程。在瞬態響應中有兩個重要的指標：過沖電壓和恢復時間。如果過沖電壓過大，會影響其他模塊電路的正常工作狀態甚至會使數字模塊的mos擊穿，使得芯片失效，因此提高ldo電路的瞬態響應能力至關重要。
3、ldo電路在應用時可能會出現溫度過高或者電流過大甚至短路的問題，從而對芯片造成不可逆損傷的情況。因此ldo電路還需要增加過溫保護電路以及過流保護電路，其中過溫保護電路可在整個芯片中設計一個溫度傳感器模塊來解決。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本申請提供一種快速瞬態
2、為實現上述目的以及其他目的，本申請提供一種快速瞬態響應ldo電路，所述ldo電路包括：
3、誤差放大器，用于將參考電壓與反饋電壓的差進行放大得到誤差放大電壓；
4、功率調整管，與所述誤差放大器的輸出端連接，通過所述輸出端輸出所述輸出電壓；
5、反饋電路，與所述功率調整管連接，對所述輸出電壓進行分壓處理得到反饋電壓并將所述反饋電壓耦合到所述誤差放大器中；
6、瞬態增強電路，與所述功率調整管連接，在所述輸出電壓發生突變時調整所述功率調整管的柵極電壓以使所述輸出電壓恢復到穩定值。
7、于本專利技術一實施例中，所述誤差放大器包括：
8、第一放大電路，包括第一輸入端和第二輸入端，所述第一輸入端接參考電壓，所述第二輸入端接反饋電壓，第一放大電路用于對所述參考電壓與所述反饋電壓的差進行第一次放大，得到第一放大電壓；
9、第二放大電路，與所述第一放大電路的輸出端連接，用于對所述第一放大電壓進行第二次放大，得到第二放大電壓即所述誤差放大電壓。
10、于本專利技術一實施例中，所述第一放大電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管；
11、第一晶體管的源極接電源電壓，柵極接第一偏置電壓，漏極分別與第二晶體管的源極、第三晶體管的源極連接；第二晶體管的柵極接所述參考電壓，第二晶體管的漏極接第四晶體管的漏極和柵極，第四晶體管的源極接地；第三晶體管的柵極接所述反饋電壓，所述第三晶體管漏極接第五晶體管的漏極并形成第一節點，第五晶體管的柵極與第四晶體管的柵極連接，第五晶體管的源極接地。
12、于本專利技術一實施例中，所述第二放大電路包括：第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管；
13、第九晶體管的源極接電源電壓，柵極接第三偏置電壓，漏極與所述第八晶體管的源極連接，第八晶體管的漏極分別與第八晶體管的柵極、第七晶體管的漏極連接，第八晶體管的柵極與功率調整管的柵極連接，第七晶體管的源極接地，第七晶體管的柵極與第一節點連接。
14、于本專利技術一實施例中，所述瞬態增強電路包括：第十晶體管、第十一晶體管、采樣模塊；
15、第十晶體管的源極接電源電壓，柵極與采樣模塊的輸出端連接，漏極與第八晶體管的源極連接，第十一晶體管的柵極與第八晶體管的柵極連接，第十一晶體管的源極接電源電壓，第十一晶體管的漏極與采樣模塊連接，采樣模塊的輸入端接所述輸出電壓。
16、于本專利技術一實施例中，所述采樣模塊包括：第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管、第十五晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管、第十八晶體管、第二十晶體管、第二十一晶體管；
17、第十二晶體管的源極與第十一晶體管的漏極連接，第十二晶體管的柵極分別連接第十二晶體管的漏極、第二十晶體管的柵極，第十二晶體管的漏極接第十四晶體管的漏極，第十四晶體管的源極接地，第十四晶體管的柵極與第十三晶體管的柵極連接，第十三晶體管的漏極與第十三晶體管的柵極連接并接偏置電流，第十三晶體管的源極接地，第十五晶體管的源極與第十二晶體管的源極連接，第十五晶體管的漏極與第十六晶體管的漏極和柵極連接，第十六晶體管的源極接地，第十六晶體管的柵極與第十七晶體管的柵極連接，第十七晶體管的源極接地，第十七晶體管的漏極接第十八晶體管的漏極和柵極，第十八晶體管的源極接電源電壓；第十五晶體管的柵極與第二十晶體管的漏極和第二十一晶體管的漏極連接，第二十一晶體管的源極接地，第二十一晶體管的柵極與第十四晶體管的柵極連接，第二十晶體管的源極與功率調整管的漏極連接。
18、于本專利技術一實施例中，所述反饋電路包括：第一電阻、第二電阻、修調電阻網絡，所述第二電阻的一端與功率調整管的漏極連接，第二電阻的另一端與第一電阻的一端連接，第一電阻的另一端與修調電阻網絡的一端連接，修調電阻網絡的另一端與誤差放大器的其中一個輸入端連接以向誤差放大器輸入反饋電壓。
19、于本專利技術一實施例中，所述ldo電路還包括：
20、輸出電路，包括輸出電阻和輸出電容，所述輸出電阻的一端與功率調整管的漏極連接，輸出電阻的另一端接地，所述輸出電容的一端與功率調整管的漏極連接，輸出電容的另一端接地。
21、于本專利技術一實施例中，所述ldo電路還包括過流保護電路；所述過流保護電路包括：第六晶體管、第二十六晶體管、第二十二晶體管、第二十三晶體管、第二十四晶體管、第二十五晶體管，所述采樣模塊還包括第十九晶體管和第三電阻；
22、第二十六晶體管的源極接電源電壓，第二十六晶體管的柵極接第二偏置電壓，第二十六晶體管的漏極分別與第二十二晶體管的源極、第二十三晶體管的源極連接，第二十二晶體管的漏極與第二十四晶體管的漏極連接，第二十四晶體管的源極接地，第二十四晶體管的柵極與漏極連接，第二十三晶體管的漏極與第二十五晶體管的漏極連接并形成第二節點，第二十五晶體管的源極接地，第二十五晶體管的柵極與第二十四晶體管的柵極連接，第二節點與第六晶體管的柵極連接，第六晶體管的源極接地，第六晶體管的漏極與第七晶體管的源極連接；第十九晶體管的源極接電源電壓，第十九晶體管的柵極與第十八晶體管的柵極連接，第十九晶體管的漏極經第三電阻接地；第二十二晶體管的柵極接所述參考電壓，第二十三晶體管的柵極接第十九晶體管的漏極。
23、于本專利技術一實施例中，所述第一放大電路還包本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述LDO電路包括：
2.根據權利要求1所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述誤差放大器包括：
3.根據權利要求2所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述第一放大電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管；
4.根據權利要求3所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述第二放大電路包括：第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管；
5.根據權利要求4所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述瞬態增強電路包括：第十晶體管、第十一晶體管、采樣模塊；
6.根據權利要求5所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述采樣模塊包括：第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管、第十五晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管、第十八晶體管、第二十晶體管、第二十一晶體管；
7.根據權利要求1所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述反饋電路包括：第一電阻、第二電阻、修調電阻網絡，所述第二電阻的一端與功率調整管的漏極連接，第二電阻的另一端與第一電阻的
8.根據權利要求1所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述LDO電路還包括：
9.根據權利要求5所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述LDO電路還包括過流保護電路，所述過流保護電路包括：第六晶體管、第二十六晶體管、第二十二晶體管、第二十三晶體管、第二十四晶體管、第二十五晶體管，所述采樣模塊還包括第十九晶體管和第三電阻；
10.根據權利要求3所述的快速瞬態響應LDO電路，其特征在于，所述第一放大電路還包括：第一電容，第一電容的一端與第三晶體管的柵極連接，第一電容的另一端接地。
...【技術特征摘要】
1.一種快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述ldo電路包括：
2.根據權利要求1所述的快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述誤差放大器包括：
3.根據權利要求2所述的快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述第一放大電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管；
4.根據權利要求3所述的快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述第二放大電路包括：第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管；
5.根據權利要求4所述的快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述瞬態增強電路包括：第十晶體管、第十一晶體管、采樣模塊；
6.根據權利要求5所述的快速瞬態響應ldo電路，其特征在于，所述采樣模塊包括：第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管、第十五晶體管、第十六晶體管、第十七晶體管、第十八晶體管、第二十晶體管、第二十一晶體管；
7.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：駱林波，杜宇彬，雷郎成，高煒祺，詹勇，王忠焰，胡永菲，劉林果，朱璨，
申請(專利權)人：重慶吉芯科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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