【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)屬于薄膜，具體涉及一種低方阻ito膜及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、ito導(dǎo)電膜的方阻介于100ω-150ω，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等屏幕尺寸較小的裝置上。但隨著一體機(jī)、大尺寸筆記型電腦、交互式教學(xué)平臺(tái)等裝置也開(kāi)始采用觸控裝置，大尺寸觸控面板的市場(chǎng)需求也越來(lái)越大。由于觸控裝置的尺寸越大所需處理的數(shù)據(jù)量越多，現(xiàn)有ito導(dǎo)電膜的方阻不再適用于大尺寸的觸控裝置。因此觸控面板的ito導(dǎo)電膜的方阻需要做得更低，以控制方阻介于20ω-40ω之間。
2、公開(kāi)于該
技術(shù)介紹
部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于提供一種低方阻ito膜及其制備方法，其能夠提供低方阻、低色差和更好耐候性的低方阻ito膜。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專(zhuān)利技術(shù)一具體實(shí)施例提供了一種低方阻ito膜，其包括基材、上涂布層、下涂布層、打底層、sio2混合層和ito混合層。基材具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；上涂布層涂布在所述基材的第一表面；下涂布層涂布在所述基材的第二表面；打底層磁控濺射在所述上涂布層的表面；sio2混合層磁控濺射在所述打底層的表面；ito混合層磁控濺射在所述sio2混合層的表面；其中，所述ito混合層中的銦占比80wt％-99wt％，錫占比1wt％-20wt％。
3、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述ito混合層通過(guò)氧化銦錫
4、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述sio2混合層通過(guò)硅鋁靶磁控濺射在所述打底層的表面；所述sio2混合層中的硅占比75wt％-99wt％，鋁占比1wt％-25wt％。
5、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述sio2混合層的厚度介于2nm-80nm。
6、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述打底層選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3中的一種；和/或，所述打底層的厚度介于0.2nm-20nm。
7、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述基材的厚度介于10μm-250μm；和/或，所述基材選自pet、pi、tac、cop和pc中的一種。
8、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述上涂布層介于40nm-1200nm；和/或，所述下涂布層介于20nm-1000nm。
9、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述ito混合層的表面設(shè)置有高溫正保層；和/或，所述下涂布層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)設(shè)置有離型膜。
10、本專(zhuān)利技術(shù)另一具體實(shí)施例提供了一種低方阻ito膜的制備方法，其包括：
11、選取基材，通過(guò)涂布工藝涂布在所述基材的第一表面涂布上涂布層，第二表面涂布下涂布層；
12、在所述下涂布層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)貼合離型膜；
13、在所述上涂布層的表面通過(guò)硅鋁靶磁控濺射所述sio2混合層；
14、采用多個(gè)銦錫比例不相同的ito靶材在所述sio2混合層的表面磁控濺射所述ito混合層；
15、在所述ito混合層的表面貼合高溫正保層，并老化處理得到所述低方阻ito膜。
16、在本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述磁控濺射環(huán)境為真空環(huán)境，真空度小于或等于1.0×10-4pa，水汽值小于或等于9.0×10-5pa；和/或，所述磁控濺射的靶材轟擊氣體為氬氣；和/或，所述靶材反應(yīng)氣體為氬氣、氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，其中氬氣占比60wt％-80wt％，氮?dú)庹急?0wt％-35wt％，氧氣占比5wt％-10wt％。
17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專(zhuān)利技術(shù)的低方阻ito膜通過(guò)設(shè)置sio2混合層和ito混合層并控制ito混合層中銦錫的比例，并通過(guò)上述層結(jié)構(gòu)可以改善低方阻ito膜的不結(jié)晶問(wèn)題從而降低了ito膜的方阻。sio2混合層能夠降低低方阻ito膜的色差并能夠提高低方阻ito膜的耐候性。本專(zhuān)利技術(shù)的低方阻ito膜的制備方法采用硅鋁靶穩(wěn)定性更高，功率輸出平穩(wěn)，濺射更均勻。ito混合層采用多個(gè)銦錫比例不相同的ito靶材制備制得的低方阻ito膜的膜面外觀、鍍層性能更佳，且ito膜不會(huì)存在不結(jié)晶的問(wèn)題，從而可以降低低方阻ito膜的方阻。
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1.一種低方阻ITO膜，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述ITO混合層通過(guò)氧化銦錫靶磁控濺射在所述SiO2混合層的表面；所述ITO混合層的厚度介于100nm-400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述SiO2混合層通過(guò)硅鋁靶磁控濺射在所述打底層的表面；所述SiO2混合層中的硅占比75wt％-99wt％，鋁占比1wt％-25wt％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述SiO2混合層的厚度介于2nm-80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述打底層選自SiO2、Ti、TiO2、Si、Al2O3、MgF2、SiO、HfO2、SnO2和Y2O3中的一種；和/或，所述打底層的厚度介于0.2nm-20nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述基材的厚度介于10μm-250μm；和/或，所述基材選自PET、PI、TAC、COP和PC中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述ITO混合層的表面設(shè)置有高溫正保層；和/或，所述下涂布層遠(yuǎn)離所述基材層的一側(cè)設(shè)置有離型膜。
9.一種權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的低方阻ITO膜的制備方法，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低方阻ITO膜，其特征在于，所述磁控濺射環(huán)境為真空環(huán)境，真空度小于或等于1.0×10-4Pa，水汽值小于或等于9.0×10-5Pa；和/或，所述磁控濺射的靶材轟擊氣體為氬氣；和/或，所述靶材反應(yīng)氣體為氬氣、氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，其中氬氣占比60wt％-80wt％，氮?dú)庹急?0wt％-35wt％，氧氣占比5wt％-10wt％。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種低方阻ito膜，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述ito混合層通過(guò)氧化銦錫靶磁控濺射在所述sio2混合層的表面；所述ito混合層的厚度介于100nm-400nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述sio2混合層通過(guò)硅鋁靶磁控濺射在所述打底層的表面；所述sio2混合層中的硅占比75wt％-99wt％，鋁占比1wt％-25wt％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述sio2混合層的厚度介于2nm-80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述打底層選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3中的一種；和/或，所述打底層的厚度介于0.2nm-20nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低方阻ito膜，其特征在于，所述基材的厚度介于10...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高毓康，陳超，王志堅(jiān)，陳濤，趙飛，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：浙江日久新材料科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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