【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及封裝電子模塊，諸如用于射頻應用的封裝模塊。相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2023年6月1日提交的題為"devices,systems?and?methods?relatedto?dual-sided?modules"的美國臨時申請第63/470,423號的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過引用明確并入本文。
技術(shù)介紹
1、在許多電子技術(shù)應用中，射頻(rf)電路和/或電路元件是作為封裝模塊的部件來實現(xiàn)的。封裝模塊通常包括基板，配置為接收和支持多個部件，諸如半導體芯片和/或諸如分立無源部件的電路元件。在一些應用中，這種封裝模塊可以包括安裝在基板兩側(cè)的的每一側(cè)上的一個或多個前述器件。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、根據(jù)一些實施方式，本申請涉及一種封裝模塊，其包括具有第一側(cè)和第二側(cè)的再分布層、以及在所述再分布層的第一側(cè)上實現(xiàn)的第一側(cè)部分，所述第一側(cè)部分包括安裝在所述再分布層的第一側(cè)上的第一部件。所述第一側(cè)部分進一步包括第一覆模(mold)結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)為至少部分包封所述第一部件。所述封裝模塊進一步包括：實現(xiàn)在所述再分布層的第二側(cè)上的第二部分，所述第二側(cè)部分包括安裝在所述再分布層的第二側(cè)上的第二部件；以及多個導電安裝結(jié)構(gòu)。所述第二側(cè)部分進一步包括第二覆模結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)為至少部分封裝所述第二部件。所述第二覆模結(jié)構(gòu)進一步包封所述導電安裝特征，同時提供所述導電安裝特征的相應暴露安裝表面。
2、在一些實施例中，所述再分布層可以實現(xiàn)為多層再分布層，所述多層再分布層具有定義所述第一側(cè)的第一最外層和定義所述第二側(cè)
3、在一些實施例中，所述第一部件可以實現(xiàn)為芯片，并且所述第二部件可以實現(xiàn)為芯片。所述第一芯片和所述第二芯片中的每一個都可以配置為提供射頻功能。所述第一芯片和所述第二芯片中的每一個的射頻功能可以包括濾波功能。所述第一芯片和所述第二芯片中的每一個都可以配置為聲波濾波器器件。所述第一聲波濾波器器件可以是多層壓電基板(mps)濾波器或體聲波(baw)濾波器，所述第二聲波濾波器器件可以是mps濾波器或baw濾波器。
4、在一些實施例中，所述第二側(cè)部分的導電安裝結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)為球形結(jié)構(gòu)或金屬柱。
5、在一些實施例中，第一覆模結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)為完全包封所述第一部件的非安裝表面和側(cè)壁。在一些實施例中，所述第一覆模結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)為暴露所述第一部件的非安裝表面。所述第一部件的暴露非安裝表面可由去除所述第一部件的一部分的減薄操作來得到。所述第一部件的暴露非安裝表面可以包括磨削表面，所述磨削表面提供所述第一側(cè)部分的期望厚度。
6、在一些實施例中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)可完全包封所述第二部件的非安裝表面和側(cè)壁。
7、在一些實施例中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)為暴露所述第二部件的非安裝表面。所述第二部件的暴露非安裝表面可由去除所述第二部件的一部分的減薄操作來得到。所述第二部件的暴露非安裝表面可包括磨削表面，所述磨削表面可提供所述第二側(cè)部分期望的厚度。
8、在一些實施例中，所述封裝模塊可進一步包括電磁屏蔽特征，其包括導電屏蔽層，所述導電屏蔽層基本上覆蓋所述封裝模塊的除了與導電安裝特征的暴露安裝表面相關(guān)聯(lián)的安裝側(cè)之外的所有側(cè)。所述導電屏蔽層可與所述再分布層內(nèi)的地平面電連接。所述導電屏蔽層可包括保形沉積工藝形成的導電層。
9、在一些實施例中，所述第一部件可安裝在所述再分布層的第一側(cè)，以在其間提供無間隙配置。所述第一部件可包括安裝側(cè)，其被圖案化以允許所述安裝側(cè)與所述再分布層的第一側(cè)上的對應圖案區(qū)域直接配合。
10、在一些實施例中，所述第二部件可安裝在所述再分布層的第二側(cè)，以在其間提供間隙。所述第二部件可以用表面貼裝技術(shù)配置安裝到所述再分布層的第二側(cè)。所述第二覆模結(jié)構(gòu)也可填充所述第二部件與所述再分布層的第二側(cè)之間的間隙。
11、在一些實施例中，所述再分布層可包括實現(xiàn)為印制在所述再分布層的一層或多層上的一個或多個特征的無源電路元件。在一些實施例中，所述無源電路元件可包括電感器、電容器或電阻器。
12、在一些實施方式中，本申請涉及一種制造封裝模塊的方法。所述方法包括提供載體，在所述載體上形成雙面模塊的第一側(cè)部分，以及從所述第一側(cè)部分去除所述載體以提供表面。所述方法還包括在所述第一側(cè)部分上提供或形成再分布層，使得所述再分布層的第一側(cè)與所述第一側(cè)部分的所述表面接合，并且所述再分布層的第二側(cè)與所述第一側(cè)相反。所述方法還包括在所述再分布層的第二側(cè)上形成所述雙面模塊的第二側(cè)部分。
13、在一些實施例中，所述第一側(cè)部分的形成可以包括在所述載體表面上附著第一部件，并在所述載體表面上形成第一覆模結(jié)構(gòu)以至少部分包封所述第一部件。
14、在一些實施例中，從所述第一側(cè)部分去除所述載體可包括脫粘過程。
15、在一些實施例中，所述再分布層可以包括具有多層的預制再分布層，使得第一最外層定義第一側(cè)且第二最外層定義第二側(cè)。
16、在一些實施例中，所述再分布層的第一側(cè)可與所述第一側(cè)部分的表面直接接合。在一些實施例中，所述再分布層的第一側(cè)可與所述第一部件的安裝表面接合，以在所述第一部件和所述再分布層的第一側(cè)之間提供無間隙互連。
17、在一些實施例中，所述再分布層形成于所述第一側(cè)部分的表面上。所述再分布層的形成可以包括形成多層，使得第一最外層定義第一側(cè)，第二最外層定義第二側(cè)。
18、在一些實施例中，所述再分布層的第一側(cè)可與所述第一側(cè)部分的表面直接接合。在一些實施例中，所述再分布層的第一側(cè)可與所述第一部件的安裝表面接合，以在所述第一部件和所述再分布層的第一側(cè)之間提供無間隙互連。
19、在一些實施例中，所述第二側(cè)部分的形成可包括：在所述再分布層的第二側(cè)安裝第二部件，在所述再分布層的第二側(cè)上實現(xiàn)多個導電安裝特征，以及形成第二覆模結(jié)構(gòu)以至少部分包封所述第二部件和所述導電安裝特征，同時提供所述導電安裝特征的相應暴露安裝表面。
20、在一些實施例中，可在所述多個導電安裝特征的實現(xiàn)之前執(zhí)行所述第二部件的安裝。在一些實施例中，所述第二部件的安裝可在所述多個導電安裝特征的實現(xiàn)之后執(zhí)行。
21、在一些實施例中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)的形成可包括形成完全覆蓋所述第二部件和所述導電安裝特征的覆模結(jié)構(gòu)，并執(zhí)行減薄操作以暴露所述導電安裝特征的安裝表面。
22、在一些實施例中，可以執(zhí)行所述減薄操作以暴露所述第二部件的非安裝表面。所述減薄操作可以去除所述第二部件的一部分。所述減薄操作可以包括磨削操作，其提供磨削表面作為所述第二部件的暴露非安裝表面，從而提供所述第二側(cè)部分的期望厚度。
23、在一些實施例中，所述第一覆模結(jié)構(gòu)的形成可包括形成所述完全覆蓋第一部件的覆模結(jié)構(gòu)，以及執(zhí)行減薄操作以減小所述第一覆模結(jié)構(gòu)的厚度。可以執(zhí)行所述減薄操作以暴露所述第一部件的非安裝表面。所述減薄操作可以去除所述第一部件的一部分。所述本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種封裝模塊，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述再分布層實現(xiàn)為多層再分布層，具有定義所述第一側(cè)的第一最外層和定義所述第二側(cè)的第二最外層。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝模塊，其中，所述第一部件直接安裝在所述第一側(cè)，所述第二部件直接安裝在所述第二側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第一部件實現(xiàn)為芯片，第二部件實現(xiàn)為芯片。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝模塊，其中，所述第一芯片和所述第二芯片中的每一個都配置為提供射頻功能。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝模塊，其中，所述第一芯片和所述第二芯片中的每個的射頻功能包括濾波功能。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝模塊，其中，第一芯片和第二芯片中的每個都配置為聲波濾波器器件。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝模塊，其中，所述第一聲波濾波器器件是多層壓電基板(MPS)濾波器或體聲波(BAW)濾波器，所述第二聲波濾波器器件是MPS濾波器或BAW濾波器。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第二側(cè)部分的導電安裝結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為球形結(jié)構(gòu)或金屬柱。<...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝模塊，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述再分布層實現(xiàn)為多層再分布層，具有定義所述第一側(cè)的第一最外層和定義所述第二側(cè)的第二最外層。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝模塊，其中，所述第一部件直接安裝在所述第一側(cè)，所述第二部件直接安裝在所述第二側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第一部件實現(xiàn)為芯片，第二部件實現(xiàn)為芯片。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝模塊，其中，所述第一芯片和所述第二芯片中的每一個都配置為提供射頻功能。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝模塊，其中，所述第一芯片和所述第二芯片中的每個的射頻功能包括濾波功能。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝模塊，其中，第一芯片和第二芯片中的每個都配置為聲波濾波器器件。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝模塊，其中，所述第一聲波濾波器器件是多層壓電基板(mps)濾波器或體聲波(baw)濾波器，所述第二聲波濾波器器件是mps濾波器或baw濾波器。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第二側(cè)部分的導電安裝結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為球形結(jié)構(gòu)或金屬柱。
10.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，第一覆模結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為完全包封所述第一部件的非安裝表面和側(cè)壁。
11.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第一覆模結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為暴露所述第一部件的非安裝表面。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝模塊，其中，所述第一部件的暴露非安裝表面由去除所述第一部件的一部分的減薄操作來得到。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝模塊，其中，所述第一部件的暴露非安裝表面包括磨削表面，所述磨削表面提供所述第一側(cè)部分的期望厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)完全包封所述第二部件的非安裝表面和側(cè)壁。
15.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為暴露所述第二部件的非安裝表面。
16.如權(quán)利要求15所述的封裝模塊，其中，所述第二部件的暴露非安裝表面由去除所述第二部件的一部分的減薄操作來得到。
17.如權(quán)利要求16所述的封裝模塊，其中，所述第二部件的暴露非安裝表面包括提供所述第二側(cè)部分期望厚度的磨削表面。
18.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，進一步包括電磁屏蔽功能，其包括導電屏蔽層，所述導電屏蔽層基本上覆蓋所述封裝模塊的除了與導電安裝特征的暴露安裝表面相關(guān)聯(lián)的安裝側(cè)之外的所有側(cè)，所述導電屏蔽層與所述再分布層內(nèi)的地平面電連接。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝模塊，其中，所述導電屏蔽層包括由保形沉積工藝形成的導電層。
20.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述第一部件安裝在所述再分布層的第一側(cè)上，以在其間提供無間隙配置。
21.如權(quán)利要求20所述的封裝模塊，其中，所述第一部件包括安裝側(cè)，其被圖案化以允許所述安裝側(cè)與所述再分布層的第一側(cè)上的相應圖案區(qū)域直接配合。
22.如權(quán)利要求20所述的封裝模塊，其中，所述第二部件安裝在所述再分布層的第二側(cè)上，以在其間提供間隙。
23.如權(quán)利要求22所述的封裝模塊，其中，所述第二部件用表面貼裝技術(shù)配置安裝到所述再分布層的第二側(cè)。
24.如權(quán)利要求22所述的封裝模塊，其中，所述第二覆模結(jié)構(gòu)還填充所述第二部件與所述再分布層的第二側(cè)之間的間隙。
25.如權(quán)利要求1所述的封裝模塊，其中，所述再分布層包括無源電路元件，所述無源電路元件實現(xiàn)為印制在所述再分布層的一層或多層上的一個或多個特征。
26.如權(quán)利要求25所述的封裝模塊，其中，所述無源電路元件包括電感器、電容器或電阻器。
27.一種制造封裝模塊的方法，所述方法包括：
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述第一側(cè)部分的形成包括在所述載體表面上附著第一部件，以及在所述載體表面上形成第一覆模結(jié)構(gòu)以至少部分包封所述第一部件。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，從所述第一側(cè)部分去除所述載體包括脫粘過程。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述再分布層是具有多層的預制再分布層，使得第一最外層定義第一側(cè)且第二最外層定義第二側(cè)。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述再分布層的第一側(cè)與所述第一側(cè)部分的表面直接接合。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述再分布層的第一側(cè)與所述第一部件的安裝表面接合，以在所述第一部件和所述再分布層的第一側(cè)之間提供無間隙互連。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述再分布層形成于所述第一側(cè)部分的表面上。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，所述再分布層的形成包括形成多層，使得第一最外層定義第一側(cè)，第二最外層定義二側(cè)。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中，所述再分布層的第一側(cè)與所述第一側(cè)部分的表面直接接合。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，所述再分布層的第一側(cè)與所述第一部件的安裝表面接合，以在所述第一部件和所述再分布層的第一側(cè)之間提供無間隙互連。
37.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述第二側(cè)部分的形成包括在所述再分布層的第二側(cè)上安裝第二部件，在所述再分布層的第二側(cè)上實現(xiàn)多個導電安裝特征，以及形成第二覆模結(jié)構(gòu)以至少部分包封所述第二部件和所述導電安裝特征，同時提供所述導電安裝特征的相應暴露安裝表面。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S·N·南迦利亞，H·E·陳，A·J·洛比安科，
申請(專利權(quán))人：天工方案公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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