【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光電子學器件的，特別涉及一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法。
技術介紹
1、太赫茲波段一般是指頻率在0.1thz～10thz的電磁波，位于紅外和微波之間。太赫茲波具有能量低，脈沖短，穿透力強等特點，被廣泛應用于醫療領域，無損檢測，雷達通信等領域。當今社會隨著科技的飛速發展，人們的生活已經被各種高精度的電子儀器所包圍。然而，多數電子儀器周圍都帶有極高的電磁輻射，任何傳輸、分配或使用電能的電子設備都會產生電磁干擾，對設備性能和周圍環境產生不利影響。由于電子產品及其組件的運行速度更快，尺寸更小，電磁干擾的結果顯著增加，這可能導致電子產品的故障和退化。在使用商用和軍事設備時電磁干擾大大增加了系統中斷和設備損壞的可能性。
2、電磁干擾(emi)屏蔽主要是指能夠有效阻擋、降低電磁能量傳輸或者向外輻射的一種方法與技術，是抑制電磁信號干擾通信、阻礙傳輸的重要手段。此外，隨著通信傳輸技術的超速發展，現有的短程通信和無線通信已經愈發不能滿足人們的日常需求，其載波頻率僅為幾個ghz，傳輸速率也被限制在1gb/s。2019年，太赫茲頻段通信已經被世界各國正式認定為6g通信的主要頻段。因此，隨著6g通信研究的不斷進步，尋找性能良好的太赫茲電磁波屏蔽材料成為了發展過程中亟需解決的問題。
3、傳統的金屬及其復合材料由于其高導電率被普遍用作電磁干擾屏蔽材料，然而其高密度、易腐蝕和高成本等問題使其難以應用在高集成的電子產品中。此外，這些材料電磁干擾屏蔽的范圍通常在khz～ghz區域內，并不適用于作為太赫茲屏蔽材
技術實現思路
1、針對現有技術中存在的不足之處，本專利技術的目的是提供一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，通過改變輻照到狄拉克半金屬上的抽運光能量密度，實現對寬帶太赫茲波的電磁干擾屏蔽效率的調控，為研發太赫茲電磁屏蔽主動調控器件提供一種新的方法。為了實現根據本專利技術的上述目的和其他優點，提供了一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，包括：
2、s1、在襯底基片上制備狄拉克半金屬薄膜；
3、s2、利用太赫茲時域光譜系統對固有太赫茲電磁干擾屏蔽效率檢測；
4、s3、利用不同抽運光能量密度調控狄拉克半金屬薄膜的電磁干擾屏蔽效率。
5、優選的，步驟s1中狄拉克半金屬薄膜包括pdte2、ptte2、na3bi、cd3as2、zrte5，且該狄拉克半金屬薄膜的厚度為2～20nm。
6、優選的，步驟s1中襯底基片為具有高的太赫茲波透過率的介質或晶體，襯底基片為石英、氧化鎂、石榴石或藍寶石的一種，厚度為0.1-0.5mm。
7、優選的，步驟s1中在襯底基片上制備狄拉克半金屬薄膜，該薄膜為平滑或褶皺結構。
8、優選的，步驟s2具體包括以下步驟：
9、s21、利用太赫茲時域光譜系統，檢測得透過未生長狄拉克半金屬薄膜的襯底基片的太赫茲時域光譜；
10、s22、利用太赫茲時域光譜系統，檢測得透過生長有狄拉克半金屬薄膜的襯底基片的太赫茲時域光譜；
11、s23、根據所述電磁干擾屏蔽效率計算公式，計算狄拉克半金屬薄膜的固有太赫茲電磁干擾屏蔽效率。
12、優選的，步驟s3具體包括以下步驟：
13、s31、將狄拉克半金屬薄膜放置在樣品架上，利用光抽運太赫茲探測系統，檢測得到無激光抽運下透過狄拉克半金屬薄膜的太赫茲時域光譜；
14、s32、利用光抽運太赫茲探測系統，將飛秒激光輻照在狄拉克半金屬薄膜上，檢測得到激光脈沖抽運后透過的太赫茲時域變化譜；
15、s33、根據所述電磁干擾屏蔽效率變化量計算公式，計算不同抽運光能量密度下狄拉克半金屬薄膜電磁干擾屏蔽效率的變化。
16、優選的，飛秒激光的激光脈沖被分成三個光束：抽運光束、太赫茲探測光束和電光采樣光束，其中飛秒激光波長為800nm，抽運光束能量密度為0.25mj/cm2～1.5mj/cm2，且輻照在薄膜上抽運激光光斑大于太赫茲聚焦光斑，且中心重合。
17、本專利技術與現有技術相比，其有益效果是：通過改變狄拉克半金屬的形貌或者改變輻照到狄拉克半金屬上抽運光的能量密度，實現對寬帶太赫茲波電磁干擾的有效屏蔽和調控。
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1.一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟S1中狄拉克半金屬薄膜包括PdTe2、PtTe2、Na3Bi、Cd3As2、ZrTe5，且該狄拉克半金屬薄膜的厚度為2～20nm。
3.如權利要求2所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟S1中襯底基片為具有高的太赫茲波透過率的介質或晶體，襯底基片為石英、氧化鎂、石榴石或藍寶石的一種，厚度為0.1-0.5mm。
4.如權利要求3所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟S1中在襯底基片上制備狄拉克半金屬薄膜，該薄膜為平滑或褶皺結構。
5.如權利要求4所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟S2具體包括以下步驟：
6.如權利要求5所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟S3具體包括以下步驟：
7.如權利要求6所述的一種基
...【技術特征摘要】
1.一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟s1中狄拉克半金屬薄膜包括pdte2、ptte2、na3bi、cd3as2、zrte5，且該狄拉克半金屬薄膜的厚度為2～20nm。
3.如權利要求2所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，步驟s1中襯底基片為具有高的太赫茲波透過率的介質或晶體，襯底基片為石英、氧化鎂、石榴石或藍寶石的一種，厚度為0.1-0.5mm。
4.如權利要求3所述的一種基于狄拉克半金屬的電磁干擾屏蔽材料的調控方法，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金鉆明，彭滟，朱亦鳴，莊松林，郭穎鈺，
申請(專利權)人：上海理工大學，
類型：發明
國別省市：
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