【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)屬于射頻功率放大器件設(shè)計(jì)，尤其涉及一種gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、電路匹配通常指阻抗匹配，主要用于將輸入端和輸出端的阻抗匹配到指定的目標(biāo)值。電路匹配通常可以分為內(nèi)匹配和外匹配，其中，外匹配主要是在pcb電路板上由微帶線和貼片電容實(shí)現(xiàn)，內(nèi)匹配主要通過(guò)設(shè)置內(nèi)匹配電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。目前基于gan(氮化鎵)的功率放大器(power?amplifier，簡(jiǎn)稱pa)芯片，也即gan功率放大器，一般是通過(guò)對(duì)內(nèi)匹配電路進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，調(diào)整輸入輸出的阻抗位置，使芯片的性能更好在pcb電路板上發(fā)揮出來(lái)。
2、現(xiàn)有的針對(duì)gan功率放大器的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)流程如圖1所示，其主要包括以下步驟：預(yù)設(shè)匹配后gan功率放大器的裸管die中的阻抗位置，在smith?chart(史密斯圓圖)中預(yù)估匹配的方式和參與匹配的無(wú)源器件的參數(shù)，確定匹配網(wǎng)絡(luò)，在匹配網(wǎng)絡(luò)的原理圖上s參數(shù)仿真控制器，并對(duì)實(shí)際參與芯片封裝的鍵合線bonding?wire進(jìn)行形狀、尺寸、以及數(shù)量的設(shè)置，進(jìn)行原理圖仿真，得到電感值和s參數(shù)，對(duì)匹配網(wǎng)絡(luò)中的無(wú)源器件進(jìn)行建模得到電磁模型，也即em-model，基于電磁模型進(jìn)行em仿真，進(jìn)行原理圖與電磁模型的聯(lián)合仿真，并根據(jù)仿真結(jié)果進(jìn)行來(lái)回迭代，確定最終的匹配網(wǎng)絡(luò)。
3、在上述內(nèi)匹配設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要對(duì)無(wú)源器件進(jìn)行建模并進(jìn)行em仿真，而bondingwire的電感值無(wú)法準(zhǔn)確擬合所需要的電感模型，而且設(shè)置電感的容值、尺寸、位置也需要一定的經(jīng)驗(yàn)，模型中封裝面的設(shè)計(jì)和仿真端口的設(shè)置也影響內(nèi)匹配阻抗的遷移，所以
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及程序，在設(shè)計(jì)過(guò)程中能夠自動(dòng)對(duì)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括：
3、確定gan功率放大器采用的內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；
4、獲取輸入?yún)?shù)的初始值，其中，所述輸入?yún)?shù)為所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的參數(shù)；
5、基于所述初始值進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)充，得到所述輸入?yún)?shù)對(duì)應(yīng)的n組參數(shù)值，其中n為設(shè)定值；
6、針對(duì)每組所述參數(shù)值，根據(jù)所述參數(shù)值在所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的原理圖中進(jìn)行電磁em仿真和小信號(hào)s參數(shù)仿真，得到所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值；
7、在得到n組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值的情況下，根據(jù)n組所述參數(shù)值和n組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值進(jìn)行自動(dòng)參數(shù)優(yōu)化，得到滿足預(yù)設(shè)性能要求的最優(yōu)參數(shù)值。
8、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)裝置，包括：
9、內(nèi)匹配結(jié)構(gòu)確定模塊，用于確定gan功率放大器采用的內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；
10、參數(shù)初始值獲取模塊，用于獲取輸入?yún)?shù)的初始值，其中，所述輸入?yún)?shù)為所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的參數(shù)；
11、數(shù)據(jù)擴(kuò)充模塊，用于基于所述初始值進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)充，得到所述輸入?yún)?shù)對(duì)應(yīng)的n組參數(shù)值，其中n為設(shè)定值；
12、仿真模塊，用于針對(duì)每組所述參數(shù)值，根據(jù)所述參數(shù)值在所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的原理圖中進(jìn)行電磁em仿真和小信號(hào)s參數(shù)仿真，得到所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值；
13、參數(shù)優(yōu)化模塊，用于在得到n組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值的情況下，根據(jù)n組所述參數(shù)值和n組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值進(jìn)行自動(dòng)參數(shù)優(yōu)化，得到滿足預(yù)設(shè)性能要求的最優(yōu)參數(shù)值。
14、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，所述設(shè)備包括：處理器以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器；
15、所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序指令時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法。
16、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法。
17、第五方面，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中的指令由電子設(shè)備的處理器執(zhí)行時(shí)，使得所述電子設(shè)備執(zhí)行如第一方面所述的gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法。
18、本申請(qǐng)實(shí)施例的gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及程序，在獲取到gan功率放大器采用的內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的輸入?yún)?shù)的初始值后，利用貝葉斯優(yōu)化算法自動(dòng)完成對(duì)輸入?yún)?shù)的數(shù)據(jù)擴(kuò)充、仿真結(jié)果的輸出以及最優(yōu)參數(shù)確定。根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例，提供給工程師無(wú)需調(diào)整參數(shù)、無(wú)需等待仿真完成、無(wú)需考慮調(diào)整內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的自動(dòng)優(yōu)化過(guò)程，相比于傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，有效的縮短了仿真周期，降低了工程師在研發(fā)設(shè)計(jì)過(guò)程中所需花費(fèi)的時(shí)間和精力。
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1.一種GaN功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述初始值進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)充，得到所述輸入?yún)?shù)對(duì)應(yīng)的N組參數(shù)值，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參數(shù)在所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的原理圖中進(jìn)行電磁EM仿真和小信號(hào)S參數(shù)仿真，得到所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參數(shù)值設(shè)置預(yù)設(shè)的參數(shù)化電磁模型中相關(guān)參數(shù)的值，得到目標(biāo)參數(shù)化電磁模型之前，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)N組所述參數(shù)值和N組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值進(jìn)行自動(dòng)參數(shù)優(yōu)化，得到滿足預(yù)設(shè)性能要求的最優(yōu)參數(shù)值，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述輸入?yún)?shù)包括鍵合線的高度、鍵合線的長(zhǎng)度、電容的位置和/或電容的容值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述目標(biāo)函數(shù)值包括基波輸入阻抗、諧波輸入阻抗和諧振頻率。
8.一種GaN功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)裝置，其特
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：處理器以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器；
10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的GaN功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種gan功率放大器內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述初始值進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)充，得到所述輸入?yún)?shù)對(duì)應(yīng)的n組參數(shù)值，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參數(shù)在所述內(nèi)匹配拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的原理圖中進(jìn)行電磁em仿真和小信號(hào)s參數(shù)仿真，得到所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述參數(shù)值設(shè)置預(yù)設(shè)的參數(shù)化電磁模型中相關(guān)參數(shù)的值，得到目標(biāo)參數(shù)化電磁模型之前，所述方法還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)n組所述參數(shù)值和n組所述參數(shù)值對(duì)應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)值進(jìn)行自動(dòng)參數(shù)優(yōu)化...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姚海，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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