【技術實現步驟摘要】
本專利技術有關一種半導體封裝技術，尤指一種可提升電性品質的承載結構。
技術介紹
1、隨著科技的演進與電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多高性能的趨勢，其中，訴求高頻高速(如5g)的電子產品愈來愈多。
2、圖1a及圖1b為現有封裝基板1的示意圖。現有封裝基板1于其介電體10的相對兩表面10a,10b上整面形成接地層11，且于該介電體10中嵌埋有信號線13與防護線12，并于該介電體10中形成多個電性連接該接地層11與該防護線12的導電通孔100。
3、隨著電子產品對于信號傳送的高頻高速的需求提高，現有封裝基板1中的信號線13的電性插入損耗(insertion?loss)愈趨嚴重，故可通過采用低損耗(低dk/df)的介電材制作該封裝基板1的介電體10，以降低信號的衰減而提高信號完整性。
4、然而，現有封裝基板1中，該接地層11形成于該介電體10的相對兩表面10a,10b的整面上，致使各該信號線13之間的雜訊不易散出該介電體10，導致各該信號線13容易因相互電性耦合而發生串音問題，故應用該封裝基板1的電子產品于高頻高速(如5g)的規格下，其電性品質往往不佳。
5、因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。
技術實現思路
1、鑒于上述現有技術的種種缺陷，本專利技術提供一種承載結構，包括：一介電體；接地層，其形成于該介電體上且具有至少一外露該介電體表面的第一凹槽；線路層，其形成于該介電體中，該線路層包含至少一防護線及至少一信
2、前述的承載結構中，該第一凹槽的位置與該導電通孔的位置錯開。
3、前述的承載結構中，該信號線用于高頻傳輸信號。例如，該第一凹槽的位置對應疊合于該防護線的區域上。或者，該第一凹槽的寬度小于該防護線的寬度。
4、進一步，該防護線形成有至少一位置錯開該導電通孔的第二凹槽。例如，該防護線上形成多個該第二凹槽，且該防護線上的多個該第二凹槽相互對稱設置。
5、前述的承載結構中，該第一凹槽中形成有絕緣材。例如，該絕緣材與形成該介電體的材料相同或相異。
6、由上可知，本專利技術的承載結構中，主要通過該接地層形成第一凹槽，使該線路層的雜訊容易散出該介電體，以避免該線路層發生串音的問題，故相比于現有技術，本專利技術的承載結構應用于高頻高速規格的電子產品后可提升該電子產品的電性品質。
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1.一種承載結構，包括：
2.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的位置與該導電通孔的位置錯開。
3.如權利要求1所述的承載結構，其中，該信號線用于高頻傳輸信號。
4.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的位置對應疊合于該防護線的區域上。
5.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的寬度小于該防護線的寬度。
6.如權利要求1所述的承載結構，其中，該防護線形成有至少一位置錯開該導電通孔的第二凹槽。
7.如權利要求6所述的承載結構，其中，該防護線上形成多個該第二凹槽。
8.如權利要求7所述的承載結構，其中，該防護線上的多個該第二凹槽相互對稱設置。
9.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽中形成有絕緣材。
10.如權利要求9所述的承載結構，其中，該絕緣材與形成該介電體的材料相同或相異。
【技術特征摘要】
1.一種承載結構，包括：
2.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的位置與該導電通孔的位置錯開。
3.如權利要求1所述的承載結構，其中，該信號線用于高頻傳輸信號。
4.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的位置對應疊合于該防護線的區域上。
5.如權利要求1所述的承載結構，其中，該第一凹槽的寬度小于該防護線的寬度。
6.如權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳建昇，賴佳助，林河全，
申請(專利權)人：矽品精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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