【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路，并且具體地涉及電阻性隨機存取存儲器(rram)類型的半導體非易失性存儲器。
技術介紹
1、關于非易失性集成電路存儲器器件，電阻性隨機存取存儲器(rram)是一種新興技術。rram器件是使用電阻值(而不是電荷)存儲數據位的存儲器結構。每個rram單元包括電阻性材料層，可以改變該電阻性材料層的電阻值以表示對邏輯“0”數據位或邏輯“1”數據位的存儲。該電阻性材料(通常形式為電介質層)可以被制成為通過由跨電介質層施加第一編程電壓而形成的細絲或導電路徑來進行導電。在導電狀態下，單元被編程為用于存儲邏輯“0”數據值或邏輯“1”數據值之一。可以通過跨電介質層施加第二編程電壓來復位細絲或導電路徑，導致電介質層不導電。在不導電狀態下，單元被編程為用于存儲邏輯“0”數據值或邏輯“1”數據值中的另一個。
2、本領域中需要提供一種適用于高密度應用的rram單元結構。
技術實現思路
1、在實施例中，一種非易失性集成電路存儲器單元包括：支撐襯底；電阻性隨機存取存儲器結構，該電阻性隨機存取存儲器結構包括：第一電極，該第一電極包括在所述支撐襯底上的硅化物化的半導體鰭以及覆蓋所述硅化物化的半導體鰭的第一金屬內襯層；電介質材料層，該電介質材料層具有可配置的電阻性質并且覆蓋所述第一金屬內襯層的至少一部分；以及第二電極，該第二電極包括覆蓋所述電介質材料層的第二金屬內襯層以及與該第二金屬內襯層相接觸的金屬填充物；晶體管，該晶體管具有連接至該第一電極和該第二電極之一的第一源漏端子；源極線，
2、在實施例中，一種電阻性隨機存取存儲器(rram)結構包括：支撐襯底；第一電極，該第一電極包括在所述支撐襯底上的硅化物化的半導體鰭以及覆蓋所述硅化物化的半導體鰭的第一金屬內襯層；電介質材料層，該電介質材料層具有可配置的電阻性質并且覆蓋所述第一金屬內襯層的至少一部分；以及第二電極，該第二電極包括：覆蓋所述電介質材料層的第二金屬內襯層以及與該第二金屬內襯層相接觸的金屬填充物。
3、在實施例中，一種方法包括：對半導體材料進行圖案化以在支撐襯底上形成半導體鰭；對該半導體鰭進行硅化物化以產生硅化物化的半導體鰭；沉積第一金屬內襯層，該第一金屬內襯層覆蓋所述硅化物化的半導體鰭；沉積電介質材料層，該電介質材料層具有可配置的電阻性質并且覆蓋所述第一金屬內襯層；沉積第二金屬內襯層，該第二金屬內襯層覆蓋所述電介質材料層；在與該第二金屬內襯層相接觸的該硅化物化的半導體鰭的每一側上沉積金屬填充物；對該第一金屬內襯層和硅化物化的半導體鰭進行電接觸以提供電阻性隨機存取存儲器(rram)結構的第一電極；以及對該金屬填充物和第二金屬內襯層進行電接觸以提供該rram結構的第二電極。
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1.一種方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電路徑包括導電細絲。
【技術特征摘要】
1.一種方法，包括：
2.根據權利要...
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