過濾片及其制備方法技術

本發明專利技術涉及一種過濾片，其包括一個第一基層及一個層疊在該第一基層上的第二基層。該第一基層上開設至少一個第一通孔。該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通孔相對應的第二通孔。各第一通孔與對應的第二通孔連通且該第一通孔與該第二通孔交錯設置。各第一通孔與第二通孔連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔及各第二通孔的孔徑。通過將第一基層上的第一通孔及第二基層上的第二通孔交錯設置，可以控制該第一通孔與該第二通孔連通的部分的徑向長度。另，本發明專利技術還涉及一種過濾片的制備方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種過濾技術，尤其涉及一種。
技術介紹
目前，現有的對氣體過濾的一種方法為使用帶有孔洞的過濾片，該過濾片允許比 該孔洞小的氣體分子通過，從而達到過濾比該孔洞大的氣體分子的目的。但是，在過濾較小 的氣體分子時，該孔洞的孔徑較難控制在比該氣體分子還小的尺寸范圍內，從而造成加工 困難。
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供一種較易實現小孔徑的。一種過濾片，其包括一個第一基層及一個層疊在該第一基層上的第二基層。該第 一基層上開設至少一個第一通孔。該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通 孔相對應的第二通孔。各第一通孔與對應的第二通孔連通且該第一通孔與該第二通孔交錯 設置。該第一通孔與該第二通孔連通的部分的徑向長度小于各第一通孔及各第二通孔的孔 徑。一種制備上述的過濾片的方法，其包括以下步驟提供一個第一基層并在該第一 基層上開設至少一個第一通孔；提供一個第二基層并在該第二基層上開設與該第一通孔數 量相同且與該第一通孔相對應的第二通孔；將該第二基層層疊在該第一基層上，使各第一 通孔與對應的第二通孔連通且該第一通孔與該第二通孔交錯設置，各第一通孔與第二通孔 連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔及各第二通孔的孔徑。與現有技術相比，上述，通過將第一基層上的第一通孔及第 二基層上的第二通孔交錯設置，可以控制該第一通孔與該第二通孔連通的部分的徑向長 度。另外，該過濾片的制備方法簡單。附圖說明圖1為本專利技術提供的過濾片的立體示意圖。圖2為圖1中的過濾片沿II-II線的剖視圖。圖3為本專利技術提供的過濾片的制備方法的流程圖。具體實施例方式為了對本專利技術的做進一步的說明，舉以下實施方式并配合附 圖進行詳細說明。請一并參閱圖1及圖2，一種過濾片10，其包括一個第一硅基板11及一個層疊在 該第一硅基板11上的第二硅基板12。可以理解，該第一硅基板11及第二硅基板12也可以 為其他材質的基板。3該第一硅基板11上開設七個第一通孔110，該第二硅基板12上也開設七個第二通 孔120。各第一通孔110與各第二通孔120連通且該第一通孔110與該第二通孔120交錯 設置，各第一通孔110與第二通孔120連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔110及各 第二通孔120的孔徑。該第一通孔110與該第二通孔120連通的部分的徑向長度可以控制 在10 1000納米范圍內。其中，該第一通孔110及該第二通孔120的形狀可以為任意，例如漏斗形孔及方 形孔等。而在制程上漏斗形孔采用濕式蝕刻，方形孔則采用干式蝕刻，相比之下濕式蝕刻更 容易加工。本實施方式中，該第一通孔110及該第二通孔120的形狀為漏斗形孔，如此，容 易加工。該第二硅基板12通過芯片黏貼技術層疊在該第一硅基板11上。優選地，該七個 第一通孔110均勻分布在該第一硅基板11上，該七個第二通孔120之間的孔間距與該七個 第一通孔110之間的孔間距相同。如此，在層疊過程中容易對準且可以保證該第一通孔110 與該第二通孔120連通的部分的徑向長度大致相同。請參閱圖3，一種制備上述的過濾片10的方法，其包括以下步驟步驟S10 提供一個第一硅基板11并在該第一硅基板11上蝕刻出七個漏斗形的 第一通孔110 ；其中，該第一通孔110也可以為方形孔等。優選地，該七個第一通孔110均 勻開設在該第一硅基板11上。步驟S12 提供一個第二硅基板12并在該第二硅基板12上蝕刻出七個漏斗形且 與該第一通孔110相對應的第二通孔120 ；其中，該第二通孔120的形狀也可以為方形孔等。本實施方式中，該第一硅基板11的厚度在350微米至650微米之間，漏斗形的第 一通孔110的大口徑①1在50微米至200微米之間，漏斗形的第一通孔110的小口徑①2 在10微米至100微米之間。步驟S14 將第二硅基板12通過芯片黏貼技術層疊在該第一硅基板11上各第一 通孔110與對應的第二通孔120連通且該第一通孔110與該第二通孔120交錯設置，各第一 通孔110與第二通孔120連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔110及各第二通孔120 的孔徑。具體地，在層疊之前根據需要先預算在該第二通孔120的邊緣到與其對應的該第 一通孔110的邊緣的垂直距離，然后在該第一硅基板11上作出標識，將該第二硅基板12的 第二通孔120的邊緣與該標識對準，最后通過芯片黏貼技術將該第二硅基板12層疊在該第 一硅基板11上。優選地，該七個第二通孔120之間的孔間距與該七個第一通孔110之間的 孔間距相同。如此，在層疊過程中容易對準且可以保證各第一通孔110與第二通孔120連 通的部分的徑向長度大致相同。本實施方式中，該第一通孔110與該第二通孔120連通的 部分的徑向長度可以控制在10 1000納米范圍內。其中，該第一通孔110及該第二通孔120也可以采用納米壓印的方法分別開設在 該第一硅基板11與該第二硅基板12上。綜上所述，上述，通過將第一基層上的第一通孔及第二基層 上的第二通孔交錯設置，可以控制該第一通孔與該第二通孔連通的部分的徑向長度。另外， 該過濾片的制備方法簡單。 可以理解的是，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本專利技術的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬于本專利技術權利要求的保護范圍。權利要求一種過濾片，其特征在于其包括一個第一基層及一個層疊在該第一基層上的第二基層，該第一基層上開設至少一個第一通孔，該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通孔相對應的第二通孔，各第一通孔與對應的第二通孔連通且該第一通孔與該第二通孔交錯設置，各第一通孔與第二通孔連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔及各第二通孔的孔徑。2.如權利要求1所述的過濾片，其特征在于該第一基層及該第二基層均為硅基板。3.如權利要求1所述的過濾片，其特征在于該第一通孔及該第二通孔均為漏斗形孔。4.如權利要求1所述的過濾片，其特征在于該第二基層通過芯片黏貼技術層疊在該 第一基層上。5.一種制備過濾片的方法，其包括以下步驟提供一個第一基層并在該第一基層上開設至少一個第一通孔；提供一個第二基層并在該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通孔相 對應的第二通孔；將該第二基層層疊在該第一基層上，使各第一通孔與對應的第二通孔連通且該第一通 孔與該第二通孔交錯設置，各第一通孔與第二通孔連通的部分的徑向長度均小于各第一通 孔及各第二通孔的孔徑。6.如權利要求5所述的制備過濾片的方法，其特征在于第二基層通過芯片黏貼技術 層疊在該第一基層上。7.如權利要求5所述的制備過濾片的方法，其特征在于該第一基層及該第二基層均 為硅基板。8.如權利要求5所述的制備過濾片的方法，其特征在于該第一通孔及該第二通孔均 為漏斗形孔。9.如權利要求5所述的制備過濾片的方法，其特征在于該第一通孔及該第二通孔采 用蝕刻的方法分別開設在該第一基層與該第二基層上。10.如權利要求5所述的制備過濾片的方法，其特征在于該第一通孔及該第二通孔采 用納米壓印的方法分別開設在該第一基層與該第二基層上。全文摘要本專利技術涉及一種過濾片，其包括一個第一基層及一個層疊在該第一基層上的第二基層。該第一基層上開設至少一個第一通孔。該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通孔相對應的第二通孔。各第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種過濾片，其特征在于：其包括一個第一基層及一個層疊在該第一基層上的第二基層，該第一基層上開設至少一個第一通孔，該第二基層上開設與該第一通孔數量相同且與該第一通孔相對應的第二通孔，各第一通孔與對應的第二通孔連通且該第一通孔與該第二通孔交錯設置，各第一通孔與第二通孔連通的部分的徑向長度均小于各第一通孔及各第二通孔的孔徑。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：張仁淙，
申請(專利權)人：鴻富錦精密工業深圳有限公司，鴻海精密工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：94[中國|深圳]