【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及鈣鈦礦光伏組件，具體而言，涉及一種減反膜及其制備方法和鈣鈦礦光伏組件。
技術介紹
1、隨著光伏發光技術的發展，ar減反膜(anti-reflection?coatings)技術也得到了重視，以目前的fto浮法玻璃制作的工藝，透光率最好的玻璃只有80％～84％的透光率，還有15％～20％左右的太陽光未透過或被反射掉(如圖1所示)，不能傳遞到鈣鈦礦芯片產生電能。為了提高太陽光的利用率，晶硅電池組件一般會在前板鋼化或熱強化玻璃表面增涂一層或多層減反膜，以減少光線的反射。現有減反膜的制備主要采用高溫鍍膜液，因此只能在組件封裝前進行涂覆(因為封裝后再進行涂覆會使封裝膠膜老化破壞)，并且高溫不可避免地會使玻璃發生形變，即出現玻璃翹曲、波形彎曲度大等問題，影響后續鈣鈦礦電池工藝制備，影響鈣鈦礦電池的性能。
2、有鑒于此，特提出本專利技術。
技術實現思路
1、本專利技術的一個目的在于提供一種減反膜的制備方法，以解決現有技術中在產品封裝前采用高溫鍍膜液制備減反膜所帶來的玻璃翹曲、波形彎曲度大，影響后續鈣鈦礦電池工藝制備的技術問題。
2、本專利技術的另一個目的在于提供一種減反膜，膜層均勻致密平整，機械性能強，且孔隙率高，對光透過率增益大。
3、本專利技術的另一個目的在于提供一種鈣鈦礦光伏組件。
4、為了實現本專利技術的上述目的，特采用以下技術方案：
5、減反膜的制備方法，包括以下步驟：
6、在完成封裝的鈣鈦礦光伏組件
7、在一種實施方式中，在涂覆減反鍍膜液之前，還包括：對完成封裝的鈣鈦礦光伏組件基件進行預熱處理。
8、在一種實施方式中，所述預熱處理具體包括：將完成封裝的鈣鈦礦光伏組件基件升溫至40～80℃，保溫10～30min。
9、在一種實施方式中，所述預熱處理之后，還包括：對完成封裝的鈣鈦礦光伏組件基件進行持續地熱處理。
10、在一種實施方式中，所述持續地熱處理，使完成封裝的鈣鈦礦光伏組件基件的溫度維持在40～80℃。
11、在一種實施方式中，所述減反鍍膜液包括有機硅單體、堿催化劑、模板劑和溶劑；其中，所述有機硅單體的摩爾數占所述減反鍍膜液的總摩爾數的1％～5％，所述堿催化劑的摩爾數占所述減反鍍膜液的總摩爾數的1％～3％，所述模板劑的摩爾數占所述減反鍍膜液的總摩爾數的0.1％～0.5％，所述溶劑的摩爾數占所述減反鍍膜液的總摩爾數的98％～91.5％。
12、在一種實施方式中，所述有機硅單體包括四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、3-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷和3-巰基丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。
13、在一種實施方式中，所述堿催化劑包括氨水、四甲基氫氧化氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、丙烯酰胺、乙二胺、己二胺和三乙胺中的至少一種。
14、在一種實施方式中，所述模板劑包括括烷基溴化銨。
15、在一種實施方式中，所述溶劑包括乙醇、水、異丙醇、叔丁醇、乙二醇和丙三醇中的至少一種。
16、在一種實施方式中，所述減反鍍膜液的制備方法，包括：將堿催化劑、模板劑和溶劑混合，得到第一混合溶液；向所述第一混合溶液中滴加有機硅單體，再進行攪拌處理和陳化處理。
17、在一種實施方式中，所述攪拌處理的時間為2～4h。
18、在一種實施方式中，所述陳化處理的時間為20～25h。
19、在一種實施方式中，所述涂覆的方式包括輥涂、噴涂和提拉法中的至少一種。
20、在一種實施方式中，所述常溫固化的溫度為18～30℃，所述常溫固化的時間為5～30min。
21、在一種實施方式中，所述洗滌處理采用乙醇和/或水。
22、一種減反膜，由所述的減反膜的制備方法制備得到的；所述減反膜的厚度為80～120nm。
23、鈣鈦礦光伏組件，包括鈣鈦礦光伏組件基件以及設置于所述鈣鈦礦光伏組件基件的浮法玻璃表面的減反膜；所述減反膜為如上所述的減反膜或者所述的減反膜的制備方法制備得到的減反膜。
24、與現有技術相比，本專利技術的有益效果為：
25、(1)本專利技術的方法可避免高溫燒結帶來的fto玻璃翹曲度大、波形彎曲度大的問題；可解決fto玻璃透過率偏低的問題，提升可見光透過率，增加鈣鈦礦薄膜電池輸出功率(光電轉換效率)；可避免對fto單獨采用減反膜鍍膜工藝后，因采用水或醇類清洗帶來的fto導電層污染，方阻增加以及污染物帶來的電池內部缺陷問題；可解決鈣鈦礦薄膜電池封裝以后不能采用高溫燒結減反膜的問題；采用常溫制備減反膜的方法，可降低能耗，節省設備開發資金。
26、(2)本專利技術減反膜的膜層均勻致密平整，機械性能強，孔隙率高，光透過率增益大。
27、(3)本專利技術的鈣鈦礦光伏組件的光透過率增益高，功率增益高。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.減反膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(4)中的至少一種：
3.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述減反鍍膜液包括有機硅單體、堿催化劑、模板劑和溶劑；
4.根據權利要求3所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(4)中的至少一種：
5.根據權利要求3所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(3)中的至少一種：
6.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述涂覆的方式包括輥涂、噴涂和提拉法中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述常溫固化的溫度為18～30℃，所述常溫固化的時間為5～30min。
8.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述洗滌處理采用乙醇和/或水。
9.一種減反膜，其特征在于，由權利要求1～8中任一項所述的減反膜的制備方法制備得到的；所述減反膜的厚度為80～120nm。
<...【技術特征摘要】
1.減反膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(4)中的至少一種：
3.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述減反鍍膜液包括有機硅單體、堿催化劑、模板劑和溶劑；
4.根據權利要求3所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(4)中的至少一種：
5.根據權利要求3所述的減反膜的制備方法，其特征在于，包含以下特征(1)至(3)中的至少一種：
6.根據權利要求1所述的減反膜的制備方法，其特征在于，所述涂覆的方式包括輥涂、噴涂和提拉法中的至少...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王川，張端巍，鄭策，徐潔，邢澤詠，楊小兵，
申請(專利權)人：極電光能有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。