【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體制造，尤其涉及用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法及系統。
技術介紹
1、在半導體器件制造過程中，肖特基二極管以其低導通電壓和快速切換特性廣泛應用于高頻和電源管理領域。為了提升肖特基二極管的電性能，如導通電阻、反向漏電流、擊穿電壓等，通常需要對二極管的結構和摻雜濃度進行精確控制。然而，現有技術中，摻雜過程往往存在濃度分布不均、工藝參數不穩定等問題，導致二極管的電性能不達預期，甚至影響器件的可靠性。此外，由于不同區域對電性能的需求不同，如何在制造過程中對摻雜濃度進行動態調整，已成為影響器件性能的關鍵技術難題。
2、現階段相關技術中，存在溝槽肖特基二極管制造過程中不同區域電性能需求無法精確滿足的技術問題。
技術實現思路
1、本申請通過提供用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法及系統，采用通過識別肖特基二極管的溝槽結構特征（包括形狀、深度和間距），并獲取相應的功效需求，解析出摻雜濃度分布需求。然后，通過仿真空間對摻雜工藝進行模擬，得到相關工藝參數和摻雜評價結果，提取出穩定結構和風險偏差結構。針對這些風險偏差結構進行優化，獲得最佳摻雜參數。最后，整合穩定結構和優化后的摻雜參數，生成用于控制摻雜過程的控制參數，實現了對肖特基二極管關鍵電性能的精準調控，提升器件性能和制造過程的穩定性的技術效果。
2、本申請提供用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，包括：
3、獲取肖特基二極管的溝槽結構，對所述溝槽結構進行形狀、深度、間距特征識
4、本申請還提供了用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制系統，包括：溝槽結構獲取模塊，所述溝槽結構獲取模塊用于獲取肖特基二極管的溝槽結構，對所述溝槽結構進行形狀、深度、間距特征識別提取，得到溝槽結構特征；摻雜濃度分布需求獲取模塊，所述摻雜濃度分布需求獲取模塊用于獲取功效需求，并根據所述功效需求對所述溝槽結構特征進行摻雜濃度分布參數解析，獲得摻雜濃度分布需求；參數模擬模塊，所述參數模擬模塊用于通過仿真空間針對摻雜工藝手段進行參數模擬，獲取溝槽結構特征的工藝參數及摻雜評價結果，基于所述摻雜評價結果提取穩定溝槽結構、風險偏差結構及其對應工藝參數；優化搜索模塊，所述優化搜索模塊用于以所述摻雜濃度分布需求為目標，基于所述仿真空間對所述風險偏差結構及其工藝參數進行優化搜索，獲得尋優摻雜參數；摻雜控制參數生成模塊，所述摻雜控制參數生成模塊用于將所述穩定溝槽結構及其對應工藝參數與所述尋優摻雜參數，按照所述溝槽結構特征進行參數整合，生成摻雜控制參數。
5、擬通過本申請提出的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法及系統，首先通過識別肖特基二極管的溝槽結構特征（包括形狀、深度和間距），并獲取相應的功效需求，解析出摻雜濃度分布需求。然后，通過仿真空間對摻雜工藝進行模擬，得到相關工藝參數和摻雜評價結果，提取出穩定結構和風險偏差結構。針對這些風險偏差結構進行優化，獲得最佳摻雜參數。最后，整合穩定結構和優化后的摻雜參數，生成用于控制摻雜過程的控制參數，達到了對肖特基二極管關鍵電性能的精準調控，提升器件性能和制造過程的穩定性的技術效果。
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1.用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，根據所述功效需求對所述溝槽結構特征進行摻雜濃度分布參數解析，獲得摻雜濃度分布需求，包括：
3.如權利要求2所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，根據所述溝槽結構特征對所述摻雜需求濃度進行結構特征解析，獲得所述摻雜濃度分布需求，包括：
4.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，通過仿真空間針對摻雜工藝手段進行參數模擬，之前包括：
5.如權利要求4所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，所述獲取溝槽結構特征的工藝參數及摻雜評價結果，包括：
6.如權利要求5所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，基于所述摻雜評價結果提取穩定溝槽結構、風險偏差結構及其對應工藝參數，包括：
7.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，將所述穩定溝槽結構及其
8.用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制系統，其特征在于，所述系統用于實施權利要求1-7任一項所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，所述系統包括：
...【技術特征摘要】
1.用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，根據所述功效需求對所述溝槽結構特征進行摻雜濃度分布參數解析，獲得摻雜濃度分布需求，包括：
3.如權利要求2所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，根據所述溝槽結構特征對所述摻雜需求濃度進行結構特征解析，獲得所述摻雜濃度分布需求，包括：
4.如權利要求1所述的用于溝槽肖特基二極管制造的自動摻雜控制方法，其特征在于，通過仿真空間針對摻雜工藝手段進行參數模擬，之前包括：
5.如權利要求4所述的用于溝槽肖特基二極管制造...
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝剛，徐顯修，龔妮娜，劉斌凱，
申請(專利權)人：浙江廣芯微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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