【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體，尤其涉及熱處理設備的調溫校準方法、裝置、設備及存儲介質。
技術介紹
1、熱處理是晶圓硅片加工過程中的一個重要環節，需要調控熱處理腔室內工藝溫度從幾百至上千攝氏度，在不同工藝溫度下腔室內各點溫度一致性是影響晶圓成膜質量的一個重要因素。
技術實現思路
1、本公開提供了一種熱處理設備的調溫校準方法、裝置、設備以及存儲介質，以解決或緩解現有技術中的一項或更多項技術問題。
2、第一方面，本公開提供了一種熱處理設備的調溫校準方法，包括：
3、s1、單獨開啟熱處理設備的多個加熱燈中的目標加熱燈，并將目標加熱燈調節至第一功率值。其中，加熱燈為條狀燈。第一功率值根據目標工藝溫度和功率－溫度曲線確定。
4、s2、測量與目標加熱燈對應的多個第一測溫點的第一溫度值。其中，多個第一測溫點沿目標加熱燈的長度方向布置。
5、s3、根據多個第一測溫點的第一溫度值的平均值，調節目標加熱燈至第二功率值，以使得平均值與目標工藝溫度相同。
6、s4、測量在第二功率值下，多個關聯測溫點的第二溫度值。其中，多個關聯測溫點包括多個第一測溫點和至少一個第二測溫點，第二測溫點沿目標加熱燈的長度方向布置，且第二測溫點在多個第一測溫點之間連線的延長線上。
7、s5、在根據第二溫度值確定目標加熱燈的輻射能差異滿足使用要求的情況下，根據第二功率值，校準功率－溫度曲線。
8、第二方面，本公開提供了一種熱處理設備的調溫校準裝置，包括：
...【技術保護點】
1.一種熱處理設備的調溫校準方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，S5、在根據所述第二溫度值確定所述目標加熱燈的輻射能差異滿足使用要求的情況下，根據所述第二功率值，校準所述功率－溫度曲線，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：
4.根據權利要求1所述的方法，還包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述多個第一測溫點包括：
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述硅基片的形狀與所述腔室內的水平截面的形狀相同，且所述硅基片的尺寸略小于所述水平截面的尺寸；
8.根據權利要求7所述的方法，其中，對于正投影不與所述晶圓輪廓重合的邊緣加熱燈，T3測溫點設置于該邊緣加熱燈的中心點在所述硅基片上的垂點處，T1測溫點設置于所述T3測溫點與T4測溫點的中心點在所述硅基片上的垂點處，T2測溫點設置于所述T3測溫點與T5測溫點的中心點在所述硅基片上的垂點處。
9.根據權利要求2所述的方法，其中，所述預設閾值根據腔室的控溫精度及調節系
10.一種熱處理設備的調溫校準裝置，包括：
11.一種電子設備，包括：
12.一種存儲有計算機指令的非瞬時計算機可讀存儲介質，其中，所述計算機指令用于使所述計算機執行根據權利要求1-9中任一項所述的方法。
13.一種計算機程序產品，包括計算機程序，所述計算機程序在被處理器執行時實現根據權利要求1-9中任一項所述的方法。
...【技術特征摘要】
1.一種熱處理設備的調溫校準方法，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，s5、在根據所述第二溫度值確定所述目標加熱燈的輻射能差異滿足使用要求的情況下，根據所述第二功率值，校準所述功率－溫度曲線，包括：
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：
4.根據權利要求1所述的方法，還包括：
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述多個第一測溫點包括：
6.根據權利要求5所述的方法，還包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述硅基片的形狀與所述腔室內的水平截面的形狀相同，且所述硅基片的尺寸略小于所述水平截面的尺寸；
8.根據權利要求7所述的方法，其中，對于正投影不與所述晶圓輪廓重合的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：聞龍，石岱，曹紅波，
申請(專利權)人：北京屹唐半導體科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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