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    顯示裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號(hào):43615169 閱讀:8 留言:0更新日期:2024-12-11 14:58
    提供一種顯示裝置。根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置被提供有:多個(gè)顯示像素,各自包括發(fā)光單元,所述發(fā)光單元包括發(fā)光元件和向所述發(fā)光元件施加驅(qū)動(dòng)電流的像素驅(qū)動(dòng)單元;以及多個(gè)光感測(cè)像素,各自包括光感測(cè)單元,所述光感測(cè)單元包括光學(xué)元件和用于根據(jù)所述光學(xué)元件的光電流向多條感測(cè)線中的任意一條施加感測(cè)電流的感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元。所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元包括:第一感測(cè)晶體管,用于根據(jù)所述光學(xué)元件的第一電極的電壓來控制流過所述感測(cè)線的感測(cè)電流;以及第二感測(cè)晶體管,將所述光學(xué)元件的所述第一電極初始化至第一電平電壓。所述第一感測(cè)晶體管的溝道層和所述第二感測(cè)晶體管的溝道層由不同的材料形成。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】

    本公開涉及一種顯示裝置


    技術(shù)介紹

    1、顯示裝置應(yīng)用于各種電子裝置,諸如智能電話、平板計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、監(jiān)視器和電視機(jī)(tv)。近來,由于移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,諸如智能電話、平板計(jì)算機(jī)和筆記本計(jì)算機(jī)的便攜式電子裝置的使用已經(jīng)大大增加。由于隱私信息存儲(chǔ)在便攜式電子裝置中,因此用于認(rèn)證用戶的生物識(shí)別指紋的指紋認(rèn)證被用于保護(hù)便攜式電子裝置的個(gè)人信息。

    2、例如,顯示裝置可以使用光學(xué)方法、超聲方法或電容方法等來認(rèn)證用戶的指紋。光學(xué)方法可以通過檢測(cè)從用戶的指紋反射的光來認(rèn)證用戶的指紋。顯示裝置可以包括顯示面板,所述顯示面板包括用于顯示圖像的顯示像素和用于感測(cè)光的光感測(cè)像素,以便光學(xué)地認(rèn)證用戶的指紋。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、[技術(shù)問題]

    2、本公開的實(shí)施例的方面和特征提供一種顯示裝置,所述顯示裝置能夠減少由于光感測(cè)像素的復(fù)位晶體管的截止漏電流導(dǎo)致的指紋感測(cè)能力的下降。

    3、然而,本公開的實(shí)施例不限于本文中闡述的實(shí)施例。通過參考下面給出的本公開的詳細(xì)描述,本公開的上述和其他實(shí)施例對(duì)于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更明顯。

    4、[技術(shù)方案]

    5、根據(jù)用于解決上述問題的本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例,顯示裝置包括:多個(gè)顯示像素,各自包括發(fā)光單元,發(fā)光單元包括發(fā)光元件和向發(fā)光元件施加驅(qū)動(dòng)電流的像素驅(qū)動(dòng)單元;以及多個(gè)光感測(cè)像素,各自包括光感測(cè)單元,光感測(cè)單元包括光學(xué)元件和用于根據(jù)光學(xué)元件的光電流向多條感測(cè)線中的任意一條施加感測(cè)電流的感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元。感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元包括:第一感測(cè)晶體管,用于根據(jù)光學(xué)元件的第一電極的電壓來控制流過感測(cè)線的感測(cè)電流;以及第二感測(cè)晶體管,將光學(xué)元件的第一電極初始化至第一電平電壓。第一感測(cè)晶體管的溝道層和第二感測(cè)晶體管的溝道層由不同的材料制成。

    6、根據(jù)用于解決上述問題的本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例,顯示裝置包括:多條掃描寫入線、多條掃描初始化線、多條掃描控制線和多條發(fā)光線,在第一方向上延伸;多條數(shù)據(jù)線和多條感測(cè)線,在與第一方向交叉的第二方向上延伸;多個(gè)顯示像素,各自包括發(fā)光單元,發(fā)光單元包括發(fā)光元件和根據(jù)多條數(shù)據(jù)線中的一條的數(shù)據(jù)電壓向發(fā)光元件施加驅(qū)動(dòng)電流的像素驅(qū)動(dòng)單元;以及多個(gè)光感測(cè)像素,各自包括光感測(cè)單元,光感測(cè)單元包括光學(xué)元件和用于根據(jù)光學(xué)元件的光電流向多條感測(cè)線中的任意一條施加感測(cè)電流的感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元。多個(gè)光感測(cè)像素中的任意一個(gè)的感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在多個(gè)顯示像素之中的第一顯示像素的像素驅(qū)動(dòng)單元的一側(cè)。第一光感測(cè)像素的感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元與多條掃描寫入線中的至少一條、多條掃描初始化線中的一條、多條掃描控制線中的一條、多條發(fā)光線中的一條以及多條感測(cè)線中的至少一條重疊。

    7、其他實(shí)施例的特定細(xì)節(jié)包括在詳細(xì)的描述和附圖中。

    8、[有益效果]

    9、根據(jù)本公開的實(shí)施例中的顯示裝置,由于用于指紋檢測(cè)的光感測(cè)像素設(shè)置在整個(gè)顯示區(qū)域中,因此即使用戶將手指的指紋放置在顯示面板的顯示區(qū)域中任何地方,顯示裝置也可以執(zhí)行指紋認(rèn)證。

    10、根據(jù)本公開的實(shí)施例中的顯示裝置,由于附加感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元,因此盡管顯示面板的每單位面積的像素的數(shù)量增加,但感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元的面積可以最小化,并且因此第一像素驅(qū)動(dòng)單元至第四像素驅(qū)動(dòng)單元中的每一者的面積減少可以最小化。

    11、根據(jù)本公開的實(shí)施例中的顯示裝置,由于像素驅(qū)動(dòng)單元的第二晶體管和第三晶體管形成為n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet),因此第二感測(cè)晶體管和第三感測(cè)晶體管中的至少一者可以形成為n型mosfet,而無需單獨(dú)工藝。因此,通過將第二感測(cè)晶體管和第三感測(cè)晶體管中的至少一者形成為n型mosfet,可以減少由于第二感測(cè)晶體管的截止漏電流和/或第三感測(cè)晶體管的截止漏電流導(dǎo)致的指紋感測(cè)能力的下降。

    12、根據(jù)本公開的實(shí)施例中的顯示裝置,像素驅(qū)動(dòng)單元和感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元共享掃描控制線、掃描初始化線、發(fā)光線和掃描偏置線中的至少一者、第一電源線以及第二電源線。因此,優(yōu)點(diǎn)在于,即使附加感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元也不需要用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元的單獨(dú)信號(hào)施加到的單獨(dú)布線。

    13、應(yīng)注意的是,本公開的效果不限于上面描述的效果,并且根據(jù)下面的描述,本公開的其他效果將是明顯的。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種顯示裝置,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一感測(cè)晶體管的所述溝道層由多晶硅制成,并且所述第二感測(cè)晶體管的所述溝道層由氧化物半導(dǎo)體制成。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一感測(cè)晶體管形成為P型MOSFET,并且所述第二感測(cè)晶體管形成為N型MOSFET。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元還包括:第三感測(cè)晶體管,用于將所述第一感測(cè)晶體管的所述感測(cè)電流施加到所述感測(cè)線,

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管的所述溝道層由氧化物半導(dǎo)體形成。

    6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管形成為N型MOSFET。

    7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,還包括:

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管根據(jù)所述多條掃描初始化線之中的第k掃描初始化線的第k掃描初始化信號(hào)將所述第一感測(cè)晶體管的所述第一電極電連接到所述感測(cè)線。

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:</p>

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元還包括:第三感測(cè)晶體管,用于將所述第一感測(cè)晶體管的所述感測(cè)電流施加到所述感測(cè)線,

    11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管的所述溝道層由多晶硅制成。

    12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管形成為P型MOSFET。

    13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,還包括:

    14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:

    15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,還包括:

    16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:

    17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)光感測(cè)像素中的任意一個(gè)的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述多個(gè)顯示像素中的任意一個(gè)的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的一側(cè)。

    18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置,還包括:

    19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)光感測(cè)像素中的任意一個(gè)的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述多個(gè)顯示像素之中的在所述感測(cè)線的延伸方向上彼此相鄰的兩個(gè)顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的一側(cè)。

    20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置,還包括:

    21.一種顯示裝置,包括:

    22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)顯示像素之中的第二顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述第一顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的另一側(cè),

    23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示裝置,其中,所述第一光感測(cè)像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元、所述第二光感測(cè)像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元、所述第一顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元和所述第二顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元在所述第三方向上與所述多條掃描寫入線之中的第一掃描寫入線、所述多條掃描初始化線之中的第一掃描初始化線、所述多條掃描控制線之中的第一掃描控制線和所述多條發(fā)光線之中的第一發(fā)光線重疊。

    24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)光感測(cè)像素之中的所述第二光感測(cè)像素的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述第一顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的另一側(cè),

    25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)顯示像素之中的第二顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述第一光感測(cè)像素的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元的一側(cè),

    26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置,其中,所述第一光感測(cè)像素的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元的在所述第二方向上的長(zhǎng)度大于所述第一顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的在所述第二方向上的長(zhǎng)度和所述第二顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的在所述第二方向上的長(zhǎng)度。

    27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置,其中,所述第一光感測(cè)像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元在所述第三方向上與所述多條掃描寫入線之中的第一掃描寫入線和第二掃描寫入線、所述多條掃描初始化線之中的第一掃描初始化線和第二掃描初始化線、所述多條掃描控制線之中的第一掃描控制線和第二掃描控制線以及所述多條發(fā)光線之中的第一發(fā)光線和第二發(fā)光線重疊。

    28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示裝置,其中,所述第一顯示像素的所述像素驅(qū)動(dòng)單元與所述第一掃描寫入線、所述第一掃描初始化線、所述第一掃描控制線和所述第一發(fā)光線重疊,

    29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置,其中,所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元包括:

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    【技術(shù)特征摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】

    1.一種顯示裝置,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一感測(cè)晶體管的所述溝道層由多晶硅制成,并且所述第二感測(cè)晶體管的所述溝道層由氧化物半導(dǎo)體制成。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一感測(cè)晶體管形成為p型mosfet,并且所述第二感測(cè)晶體管形成為n型mosfet。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元還包括:第三感測(cè)晶體管,用于將所述第一感測(cè)晶體管的所述感測(cè)電流施加到所述感測(cè)線,

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管的所述溝道層由氧化物半導(dǎo)體形成。

    6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管形成為n型mosfet。

    7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,還包括:

    8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管根據(jù)所述多條掃描初始化線之中的第k掃描初始化線的第k掃描初始化信號(hào)將所述第一感測(cè)晶體管的所述第一電極電連接到所述感測(cè)線。

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:

    10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元還包括:第三感測(cè)晶體管,用于將所述第一感測(cè)晶體管的所述感測(cè)電流施加到所述感測(cè)線,

    11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管的所述溝道層由多晶硅制成。

    12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,所述第三感測(cè)晶體管形成為p型mosfet。

    13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,還包括:

    14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:

    15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,還包括:

    16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置,其中,所述像素驅(qū)動(dòng)單元包括:

    17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)光感測(cè)像素中的任意一個(gè)的所述感測(cè)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在所述多個(gè)顯示像素中的任意一個(gè)的所述像素驅(qū)動(dòng)單元的一側(cè)。

    18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置,還包括:

    19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個(gè)光感測(cè)像素中的任...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:宋姬林樸喜真李柔辰李哲坤田武經(jīng)
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:三星顯示有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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