【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及磁共振成像系統，具體的說是一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容。
技術介紹
1、磁共振成像是一種先進的人體無損成像的技術，廣泛應用于人體各個部位疾病的醫學影像診斷。磁共振射頻線圈是磁共振成像系統的重要組成部分，其性能直接決定著磁共振圖像質量的好壞。
2、傳統的磁共振射頻線圈由若干個集總式電容（一般為陶瓷電容）和若干段導體依次交替設置并連接形成回路，這些電容和導體通常附著在絕緣介質層（如fr4板或聚酰亞胺薄膜）上。這些導體自身的電感和電容形成一個射頻諧振回路，其諧振頻率等于磁共振信號的頻率時能夠最有效地探測人體所發出的微弱的磁共振射頻信號。線圈諧振頻率的調節是通過改變電容的數量、位置和電容值來實現的。
3、分布式電容技術使用若干段互不連接的導體，利用這些導體所形成分布式電容。這些導體一方面形成電感，而同時也參與形成分布式電容，通過調節這些導體的長度、寬度、相對位置等方式可以調節其諧振頻率，當諧振頻率等于磁共振信號頻率時，就能有效地探測磁共振射頻信號。分布式電容的結構為上層導體、下層導體和絕緣介質層，所述上層導體和所述下層導體位于所述絕緣介質的上表面和下表面。上層導體和下層導體之間在垂直方向的交疊面積就決定了這個分布式電容的大小。通過調節上層導體和下層導體之間在電容垂直方向的交疊面積就可以調節電容大小，從而改變線圈的諧振頻率。一般磁共振射頻線圈使用的分布電容上層導體和下層導體在交疊區域在電容的垂直方向上是重合的，而中間的絕緣介質層采用柔性材料，例如聚酰亞胺薄膜。在實際生產過程中，只需要使用
4、因此，如何在磁共振成像射頻線圈上使用分布式電容，同時避免電容上下兩層導體在調節電容值大小時候連接在一起形成短路點就是要解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術為克服現有技術的不足，提供一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，每個有效電容的單元面積都相同，并且具有相同大小的電容值，這樣方便一次性裁剪即可得到所要求的電容值。
2、為實現上述目的，設計一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，包括上層導體、下層導體、絕緣介質層，其特征在于：上層導體位于絕緣介質層的上表面，下層導體位于絕緣介質層的下表面；上層導體和下層導體之間在垂直方向的交疊部分為有效電容，所述的有效電容的面積為有效電容值。
3、所述的上層導體包括主電容的上層導體、有效電容的上層導體、電容連接導體上層，主電容的上層導體的一側連接有效電容的上層導體，在有效電容的上層導體上均布設有若干電容連接導體上層。
4、所述的電容連接導體上層通過光刻腐蝕形成。
5、所述的下層導體包括主電容的下層導體、有效電容的下層導體、電容連接導體下層，主電容的下層導體的一側連接有效電容的下層導體，在有效電容的下層導體上均布設有若干電容連接導體下層。
6、所述的電容連接導體下層通過光刻腐蝕形成。
7、所述的有效電容的上層導體與有效電容的下層導體相互重疊形成有效電容，電容連接導體上層與電容連接導體下層之間設有間隙。
8、所述的有效電容為正方形、圓形，或者其它規則形狀中的一種。
9、一種通過所述的用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容的電容值調節方法，其特征在于，具體方法如下：
10、s1，將上層導體、絕緣介質層、下層導體從上至下依次疊放，上層導體的主電容的上層導體與下層導體的主電容的下層導體上下重疊形成主電容；上層導體的有效電容的上層導體與下層導體的電容連接導體下層上下重疊形成有效電容；整個分布式電容的電容值=主電容+有效電容×有效電容的數量；
11、s2，根據實際情況，裁剪掉有效電容的數量。
12、本專利技術同現有技術相比，提供一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，分布式可調電容的有效電容的單元面積都相同，并且具有相同大小的電容值，這樣在裁剪分布式可調電容減小電容值的時候只要數出相應數量的有效電容并剪去就可以了，而不需要每次減去很少一點多次嘗試，大大節約了磁共振射頻成像射頻線圈的調試時間。
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1.一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，包括上層導體、下層導體、絕緣介質層，其特征在于：上層導體（1）位于絕緣介質層（2）的上表面，下層導體（3）位于絕緣介質層（2）的下表面；上層導體（1）和下層導體（3）之間在垂直方向的交疊部分為有效電容（4），所述的有效電容（4）的面積為有效電容值。
2.根據權利要求1所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的上層導體（1）包括主電容的上層導體、有效電容的上層導體、電容連接導體上層，主電容的上層導體（1-1）的一側連接有效電容的上層導體（1-2），在有效電容的上層導體（1-2）上均布設有若干電容連接導體上層（1-3）。
3.根據權利要求2所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的電容連接導體上層（1-3）通過光刻腐蝕形成。
4.根據權利要求1所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的下層導體（3）包括主電容的下層導體、有效電容的下層導體、電容連接導體下層，主電容的下層導體（3-1）的一側連接有效電容的下層導體（3-2），在
5.根據權利要求4所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的電容連接導體下層（3-3）通過光刻腐蝕形成。
6.根據權利要求2所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的有效電容的上層導體（1-2）與有效電容的下層導體（3-2）相互重疊形成有效電容（4），電容連接導體上層（1-3）與電容連接導體下層（3-3）之間設有間隙。
7.根據權利要求1或6所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的有效電容（4）為正方形、圓形，或者其它規則形狀中的一種。
8.一種通過權利要求1所述的用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容的電容值調節方法，其特征在于，具體方法如下：
...【技術特征摘要】
1.一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，包括上層導體、下層導體、絕緣介質層，其特征在于：上層導體（1）位于絕緣介質層（2）的上表面，下層導體（3）位于絕緣介質層（2）的下表面；上層導體（1）和下層導體（3）之間在垂直方向的交疊部分為有效電容（4），所述的有效電容（4）的面積為有效電容值。
2.根據權利要求1所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的上層導體（1）包括主電容的上層導體、有效電容的上層導體、電容連接導體上層，主電容的上層導體（1-1）的一側連接有效電容的上層導體（1-2），在有效電容的上層導體（1-2）上均布設有若干電容連接導體上層（1-3）。
3.根據權利要求2所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的電容連接導體上層（1-3）通過光刻腐蝕形成。
4.根據權利要求1所述的一種用于磁共振成像射頻線圈的分布式可調電容，其特征在于：所述的下層導體（3）包括主電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何鈞，吳強，張家瑋，沈江，張健軍，漆彥輝，鄧華瓊，
申請(專利權)人：上海辰光醫療科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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