【技術實現步驟摘要】
本揭露涉及一種電子裝置，尤其涉及一種可降低阻抗的電子裝置。
技術介紹
1、電子裝置或拼接電子裝置已廣泛地應用于通訊、顯示、車用或航空等不同領域中。隨電子裝置蓬勃發展，電子裝置朝向輕薄化開發，因此對于電子裝置的可靠度或質量要求越高。
技術實現思路
1、本揭露是提供一種電子裝置，其可減少接墊(或金屬層)的損傷或可降低接墊(或金屬層)與其他導電材料之間的阻抗。
2、根據本揭露的實施例，電子裝置包括芯片、保護層、封裝層以及電路結構。芯片具有基底層與至少一接墊。至少一接墊設置在基底層的第一側。保護層設置于第一側上且具有至少一開口。至少一開口暴露部分的至少一接墊。封裝層圍繞芯片與保護層。電路結構設置于封裝層上且電性連接芯片。至少一接墊具有凹面。電路結構的一部分接觸凹面。
【技術保護點】
1.一種電子裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一接墊的所述凹面的深度為30納米至70納米。
3.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一接墊的所述凹面的深度與所述至少一接墊的高度的比值為1％至15％。
4.根據權利要求3所述的電子裝置，其特征在于，所述比值為3％至10％。
5.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述保護層的所述至少一開口重疊所述至少一接墊的所述凹面。
6.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述電路結構包括：
7.根據權利要求6所述的電子裝置，其特征在于，所述凹陷的深度為0.1微米至5微米。
8.根據權利要求6所述的電子裝置，其特征在于，所述第一金屬層接觸所述至少一接墊的所述凹面。
9.根據權利要求6所述的電子裝置，其特征在于，所述第二金屬層接觸所述第一金屬層的所述凹陷。
10.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述芯片還具有連接所述第一側的側表面，所述保護層具有側表面，
【技術特征摘要】
1.一種電子裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一接墊的所述凹面的深度為30納米至70納米。
3.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述至少一接墊的所述凹面的深度與所述至少一接墊的高度的比值為1％至15％。
4.根據權利要求3所述的電子裝置，其特征在于，所述比值為3％至10％。
5.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述保護層的所述至少一開口重疊所述至少一接墊的所述凹面。
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳清煒，蕭修賢，
申請(專利權)人：群創光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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