【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其涉及一種斬波電路的版圖結構和布局方法。
技術介紹
1、斬波電路負責將輸入信號調制高頻，目的是將信號與低頻噪聲和失調電壓分離。在高共模抑制比、低失調電壓、低增益誤差、具有固定增益的高精度放大器設計中，輸入失調電壓是一個非常關鍵的設計參數。斬波電路是利用斬波特性來降低輸入失調電壓，常以mos(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金氧半場效晶體管)開關來構建，由于cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor，互補金屬氧化物半導體)結構存在寄生電容，包括器件本身寄生電容以及外部連線寄生電容，當相位信號與輸入或者輸出的寄生電容不一致時，則會產生額外的輸入失調電壓。因此，亟需一種對相位信號產生的寄生電容的處理方式。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術實施例的目的在于提供一種斬波電路的版圖結構和布局方法，可以減少相位信號線與傳輸信號線之間的寄生電容，提升電路性能。
2、第一方面，本專利技術實施例提供了一種斬波電路的版圖結構，所述版圖結構包括：
3、4n組晶體管，每組晶體管包括兩個晶體管，兩個晶體管的類型相同，兩個晶體管沿第一方向排列設置且相鄰的一端為同一極；
4、一組相位信號線，與所述晶體管的柵極連接；
5、n組第一傳輸信號線，與每個所述晶體管的漏極或源極中的一個連接；
6、n組第二傳輸信號線，與每個
7、其中，相同類型的晶體管沿第一方向排列設置，不同類型的晶體管沿第二方向排列設置，n大于等于1。
8、在一些實施例中，所述版圖結構還包括：
9、一組屏蔽線，設置在所述相位信號線的兩側。
10、在一些實施例中，n等于1，所述4n組晶體管包括：
11、第一組晶體管，包括第一p型晶體管和第二p型晶體管；
12、第二組晶體管，包括第三p型晶體管和第四p型晶體管；
13、第三組晶體管，包括第一n型晶體管和第二n型晶體管；
14、第四組晶體管，包括第三n型晶體管和第四n型晶體管。
15、在一些實施例中，所述一組相位信號線包括：
16、第一相位信號線，與所述第一n型晶體管、第二p型晶體管、第三p型晶體管和第四n型晶體管的柵極連接；
17、第二相位信號線，與所述第一p型晶體管、第二n型晶體管、第三n型晶體管和第四p型晶體管的柵極連接。
18、在一些實施例中，所述第一相位信號線和第二相位信號線沿第一方向延伸設置，且互相平行設置。
19、在一些實施例中，所述一組屏蔽線包括：
20、第一屏蔽線和第二屏蔽線，其中，所述第一相位信號線和所述第二相位信號線位于所述第一屏蔽線與所述第二屏蔽線之間。
21、在一些實施例中，所述第一組晶體管和第二組晶體管沿第一方向排列設置在所述第一屏蔽線的第一側，所述第三組晶體管和第四組晶體管沿第一方向排列設置在所述第二屏蔽線的第二側，其中，所述第一屏蔽線的第一側與第二側相對，所述第二屏蔽線的第一側和第二側相對，所述第一屏蔽線的第二側與所述第二屏蔽線的第一側相鄰。
22、在一些實施例中，n組第一傳輸信號線或者n組第二傳輸信號線與每組晶體管中兩個晶體管相互相鄰的漏極或源極連接。
23、在一些實施例中，一組第一傳輸信號線包括第一連接線和第二連接線，所述第一連接線和第二連接線平行，且沿第二方向設置，所述第一方向與所述第二方向垂直；
24、一組第二傳輸信號線包括第三連接線和第四連接線，所述第三連接線和第四連接線平行，且沿第二方向設置，所述第一方向與所述第二方向垂直。
25、在一些實施例中，所述第一p型晶體管和第二p型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第一n型晶體管和第二n型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第三p型晶體管和第四p型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側，所述第三n型晶體管和第四n型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側。
26、在一些實施例中，所述第一組晶體管和第三組晶體管設置在所述第三連接線和第四連接線的一側，所述第二組晶體管和第四組晶體管設置在所述第三連接線和第四連接線的相對的另一側。
27、在一些實施例中，所述第一相位信號線、第二相位信號線、第一屏蔽線、第二屏蔽線設置在相同的金屬連接層。
28、在一些實施例中，所述版圖結構還包括：
29、屏蔽層，設置在所述第一相位信號線、第二相位信號線、第一屏蔽線、第二屏蔽線的上方的金屬連接層，與所述第一屏蔽線和第二屏蔽線通過通孔連接。
30、在一些實施例中，所述版圖結構還包括：
31、第一輔助連接線和第二輔助連接線，沿第一方向延伸，且沿第二方向設置在所述第一組晶體管和第二組晶體管的第一側；
32、第三輔助連接線和第四輔助連接線，沿第一方向延伸，且沿第二方向設置在所述第三組晶體管和第四組晶體管的第二側；
33、其中，所述第三連接線與第二輔助連接線和第三輔助連接線連接，所述第四連接線與第一輔助連接線和第四輔助連接線連接。
34、在一些實施例中，所述版圖結構還包括：
35、第五輔助連接線，沿第一方向延伸；
36、第六輔助連接線，沿第一方向延伸，與所述第五輔助連接線平行設置，且設置在所述第一組晶體管和第二組晶體管的第一側或設置在所述第三組晶體管和第四組晶體管的第二側；
37、其中，所述第三連接線與第五輔助連接線連接，所述第四連接線與第六輔助連接線連接。
38、在一些實施例中，所述第一連接線和所述第二連接線為輸入/輸出信號連接線，所述第三連接線和所述第四連接線為輸出/輸入信號連接線；
39、其中，所述第一連接線與所述第一p型晶體管和第二p型晶體管的源極/漏極連接，與所述第一n型晶體管和第二n型晶體管的漏極/源極連接；
40、第二連接線與所述第三p型晶體管和第四p型晶體管的源極/漏極連接，與所述第三n型晶體管和第四n型晶體管的漏極/源極連接；
41、第二輔助連接線與所述第二p型晶體管和第四p型晶體管的漏極/源極連接；
42、第三輔助連接線與所述第二n型晶體管和第四n型晶體管的源極/漏極連接；
43、第一輔助連接線與所述第一p型晶體管和第三p型晶體管的漏極/源極連接；
44、第四輔助連接線與所述第一n型晶體管和第三n型晶體管的源極/漏極連接。
45、在一些實施例中，所述第一連接線和所述第二連接線為輸入/輸出信號連接線，所述第三連接線和所述第四連接線為輸出/輸入信號連接線；
46、其中，所述第一連接線與所述第一p型晶體管和第二p型晶體管的源極/漏極連接，與所述第一n型晶體管和第二n型晶體管本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種斬波電路的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構包括：
2.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：
3.根據權利要求2所述的版圖結構，其特征在于，n等于1，所述4n組晶體管包括：
4.根據權利要求3所述的版圖結構，其特征在于，所述一組相位信號線包括：
5.根據權利要求4所述的版圖結構，其特征在于，所述第一相位信號線和第二相位信號線沿第一方向延伸設置，且互相平行設置。
6.根據權利要求5所述的版圖結構，其特征在于，所述一組屏蔽線包括：
7.根據權利要求6所述的版圖結構，其特征在于，所述第一組晶體管和第二組晶體管沿第一方向排列設置在所述第一屏蔽線的第一側，所述第三組晶體管和第四組晶體管沿第一方向排列設置在所述第二屏蔽線的第二側，其中，所述第一屏蔽線的第一側與第二側相對，所述第二屏蔽線的第一側和第二側相對，所述第一屏蔽線的第二側與所述第二屏蔽線的第一側相鄰。
8.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，n組第一傳輸信號線或者n組第二傳輸信號線與每組晶體管中兩個晶體管相互相鄰
9.根據權利要求3所述的版圖結構，其特征在于，一組第一傳輸信號線包括第一連接線和第二連接線，所述第一連接線和第二連接線平行，且沿第二方向設置，所述第一方向與所述第二方向垂直；
10.根據權利要求9所述的版圖結構，其特征在于，所述第一P型晶體管和第二P型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第一N型晶體管和第二N型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第三P型晶體管和第四P型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側，所述第三N型晶體管和第四N型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側。
11.根據權利要求10所述的版圖結構，其特征在于，所述第一組晶體管和第三組晶體管設置在所述第三連接線和第四連接線的一側，所述第二組晶體管和第四組晶體管設置在所述第三連接線和第四連接線的相對的另一側。
12.根據權利要求6所述的版圖結構，其特征在于，所述第一相位信號線、第二相位信號線、第一屏蔽線、第二屏蔽線設置在相同的金屬連接層。
13.根據權利要求12所述的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：
14.根據權利要求9所述的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：
15.根據權利要求9所述的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：
16.根據權利要求14所述的版圖結構，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線為輸入/輸出信號連接線，所述第三連接線和所述第四連接線為輸出/輸入信號連接線；
17.根據權利要求15所述的版圖結構，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線為輸入/輸出信號連接線，所述第三連接線和所述第四連接線為輸出/輸入信號連接線；
18.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述相位信號線與傳輸信號線設置在不同的金屬連接層。
19.根據權利要求18所述的版圖結構，其特征在于，所述相位信號線設置在最低層次的金屬連接層中，所述傳輸信號線在最高層次的金屬連接層中。
20.根據權利要求15所述的版圖結構，其特征在于，所述輔助連接線、相位信號線設置在相同的金屬連接層，且所述相位信號線與所述輔助連接線之間的距離大于預定值。
21.根據權利要求2所述的版圖結構，其特征在于，n大于1，所述4n組晶體管包括：
22.一種斬波電路的版圖結構的布局方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種斬波電路的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構包括：
2.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構還包括：
3.根據權利要求2所述的版圖結構，其特征在于，n等于1，所述4n組晶體管包括：
4.根據權利要求3所述的版圖結構，其特征在于，所述一組相位信號線包括：
5.根據權利要求4所述的版圖結構，其特征在于，所述第一相位信號線和第二相位信號線沿第一方向延伸設置，且互相平行設置。
6.根據權利要求5所述的版圖結構，其特征在于，所述一組屏蔽線包括：
7.根據權利要求6所述的版圖結構，其特征在于，所述第一組晶體管和第二組晶體管沿第一方向排列設置在所述第一屏蔽線的第一側，所述第三組晶體管和第四組晶體管沿第一方向排列設置在所述第二屏蔽線的第二側，其中，所述第一屏蔽線的第一側與第二側相對，所述第二屏蔽線的第一側和第二側相對，所述第一屏蔽線的第二側與所述第二屏蔽線的第一側相鄰。
8.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，n組第一傳輸信號線或者n組第二傳輸信號線與每組晶體管中兩個晶體管相互相鄰的漏極或源極連接。
9.根據權利要求3所述的版圖結構，其特征在于，一組第一傳輸信號線包括第一連接線和第二連接線，所述第一連接線和第二連接線平行，且沿第二方向設置，所述第一方向與所述第二方向垂直；
10.根據權利要求9所述的版圖結構，其特征在于，所述第一p型晶體管和第二p型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第一n型晶體管和第二n型晶體管對稱設置在所述第一連接線的兩側，所述第三p型晶體管和第四p型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側，所述第三n型晶體管和第四n型晶體管對稱設置在所述第二連接線的兩側。
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚剛，高笛，曾悅，
申請(專利權)人：矽力杰半導體技術杭州有限公司，
類型：發明
國別省市：
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