【技術實現步驟摘要】
本技術涉及工裝治具，尤其涉及防呆輔助治具。
技術介紹
1、絕緣柵雙極晶體管(insulate-gate?bipolar?transistor—igbt)是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低，因此其應用領域很廣泛。
2、在實際生產的過程中，有時需要在同一板材上放置不同種類的多個igbt，手工直接放置時容易出錯，導致個別igbt放在板材上的錯誤位置，導致產品不良率偏高。
技術實現思路
1、本技術所要解決的技術問題是：提供一種在板材上放置igbt時使用的防呆輔助治具，該防呆輔助治具能夠發揮防呆作用，從而提高生產良率。
2、為了解決上述技術問題，本技術采用的技術方案為：防呆輔助治具，包括底板和蓋板，所述底板上設有底座、第一立壁及第二立壁，所述底座位于所述第一立壁與所述第二立壁之間，所述底座的頂面設有用于放置板材的放置槽；所述蓋板的一端與所述第一立壁轉動連接，所述蓋板的另一端設有手柄，所述蓋板上設有多個定位槽以及多個標記，所述標記靠近所述定位槽且與所述定位槽一一對應設置，至少有兩個所述標記不相同；當所述蓋板處于蓋合狀態時，所述蓋板位于所述放置槽的上方，所述定位槽的底部連通所述放置槽，所
3、進一步地，所述第二立壁的頂面具有朝上凸出的兩個限位凸起，當所述蓋板處于蓋合狀態時，所述手柄的部分區域位于兩個所述限位凸起之間。
4、進一步地，所述限位凸起與所述第二立壁為一體加工成型的一體式結構。
5、進一步地，所述標記包括顏色標識、圖案標識和文字標識中的至少一種。
6、進一步地，所述第一立壁通過鉸鏈與所述蓋板轉動連接。
7、進一步地，所述底板、底座、第一立壁及第二立壁中至少有一者的材質為電木。
8、本技術的有益效果在于：組裝人員在使用本防呆輔助治具時，先將板材放入放置槽中，然后轉動蓋板使蓋板處于蓋合狀態，然后按照蓋板上的標識將相應種類的igbt放置到標記對應的定位槽中，待各個igbt全部放置完畢后，轉動蓋板使蓋板處于開啟狀態后，igbt留存在板材上，此時，從底座上取出板材即可，整個過程簡潔明了，達到了防呆效果，避免工作人員出現錯放、誤放igbt現象，利于保證生產良率，同時，由于蓋板上的定位槽能夠發揮定位作用，也有利于提高igbt放置位置的精度，從而更大程度地提高生產良率；另外，本防呆輔助治具結構簡單，加工制造容易，生產成本低廉，容易大范圍推廣應用。
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1.防呆輔助治具，其特征在于，包括底板和蓋板，所述底板上設有底座、第一立壁及第二立壁，所述底座位于所述第一立壁與所述第二立壁之間，所述底座的頂面設有用于放置板材的放置槽；所述蓋板的一端與所述第一立壁轉動連接，所述蓋板的另一端設有手柄，所述蓋板上設有多個定位槽以及多個標記，所述標記靠近所述定位槽且與所述定位槽一一對應設置，至少有兩個所述標記不相同；當所述蓋板處于蓋合狀態時，所述蓋板位于所述放置槽的上方，所述定位槽的底部連通所述放置槽，所述手柄接觸所述第二立壁的頂面且所述手柄的端部相對于所述第二立壁遠離所述底座的側面朝遠離所述底座的方向凸出。
2.根據權利要求1所述的防呆輔助治具，其特征在于，所述第二立壁的頂面具有朝上凸出的兩個限位凸起，當所述蓋板處于蓋合狀態時，所述手柄的部分區域位于兩個所述限位凸起之間。
3.根據權利要求2所述的防呆輔助治具，其特征在于，所述限位凸起與所述第二立壁為一體加工成型的一體式結構。
4.根據權利要求1所述的防呆輔助治具，其特征在于，所述標記包括顏色標識、圖案標識和文字標識中的至少一種。
5.根據權利要求1所
6.根據權利要求1所述的防呆輔助治具，其特征在于，所述底板、底座、第一立壁及第二立壁中至少有一者的材質為電木。
...【技術特征摘要】
1.防呆輔助治具，其特征在于，包括底板和蓋板，所述底板上設有底座、第一立壁及第二立壁，所述底座位于所述第一立壁與所述第二立壁之間，所述底座的頂面設有用于放置板材的放置槽；所述蓋板的一端與所述第一立壁轉動連接，所述蓋板的另一端設有手柄，所述蓋板上設有多個定位槽以及多個標記，所述標記靠近所述定位槽且與所述定位槽一一對應設置，至少有兩個所述標記不相同；當所述蓋板處于蓋合狀態時，所述蓋板位于所述放置槽的上方，所述定位槽的底部連通所述放置槽，所述手柄接觸所述第二立壁的頂面且所述手柄的端部相對于所述第二立壁遠離所述底座的側面朝遠離所述底座的方向凸出。
2.根據權利要求1所述的防呆輔助治具...
【專利技術屬性】
技術研發人員：安永建，諶冬輝，
申請(專利權)人：珠海銀河耐吉科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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