【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種電感器件，尤其涉及一種初次級線圈之間絕緣優化的tlvr耦合電感器，屬于基本電子元器件。
技術介紹
1、電感是電子設備中最為常用的一種元器件，被廣泛地使用于各類電路中，可以達到濾波、儲能、匹配、諧振之功用。在電子產品日趨小型化，便攜式，組件高密度裝配下，電感組件得以快速發展；且在電磁兼容的考慮下，電子產品的抗電磁干擾能力更成為基本的設計要求，由此加重了電感需求及應用。
2、tlvr（trans-inductor?voltage?regulator，傳導電感式穩壓器）架構是近幾年新發展起來的一種vr（voltage?regulator，電壓逆變器）供電架構，它同傳統的dc?to?dcbuck（直流-直流降壓），dc（直流）架構，最大的區別就是將傳統的單繞線的普通電感更換為了具備雙繞線的類似于變壓器的tlvr電感，普通電感只有一組繞線搭配兩個管腳，而tlvr電感具備兩組相互耦合的繞線搭配4個管腳，兩者在結構形式上存在極大的差異。
3、然而，當前此類電感器件體積日益朝小型化發展，而成品電感器的各端子pin腳之間間距狹小。在圖1所示的變壓器電感應用中，應用端發現初級線圈與次級線圈間存在潛在電壓n*(vin-vout)，n為階數。因此，需要使得電感器的初次級線圈之間具備一定耐壓強度的絕緣隔離。
技術實現思路
1、鑒于現有技術存在的上述缺陷，本技術的目的是提出一種初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，以切實提高兩級線圈之間的絕緣隔離。
2、本技
3、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，所述初級線圈的外側與容腔的內壁間隙配合，初級線圈與次級線圈之間間隙配合，且三者的對稱中心面重合。
4、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，所述端面處由磁性粉材填平空隙并熱壓成型為低于管腳外露部分的面狀。
5、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，四個管腳經激光剝漆所得的端子pin腳均位于磁芯組合體的端面。
6、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，所述第二管腳和第三管腳經激光剝漆所得的端子pin腳位于磁芯組合體的端面，且所述第一管腳和第四管腳經激光剝漆所得的端子pin腳位于磁芯組合體靠近端面的側面轉角處。
7、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，所述凸柱的高度、初級線圈的厚度和次級線圈的厚度一致，兩級線圈緊貼夾合于磁芯組合體之中。
8、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，所述凸柱靠近管腳偏移定位，使得次級線圈所成型的管腳局部高出磁芯組合體的端面。
9、上述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，進一步地，磁芯組合體中所述t型磁芯和u型磁芯為在預設模具中填充磁性粉末材料的預壓成型體，所述tlvr耦合電感器為兩個磁芯和兩級線圈組合的熱壓成型體。
10、與現有技術相比，應用本技術該初次級線圈絕緣優化的電感器結構，優點體現于：通過對初級線圈在組裝前在其表面成型樹脂絕緣層，實現了電感器內兩級線圈的充分隔離，并配合激光剝漆的定位和面積控制，大幅提高了兩級線圈之間的絕緣性能，即具備耐壓大于150v?dc的能力；同時保持兩級線圈間的耦合系數高于0.9。
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1.一種初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，包括初級線圈，次級線圈和磁芯組合體，其中初級線圈基于截形為方形的導電金屬條成型為寬口U型部并裝配相容于磁芯組合體中U型磁芯的容腔中，且初級線圈的兩端向外彎折成型為第一管腳和第四管腳，次級線圈基于導電金屬片成型為窄口U型部并套接于磁芯組合體中T型磁芯的凸柱上，且次級線圈的兩端彎折包裹凸柱成為第二管腳和第三管腳，次級線圈嵌套于初級線圈之中且整體封裝與磁芯組合體之中，其特征在于：所述初級線圈表面包覆處理設有樹脂絕緣層，四個管腳局部高出磁芯組合體的端面，且針對四個管腳的激光剝漆面積小于所形成的端子PIN腳之間的絕緣面積。
2.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：所述初級線圈的外側與容腔的內壁間隙配合，初級線圈與次級線圈之間間隙配合，且三者的對稱中心面重合。
3.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：所述端面處由磁性粉材填平空隙并熱壓成型為低于管腳外露部分的面狀。
4.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：四個
5.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：所述第二管腳和第三管腳經激光剝漆所得的端子PIN腳位于磁芯組合體的端面，且所述第一管腳和第四管腳經激光剝漆所得的端子PIN腳位于磁芯組合體靠近端面的側面轉角處。
6.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：所述凸柱的高度、初級線圈的厚度和次級線圈的厚度一致，兩級線圈緊貼夾合于磁芯組合體之中。
7.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：所述凸柱靠近管腳偏移定位，使得次級線圈所成型的管腳局部高出磁芯組合體的端面。
8.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的TLVR耦合電感器，其特征在于：磁芯組合體中所述T型磁芯和U型磁芯為在預設模具中填充磁性粉末材料的預壓成型體，所述TLVR耦合電感器為兩個磁芯和兩級線圈組合的熱壓成型體。
...【技術特征摘要】
1.一種初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，包括初級線圈，次級線圈和磁芯組合體，其中初級線圈基于截形為方形的導電金屬條成型為寬口u型部并裝配相容于磁芯組合體中u型磁芯的容腔中，且初級線圈的兩端向外彎折成型為第一管腳和第四管腳，次級線圈基于導電金屬片成型為窄口u型部并套接于磁芯組合體中t型磁芯的凸柱上，且次級線圈的兩端彎折包裹凸柱成為第二管腳和第三管腳，次級線圈嵌套于初級線圈之中且整體封裝與磁芯組合體之中，其特征在于：所述初級線圈表面包覆處理設有樹脂絕緣層，四個管腳局部高出磁芯組合體的端面，且針對四個管腳的激光剝漆面積小于所形成的端子pin腳之間的絕緣面積。
2.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，其特征在于：所述初級線圈的外側與容腔的內壁間隙配合，初級線圈與次級線圈之間間隙配合，且三者的對稱中心面重合。
3.根據權利要求1所述初次級線圈絕緣優化的tlvr耦合電感器，其特征在于：所述端面處由磁性粉材填平空隙并熱壓成型為低于管腳外露部分的面狀。
4.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：饒金火，林伙利，王俊文，魏大韋，
申請(專利權)人：三積瑞科技蘇州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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