【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件封裝，尤其涉及一種預防功率器件封裝后分層的方法及半導體功率器件。
技術介紹
1、隨著半導體器件的替代進程的加快，以及功率半導體器件逐步大量應用到車載領域，也對器件的可靠性提出了更高的要求。
2、但由于塑封功率器件封裝過程中會使用熱膨脹系數差異較大的裸銅或者鍍銀引線框架、焊料和塑封料，這幾種材料在塑封過程中容易出現應力不匹配或者粘接力差導致在這兩種材料的結合面出現分層或微小間隙，此分層會導致器件斷路、散熱不良或者可靠性異常，也會直接影響器件的使用，甚至會導致安全問題。因此，亟需一種用于預防功率器件封裝后分層的方法。
技術實現思路
1、本申請提供了一種預防功率器件封裝后分層的方法及半導體功率器件，能夠防止功率器件封裝后分層的問題。
2、為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：
3、本申請實施例第一方面，提供了一種預防功率器件封裝后分層的方法，所述方法包括：
4、針對壓焊完成的第一功率器件；
5、根據所述第一功率器件壓焊過程采用的引線框架，對所述第一功率器件進行清洗隔離處理，得到第二功率器件，所述清洗隔離處理包括等離子清洗處理和/或噴膠處理，所述噴膠處理為利用噴涂劑噴涂功率器件的正面區域，所述正面區域包括功率器件的載體、芯片、焊線以及引腳部位；
6、對所述第二功率器件依次進行塑封處理、固化處理和切筋處理，得到目標功率器件。
7、在一個實施例中，所述根據所述第一功率器件壓焊過程采用的引線
8、若所述第一功率器件在壓焊過程中采用裸銅引線框架，對所述第一功率器件進行所述等離子清洗處理，并對等離子清洗后的第一功率器件進行噴膠處理后，得到所述第二功率器件；
9、若所述第一功率器件在壓焊過程中采用裸銀引線框架，對所述第一功率器件進行所述等離子清洗處理，得到所述第二功率器件。
10、在一個實施例中，所述對所述第一功率器件進行所述等離子清洗處理，包括：
11、將多個所述功率器件放置在鏤空料盒中進行所述等離子清洗處理，所述鏤空料盒包括多個開放的置物區，各所述置物區用于放置所述第一功率器件。
12、在一個實施例中，對所述第二功率器件進行塑封處理，包括：
13、利用塑封上料架將多個所述第二功率器件放置于塑封模具中進行塑封處理后，利用塑封沖廢模具對塑封后的第二功率器件的廢料進行切除后，得到第三功率器件。
14、在一個實施例中，所述塑封沖廢模具的模具深度為：l+(0.4～0.6)mm，其中l為塑封后的第二功率器件的厚度。
15、在一個實施例中，所述方法還包括：
16、將所述第三功率器件置于全自動充氮主動排風式裝置中進行固化處理，得到第四功率器件。
17、在一個實施例中，所述固化處理的升溫速率為2.0～2.3℃/min，保溫時間為5.5～6.5h，降溫速率為1.7～2.0℃/min。
18、在一個實施例中，所述方法還包括：
19、利用切筋模具對所述第四功率器件進行切筋處理，得到所述目標功率器件。
20、在一個實施例中，所述切筋模具的切割面于所述第四功率器件的管腳根部之間存在0.25～0.4mm的距離。
21、本申請實施例第二方面，提供了一種半導體功率器件，采用本申請實施例第一方面中的一種預防功率器件封裝后分層的方法封裝得到。
22、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果至少包括：
23、本申請實施例提供的預防功率器件封裝后分層的方法，通過針對壓焊完成的第一功率器件；根據所述第一功率器件壓焊過程采用的引線框架，對所述第一功率器件進行清洗隔離處理，得到第二功率器件，所述清洗隔離處理包括等離子清洗處理和/或噴膠處理，所述噴膠處理為利用噴涂劑噴涂功率器件的正面區域，所述正面區域包括功率器件的載體、芯片、焊線以及引腳部位；對所述第二功率器件依次進行塑封處理、固化處理和切筋處理，得到目標功率器件。針對壓焊完成的功率器件，在塑封前先進行等離子清洗，可以清除引線框架表面的外來有機物，提高引線框架的清潔度，可以避免有機物沾污導致的框架表面異常從而引起的分層問題，此外，通過噴膠處理可以在不同材料的表面形成了一層粘接過渡層，該過渡層可以增加和塑封料的粘接強度，進一步可以提高提高了塑封料與引線框架的結合力。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種預防功率器件封裝后分層的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一功率器件壓焊過程采用的引線框架，對所述第一功率器件進行清洗隔離處理，得到第二功率器件，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述第一功率器件進行所述等離子清洗處理，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第二功率器件進行塑封處理，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述塑封沖廢模具的模具深度為：L+(0.4～0.6)mm，其中L為塑封后的第二功率器件的厚度。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述固化處理的升溫速率為2.0～2.3℃/min，保溫時間為5.5～6.5h，降溫速率為1.7～2.0℃/min。
8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述切筋模具的切割面于所述第四功率器件的管腳
10.一種半導體功率器件，其特征在于，采用權利要求1-9任一項所述的一種預防功率器件封裝后分層的方法封裝得到。
...【技術特征摘要】
1.一種預防功率器件封裝后分層的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一功率器件壓焊過程采用的引線框架，對所述第一功率器件進行清洗隔離處理，得到第二功率器件，包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述第一功率器件進行所述等離子清洗處理，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第二功率器件進行塑封處理，包括：
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述塑封沖廢模具的模具深度為：l+(0.4～0.6)mm，其中l為塑封后的第二功率器件的厚度。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉旭昌，裴紅亮，
申請(專利權)人：華羿微電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。