【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及晶硅太陽能電池，具體而言，涉及一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法及電池。
技術介紹
1、光伏發電作為新能源的重要組成部分，將承擔舉足輕重的作用。晶體硅電池是經過時間驗證的最穩定可靠的太陽電池，從多晶到單晶，從傳統鋁背場電池到p型perc電池，以及目前正在推廣的n型topcon電池(隧穿氧化層鈍化接觸)，無不受到轉化效率和度電成本驅動。
2、n型topcon電池(隧穿氧化層鈍化接觸)由于其效率和度電成本均優于傳統的p型perc電池技術，即將成為市場主流。n型topcon未來的持續降本路線十分清晰，進一步提升電池轉化效率和減薄所用n型硅片的厚度，但這兩大問題均受制于目前采用的高溫硼擴散工藝。
3、一方面，目前高溫硼擴工藝擴散溫度都在1000攝氏度以上，擴散時長達180分鐘，硅片在如此長時間高溫環境下會產生硅片彎曲和扭曲，導致硅片破損率上升，良率下降，為規避這一問題，硅片厚度需要選用140um以上的硅片，硅片厚度的下降進一步受到制約。另一方面，目前的高溫硼擴散工藝均是形成整面的p+發射極，鈍化后的p+發射極表面復合速率15～40fa，很難降低到15fa/cm2以下，因此，整面p+發射極也將進一步制約n型topcon電池效率的提升。
4、有鑒于此，特提出本申請。
技術實現思路
1、現有技術存在的問題為n型topcon電池制備過程中高溫硼擴工藝制約了硅片厚度的進一步減薄，且形成整面的p+發射極鈍化后表面復合速率高，制約了電池效率的提
2、本專利技術通過下述技術方案實現：
3、第一方面，本專利技術提供一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，包括如下步驟：
4、(1)硅基體雙面制絨處理；
5、(2)在硅基體表面通入硼源，同時通入水蒸氣進行低溫沉積bsg；
6、(3)在硅基體沉積有bsg的正面采用激光硼摻雜，形成選擇性硼摻雜p+發射極；
7、(4)將經過步驟(3)處理的硅基體表面進行氧化處理，得到氧化硅層；
8、(5)采用單面hf刻蝕工藝去除硅基體背面的bsg，采用堿性溶液進行硅基體背面拋光處理，去除背面低濃度摻硼區域，再用hf去除正面的bsg和氧化硅層，得到正面選擇性硼摻雜p+發射極。
9、在某一具體實施方式中，步驟(2)中，水蒸氣和硼源均通過氮氣攜帶進入，沉積bsg的溫度為800～950℃，時間為50～200min，沉積bsg的厚度為50～100nm。
10、在某一具體實施方式中，步驟(2)中，所述硼源采用三溴化硼或三氯化硼。
11、在某一具體實施方式中，步驟(3)中激光硼摻雜采用納秒或皮秒激光，波長為532nm，功率為50～125w。
12、在某一具體實施方式中，步驟(4)中氧化硅層厚度為5～10nm。
13、在某一具體實施方式中，步驟(5)中堿性溶液為naoh與拋光添加劑；所述拋光添加劑的包括0.2～2.5％表面活性劑、1.0％～5.0％氧化劑，其余為去離子水，拋光添加劑與堿溶液的質量比為0.5～3.0:100。
14、第二方面，本專利技術提供一種基于低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極的n型鈍化接觸太陽能電池片制備方法，包括所述的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法的步驟(1)～步驟(5)，還包括如下步驟：
15、(6)在硅基體背面制備一層隧穿氧化層，并在隧穿氧化層上制備本征非晶硅層或磷摻雜非晶硅，非晶硅層的厚度為50～200nm；
16、(7)將本征非晶硅層進行磷摻雜或退火處理；
17、(8)化學清洗，去除硅基體正面繞度的非晶硅層和磷擴生成的psg；
18、(9)在硅基體正面沉積氧化鋁層，再采用pecvd設備在正面和背面分別沉積sinx層；
19、(10)印刷燒結，經過絲網印刷完成背面銀細柵線與銀主柵線和正面銀鋁漿細柵線與銀主柵線的印刷，然后進行燒結工藝完成電池片的制作。
20、在某一具體實施方式中，步驟(10)中，所述的硅基體正面絲網印刷的銀鋁漿細柵線所在位置與選擇性硼摻雜p+發射極區域重合，保證銀細柵線與p+區域在燒結后形成良好的歐姆接觸。
21、第三方面，本專利技術提供基于低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極的n型鈍化接觸太陽能電池，采用所述選擇性硼摻雜p+發射極的n型鈍化接觸太陽能電池片制備方法制得。
22、本專利技術與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果：
23、1、本專利技術實施例提供的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法及電池，通過低溫工藝實現硼擴然后配合激光進行摻雜形成選擇性的p+發射極，低溫硼擴避免了硅片的彎曲和破損，從而減小了對硅片厚度選擇的限制，同時制得p+發射極是正面選擇性硼摻雜的p+發射極，表面復合速率低，能夠提高電池的效率；
24、2、本專利技術實施例提供的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法及電池，采用高功率激光燒灼形成的選擇p+發射極有具有較低的表面復合速率，對電池片的開路電壓和短路電流都有明顯的改善，形成的正面選擇性硼摻雜的p+發射極，相比整面p+發射極來說，鈍化后的正面p+發射極表面復合速率能夠降低，因此提升了n型topcon電池的效率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，步驟(2)中，水蒸氣和硼源均通過氮氣攜帶進入，沉積BSG的溫度為800～950℃，時間為50～200min，沉積BSG的厚度為50～100nm。
3.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述硼源采用三溴化硼或三氯化硼。
4.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，步驟(3)中激光硼摻雜采用納秒或皮秒激光，波長為532nm，功率為50～125w。
5.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求5所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，步驟(4)中氧化硅層厚度為5～10nm。
7.根據權利要求5所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，其特征在于，步驟(5)中堿性溶液為
8.一種基于低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極的N型鈍化接觸太陽能電池片制備方法，其特征在于，包括權利要求1～7任一所述的選擇性硼摻雜P+發射極制備方法，還包括如下步驟：
9.根據權利要求8所述的一種基于低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極的N型鈍化接觸太陽能電池片制備方法，其特征在于，步驟(10)中，所述的硅基體正面絲網印刷的銀鋁漿細柵線所在位置與選擇性硼摻雜P+發射極區域重合，保證銀細柵線與P+區域在燒結后形成良好的歐姆接觸。
10.基于低溫工藝的選擇性硼摻雜P+發射極的N型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，采用權利要求8或9所述方法制得。
...【技術特征摘要】
1.一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，步驟(2)中，水蒸氣和硼源均通過氮氣攜帶進入，沉積bsg的溫度為800～950℃，時間為50～200min，沉積bsg的厚度為50～100nm。
3.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述硼源采用三溴化硼或三氯化硼。
4.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，步驟(3)中激光硼摻雜采用納秒或皮秒激光，波長為532nm，功率為50～125w。
5.根據權利要求1所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求5所述的一種低溫工藝的選擇性硼摻雜p+發射極制備方法，其特征在于，步驟(4)中氧化硅層厚度為5～10...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉大偉，劉軍保，張洪濤，陳杰，劉思瑞，楊仕林，周珊合，吳秋宏，何振雄，
申請(專利權)人：綿陽炘皓新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。