【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及光伏，具體而言，涉及一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池。
技術(shù)介紹
1、接收充足的光線是太陽能電池效率提升的關(guān)鍵因素，充足的光照射可以激發(fā)更多的電子躍遷，從而提升電池對(duì)光的吸收率，提升電池的短路電流，從而提升電池的效率。
2、目前增加電池光照的方式有：①減少柵線線寬，增加光的照射面積；②增加絨面的比表面積，使光線在絨面行程變大；③增加電池背面反射率，使光線在電池背面更不容易逃逸；④減小正面減反射膜的折射率，讓更多的光線被電池吸收。
3、對(duì)于減小正面減反射膜折射率，目前通常采用的方法是通過調(diào)整膜層的厚度，來降低膜層的折射率，但是膜層厚度的調(diào)整會(huì)影響電池的鈍化性能，從而難以達(dá)到整體提高電池效率的目的。
4、有鑒于此，特提出本申請(qǐng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、現(xiàn)有技術(shù)存在的問題為目前通過調(diào)整減反射膜的厚度，來降低膜層的折射率，但是膜層厚度的調(diào)整會(huì)影響電池的鈍化性能，從而難以達(dá)到整體提高電池效率的目的，提供一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，通過改變sinx層中的si與n的比例，無需改變減反射膜的厚度，就能夠使得電池正面sinx-sionx-sio2減反射薄膜整體折射率降低，從而增加對(duì)光的吸收，大幅增加電池的短路電流，同時(shí)由于無需調(diào)整膜層厚度，能夠保留電池的鈍化性能，使電池開路電壓變化不大。
2、本專利技術(shù)通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
3、第一方面，本專利技術(shù)提供一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)，
4、所述第一sinx薄膜層的氮硅比為3.33；
5、所述第二sinx薄膜層的氮硅比為6.16；
6、所述第三sinx薄膜層的氮硅比為9.49；
7、所述第四sinx薄膜層的氮硅比為9.49。
8、在某一具體實(shí)施方式中，所述減反射膜結(jié)構(gòu)還包括依次沉積在第四sinx薄膜層上的sionx薄膜和so2薄膜。
9、第二方面，本專利技術(shù)提供一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一sinx薄膜層、第二sinx薄膜層、第三sinx薄膜層、第四sinx薄膜層；
10、所述第一sinx薄膜層的沉積工藝為：
11、在時(shí)間為35-45s下，sih4流量為2800sccm，nh3流量為9335sccm，1650mttor的壓力下恒壓；
12、在時(shí)間25-35s，功率一為12500-13500w，功率二為13500-14500w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)600ms的條件下沉積。
13、在某一具體實(shí)施方式中，所述第二sinx薄膜層的沉積工藝為：
14、在時(shí)間為35-45s下，sih4流量為1700sccm，nh3流量為10465sccm，1700mttor的壓力下恒壓；
15、在時(shí)間為150-160s，功率一為15500-16500w，功率二為16500-17500w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)600ms的條件下沉積。
16、在某一具體實(shí)施方式中，所述第三sinx薄膜層的沉積工藝為：
17、在時(shí)間為195-205s下，sih4流量為1150sccm，nh3流量為10915sccm，1700mttor的壓力，功率一為15500-16500w，功率二為16500w-17500w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)600ms的條件下沉積。
18、在某一具體實(shí)施方式中，所述第四sinx薄膜層的沉積工藝為：
19、在時(shí)間為250-260s下，sih4流量為1150sccm，nh3流量為10915sccm，1800mttor的壓力，功率一為15500-16500w，功率二為16500-17500w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)600ms的條件下沉積。
20、在某一具體實(shí)施方式中，所述減反射膜結(jié)構(gòu)還包括sionx薄膜，所述sionx薄膜包括第一sionx薄膜層和第二sionx薄膜層；
21、在時(shí)間為15-25s下，sih4流量為1200sccm，nh3流量為5200sccm，n2o流量為5200sccm，1300mttor的壓力下恒壓；在時(shí)間為120-130s，功率一為14000～14400w，功率二為14000～14400w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)1000ms的條件下沉積第一sionx薄膜層；
22、在時(shí)間為140-150s下，sih4流量為900sccm，nh3流量為5200sccm，n2o流量為8935sccm，1300mttor的壓力，功率一為14000～14400w，功率二為14000～14400w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)1000ms的條件下沉積第二sionx薄膜層。
23、在某一具體實(shí)施方式中，所述減反射膜結(jié)構(gòu)還包括so2薄膜層，所述so2薄膜層的沉積工藝為：
24、在時(shí)間為15-25s下，sih4流量為900sccm，n2o流量為11735sccm，1000mttor的壓力下恒壓；在時(shí)間為90-100s，功率一為14000～14400w，功率二為14000～14400w，脈沖開50ms，脈沖關(guān)1000ms的條件下沉積。
25、在某一具體實(shí)施方式中，減反射膜結(jié)構(gòu)沉積工藝中，溫度條件為：從溫區(qū)一到溫區(qū)九分別為460～465℃；445～450℃；440～445℃；440～445℃；445～450℃；445～450℃；440～445℃；440～435℃；425～430℃。
26、第三方面，本專利技術(shù)還提供一種高性能的光伏電池，包括所述減反射膜結(jié)構(gòu)或所述方法制得的減反射膜結(jié)構(gòu)。
27、本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果：
28、1、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，通過改變減反射膜中sinx層的si與n的比例，無需改變減反射膜的厚度，就能夠使得電池正面sinx-sionx-sio2減反射膜整體折射率降低至2.028～2.039，從而增加對(duì)光的吸收，大幅增加電池的短路電流；
29、2、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，通過增大sinx層的氮硅比，能夠使減反射膜中整體折射率降低，從而提升電池中電子躍遷數(shù)量，充足的電子更加有利于電極收集，從而增加短路電流，能夠達(dá)到56ma；
30、3、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，由于電池正面減反射膜中硅的含量下降，因此電池的電極接觸也有一定提升，增加了ff，從而獲得了較高的效率提升，達(dá)到了0.136％；
31、4、本專利技術(shù)實(shí)施例提供的一種光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)、制備方法及電池，相比現(xiàn)有減反射膜，無需調(diào)整膜層厚度，能夠保留電池的鈍化性能本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)，包括電池片正面設(shè)置的減反射膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一SiNx薄膜層、第二SiNx薄膜層、第三SiNx薄膜層、第四SiNx薄膜層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)還包括依次沉積在第四SiNx薄膜層上的SiONx薄膜和SO2薄膜。
3.一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一SiNx薄膜層、第二SiNx薄膜層、第三SiNx薄膜層、第四SiNx薄膜層；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第二SiNx薄膜層的沉積工藝為：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第三SiNx薄膜層的沉積工藝為：
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第四SiNx薄膜層的沉積工藝為：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)，包括電池片正面設(shè)置的減反射膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一sinx薄膜層、第二sinx薄膜層、第三sinx薄膜層、第四sinx薄膜層；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)還包括依次沉積在第四sinx薄膜層上的sionx薄膜和so2薄膜。
3.一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述減反射膜結(jié)構(gòu)包括從下至上依次沉積的第一sinx薄膜層、第二sinx薄膜層、第三sinx薄膜層、第四sinx薄膜層；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第二sinx薄膜層的沉積工藝為：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池的低折射減反射膜結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第三sinx薄膜層的沉積工藝為：
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于光伏電池...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊仕林，劉大偉，夏中高，吳秋宏，周珊合，劉思瑞，何振雄，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：綿陽炘皓新能源科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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