【技術實現步驟摘要】
本申請屬于原子層沉積的，尤其涉及一種原子層沉積裝置。
技術介紹
1、原子層沉積技術(atomic?layer?deposition,ald)是一種特殊的化學氣相沉積薄膜技術，是通過將氣相前驅體交替地通入反應室并在基底表面發生氣-固化學反應形成薄膜的一種薄膜方法。
2、常規的原子層沉積技術大多應用在平面樣品上，例如晶圓。隨著技術的進步，原子層沉積技術也可以應用在粉末樣品上，例如如鋰電電極材料、負載型催化劑、藥物制劑，金屬粉末等。
3、隨著原子層沉積技術的不斷發展，從原子層沉積設備的角度出發，有越來越多的原子層沉積裝置要求同時滿足平面樣品沉積與粉末樣品沉積。然而，相關技術中的原子層沉積裝置僅能單獨沉積粉末樣品或單獨沉積平面樣品，無法同時兼顧粉末材料和平面材料的沉積。
技術實現思路
1、本申請旨在至少能夠在一定程度上解決相關技術中的原子層沉積裝置僅能單獨沉積粉末樣品或單獨沉積平面樣品的技術問題。為此，本申請提供了一種原子層沉積裝置。
2、第一方面，本申請實施例提供的一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：
3、平面樣品沉積器，包括殼體、殼蓋和隔板，所述殼體和所述殼蓋可拆卸密閉連接，所述隔板位于所述殼體內并與所述殼體連接；所述隔板、所述殼體和所述殼蓋合圍形成平面樣品沉積腔，所述隔板和所述殼體合圍形成用于安裝加熱裝置的加熱腔；所述殼體或所述殼蓋上開設有連通于所述平面樣品沉積腔的第一進料口和第一抽氣口；
4、粉末樣品沉積器，位于所述平面
5、所述殼體或所述殼蓋上還設置有連通所述平面樣品沉積腔或所述加熱腔的第三進料口和第三抽氣口；所述第三進料口和所述第二進料口通過第一連接管路連通，所述第三抽氣口和所述第二抽氣口通過第二連接管路連通。
6、在一些實施例中，所述隔板上設置有安裝槽，所述粉末樣品沉積器位于所述安裝槽內。
7、在一些實施例中，所述隔板上還設置有用于對平面樣品限位的限位結構，所述原子層沉積裝置設置有多個粉末樣品沉積器，所述安裝槽的數量和所述粉末樣品沉積器的數量一致，多個所述安裝槽繞所述限位結構環設。
8、在一些實施例中，所述隔板為加熱隔板，所述殼蓋上還設置有加熱裝置。
9、在一些實施例中，所述粉末樣品沉積器包括外殼、第一濾網和第二濾網，所述第二進料口和所述第二抽氣口均設置在所述外殼上，所述粉末樣品沉積腔設置在所述外殼上，所述第一濾網和所述第二濾網位于所述粉末樣品沉積腔內且分別設置在所述第二進料口和所述第二抽氣口。
10、在一些實施例中，所述第二進料口、所述第一濾網、所述第二濾網和所述第二抽氣口在高度方向從下至上依次設置。
11、在一些實施例中，所述原子層沉積裝置還包括第一進料管路和第二進料管路，所述第一進料管路的一端和所述第二進料管路的一端均連通于所述第一進料口和所述第三進料口；所述第一進料管路的另一端和所述第二進料管路的另一端分別用于與前驅體源和前驅體源連通；所述第一進料管路連通所述第一進料口側設置有第一控制閥、連通所述第三進料口側設置有第二控制閥；所述第二進料管路連通所述第一進料口側設置有第三控制閥、連通所述第三進料口側設置有第四控制閥。
12、在一些實施例中，設置有兩個第一進料口，兩個所述第一進料口均設置在所述殼體上且相對設置，所述第一進料管路和所述第二進料管路分別與兩個所述第一進料口連通。
13、在一些實施例中，在所述第一進料管路和所述第二進料管路上均設置有流量計。
14、在一些實施例中，所述原子層沉積裝置還包括抽氣管路，所述抽氣管路一端分別連通于所述第一抽氣口和所述第三抽氣口，所述抽氣管路另一端用于與真空泵連通，所述抽氣管路靠近所述第一抽氣口側設置有第五控制閥，所述抽氣管路靠近所述第三抽氣口側設置有第六控制閥。
15、本技術至少具有以下有益效果：
16、本申請所提供的原子沉積裝置包括平面樣品沉積器和粉末樣品沉積器，平面樣品沉積器具有平面樣品沉積腔，用于對平面樣品進行薄膜沉積，粉末樣品沉積器具有粉末樣品沉積腔，用于對粉末樣品進行薄膜沉積，本申請既可以對粉末樣品進行沉積又可以對平面材料進行沉積，兼顧了粉末樣品和平面樣品的沉積；同時，本申請中，粉末樣品沉積器位于平面樣品沉積腔內且和隔板導熱接觸，加熱腔內的加熱裝置既可對平面樣品沉積腔加熱又可對粉末樣品沉積腔加熱，簡化了本申請的結構，本申請原子沉積裝置還具有結構簡單的優點。
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1.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)上設置有安裝槽(131)，所述粉末樣品沉積器(20)位于所述安裝槽(131)內。
3.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)上還設置有用于對平面樣品限位的限位結構(132)，所述原子層沉積裝置設置有多個粉末樣品沉積器(20)，所述安裝槽(131)的數量和所述粉末樣品沉積器(20)的數量一致，多個所述安裝槽(131)繞所述限位結構(132)環設。
4.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)為加熱隔板，所述殼蓋(12)上還設置有加熱裝置。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述粉末樣品沉積器(20)包括外殼(21)、第一濾網(22)和第二濾網(23)，所述第二進料口(20b)和所述第二抽氣口(20c)均設置在所述外殼(21)上，所述粉末樣品沉積腔(20a)設置在所述外殼(21)上，所述第一濾網(22)和所述第二濾網(23)位于所述粉末樣品沉積腔(
6.根據權利要求5所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述第二進料口(20b)、所述第一濾網(22)、所述第二濾網(23)和所述第二抽氣口(20c)在高度方向從下至上依次設置。
7.根據權利要求1-4中任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積裝置還包括第一進料管路(50)和第二進料管路(60)，所述第一進料管路(50)的一端和所述第二進料管路(60)的一端均連通于所述第一進料口(10c)和所述第三進料口(10e)；所述第一進料管路(50)的另一端和所述第二進料管路(60)的另一端分別用于與前驅體源A和前驅體源B連通；所述第一進料管路(50)連通所述第一進料口(10c)側設置有第一控制閥(70)、連通所述第三進料口(10e)側設置有第二控制閥(80)；所述第二進料管路(60)連通所述第一進料口(10c)側設置有第三控制閥(90)、連通所述第三進料口(10e)側設置有第四控制閥(100)。
8.根據權利要求7所述的原子層沉積裝置，其特征在于，設置有兩個第一進料口(10c)，兩個所述第一進料口(10c)均設置在所述殼體(11)上且相對設置，所述第一進料管路(50)和所述第二進料管路(60)分別與兩個所述第一進料口(10c)連通。
9.根據權利要求7所述的原子層沉積裝置，其特征在于，在所述第一進料管路(50)和所述第二進料管路(60)上均設置有流量計(110)。
10.根據權利要求1-4中任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積裝置還包括抽氣管路(120)，所述抽氣管路(120)一端分別連通于所述第一抽氣口(10d)和所述第三抽氣口(10f)，所述抽氣管路(120)另一端用于與真空泵連通，所述抽氣管路(120)靠近所述第一抽氣口(10d)側設置有第五控制閥(130)，所述抽氣管路(120)靠近所述第三抽氣口(10f)側設置有第六控制閥(140)。
...【技術特征摘要】
1.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)上設置有安裝槽(131)，所述粉末樣品沉積器(20)位于所述安裝槽(131)內。
3.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)上還設置有用于對平面樣品限位的限位結構(132)，所述原子層沉積裝置設置有多個粉末樣品沉積器(20)，所述安裝槽(131)的數量和所述粉末樣品沉積器(20)的數量一致，多個所述安裝槽(131)繞所述限位結構(132)環設。
4.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述隔板(13)為加熱隔板，所述殼蓋(12)上還設置有加熱裝置。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述粉末樣品沉積器(20)包括外殼(21)、第一濾網(22)和第二濾網(23)，所述第二進料口(20b)和所述第二抽氣口(20c)均設置在所述外殼(21)上，所述粉末樣品沉積腔(20a)設置在所述外殼(21)上，所述第一濾網(22)和所述第二濾網(23)位于所述粉末樣品沉積腔(20a)內且分別設置在所述第二進料口(20b)和所述第二抽氣口(20c)。
6.根據權利要求5所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述第二進料口(20b)、所述第一濾網(22)、所述第二濾網(23)和所述第二抽氣口(20c)在高度方向從下至上依次設置。
7.根據權利要求1-4中任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積裝置還包括第...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張亦哲，明帥強，李明，王浙加，戴昕童，李國慶，聞夢瑤，車睿遠，
申請(專利權)人：嘉興中科微電子儀器與設備工程中心，
類型：新型
國別省市：
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