【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶拉制，具體涉及一種自動熔接方法。
技術介紹
1、在單晶拉制過程中，目前許多廠家仍然在人工操作熔接工序，人工操作熔接工序存在由于各種原因導致沒有進行預熱、熔接過程沒有及時降溫等異常，且現場主操或集控負責的爐臺數較多時，更易導致各種異常情況發生，異常的發生影響后續工序的進行，導致斷線的增多，產生較多的無效工時。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是開發一種自動化程度高，減少操作失誤等人為因素，避免影響后續工序的自動熔接方法。
2、本專利技術通過如下的技術方案實現：
3、一種自動熔接方法，包括如下步驟：
4、s1.對籽晶進行視覺識別，判斷籽晶是新籽晶還是舊籽晶；
5、s2.籽晶第一次下插至與液面接觸后，再第二次下插；
6、s3.進行第一次籽晶直徑檢測，若籽晶直徑不合格，則籽晶第三次下插；
7、s4.進行第二次籽晶直徑檢測，若籽晶直徑不合格，則籽晶第四次下插；
8、其中，所述步驟s2中，新籽晶直接下插至與液面接觸，舊籽晶則先下插至上次熔接位置，然后再下插至與液面接觸；
9、所述步驟s3中的第一次籽晶直徑檢測以及步驟s4中的第二次籽晶直徑檢測、第四次籽晶下插過程中，若籽晶直徑合格，則開始熔接，然后開始降功率實現降溫；
10、設置與籽晶電性連接的電極，監測電極電壓以判斷籽晶是否與熔液接觸。
11、可選的，所述步驟s1中通過對籽晶的形狀識別及表面光滑度識別或檢
12、可選的，提前設置籽晶的設定直徑1，當籽晶直徑≥設定直徑1時，籽晶直徑合格，當籽晶直徑＜設定直徑1時，籽晶直徑不合格。
13、可選的，提前設置籽晶的設定直徑2，籽晶直徑合格，開始熔接后，籽晶的直徑達到設定直徑2時開始降功率以實現降溫，設定直徑1收縮0.5mm后達到設定直徑2。
14、可選的，提前設置最低籽晶位置1，所述步驟s2中，籽晶第一次下插至最低籽晶位置1時，若籽晶還未與液面接觸，則停止下插并報警人工干預。
15、可選的，提前設置最低籽晶位置2，所述步驟s4中，籽晶第四次下插至最低籽晶位置2時，若籽晶直徑仍然不合格，則籽晶停止下插并報警提示。
16、可選的，監測電極電壓時，電極電壓為一個穩定值時，籽晶未與熔液接觸，電極電壓突然變化時，籽晶與熔液接觸。
17、可選的，所述籽晶上連接有鎢絲繩，所述電極與所述鎢絲繩電性連接。
18、可選的，所述步驟s2中，第二次下插3mm。
19、可選的，所述步驟s3中，第三次下插3mm。
20、本專利技術的有益效果是：
21、本專利技術減少人工操作項，自動化程度高，作業效率高，不需要人工操作下插籽晶、降溫等操作，自動實現熔接，減少操作失誤等人為因素帶來的異常情況，避免影響后續工序進行，采用視覺識別分辨新籽晶與舊籽晶，根據籽晶情況自動進行相應的下插操作，通過采用接觸電壓判斷籽晶與熔液接觸情況，判斷結果準確，防止視覺誤判斷導致籽晶下插過多，對籽晶和設備進行保護。
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1.一種自動熔接方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，所述步驟S1中通過對籽晶的形狀識別及表面光滑度識別或檢測，實現新籽晶與舊籽晶的判斷，舊籽晶存在上次引晶后的細晶和縮頸存留，舊籽晶底部留有錐狀的殘留物且其表面光滑度低。
3.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置籽晶的設定直徑1，當籽晶直徑≥設定直徑1時，籽晶直徑合格，當籽晶直徑＜設定直徑1時，籽晶直徑不合格。
4.根據權利要求3所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置籽晶的設定直徑2，籽晶直徑合格，開始熔接后，籽晶的直徑達到設定直徑2時開始降功率以實現降溫，設定直徑1收縮0.5mm后達到設定直徑2。
5.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置最低籽晶位置1，所述步驟S2中，籽晶第一次下插至最低籽晶位置1時，若籽晶還未與液面接觸，則停止下插并報警人工干預。
6.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置最低籽晶位置2，所述步驟S4中，籽晶第四次下插至最低籽晶位置2時，若籽晶直徑仍然
7.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，監測電極電壓時，電極電壓為一個穩定值時，籽晶未與熔液接觸，電極電壓突然變化時，籽晶與熔液接觸。
8.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，所述籽晶上連接有鎢絲繩，所述電極與所述鎢絲繩電性連接。
9.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，所述步驟S2中，第二次下插3mm。
10.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，所述步驟S3中，第三次下插3mm。
...【技術特征摘要】
1.一種自動熔接方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，所述步驟s1中通過對籽晶的形狀識別及表面光滑度識別或檢測，實現新籽晶與舊籽晶的判斷，舊籽晶存在上次引晶后的細晶和縮頸存留，舊籽晶底部留有錐狀的殘留物且其表面光滑度低。
3.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置籽晶的設定直徑1，當籽晶直徑≥設定直徑1時，籽晶直徑合格，當籽晶直徑＜設定直徑1時，籽晶直徑不合格。
4.根據權利要求3所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置籽晶的設定直徑2，籽晶直徑合格，開始熔接后，籽晶的直徑達到設定直徑2時開始降功率以實現降溫，設定直徑1收縮0.5mm后達到設定直徑2。
5.根據權利要求1所述的自動熔接方法，其特征在于，提前設置最低籽晶位置1，所述步驟...
【專利技術屬性】
技術研發人員：爾火阿來，李國華，唐元鳳，尤楊杰，袁夢，袁中華，馬自成，羅才軍，劉要普，何翔，
申請(專利權)人：四川永祥光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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