【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的迅速發(fā)展，封裝結(jié)構(gòu)的體積越來越小，封裝結(jié)構(gòu)的集成度越來越高。在芯片-晶圓-基板(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)封裝中，通常會(huì)在芯片表面覆蓋塑封材料，而傳感芯片所需要采集的感應(yīng)信號(hào)無法穿透塑封材料。因此，目前的封裝結(jié)構(gòu)不適合對傳感芯片進(jìn)行封裝。
2、因此，亟需提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本公開實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
2、為達(dá)到上述目的，本公開的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：
3、第一方面，本公開實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：提供第一芯片，所述第一芯片的表面具有感應(yīng)區(qū)域；在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)設(shè)置保護(hù)層；所述保護(hù)層至少覆蓋所述感應(yīng)區(qū)域；將所述第一芯片設(shè)于中介層一側(cè)，所述第一芯片位于所述中介層和所述保護(hù)層之間；在所述中介層一側(cè)對所述第一芯片進(jìn)行塑封，以形成塑封層；去除所述保護(hù)層，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域；其中，所述塑封層覆蓋所述第一芯片側(cè)壁。
4、在一些實(shí)施例中，所述中介層一側(cè)還設(shè)有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片設(shè)于所述中介層同一側(cè)；所述在所述中介層一側(cè)對所述第一芯片進(jìn)行塑封，以形成塑封層，包括：在所述中介層一側(cè)對所述第一芯片和所述第二芯片進(jìn)行塑封，以形成所述塑封層；其中，所述塑封層覆蓋所述第一芯片側(cè)壁和所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述中介層的表面，以及所述塑封
5、在一些實(shí)施例中，所述在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，包括：將所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域的表面和保護(hù)層進(jìn)行鍵合處理，以在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)形成保護(hù)層。
6、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片和所述保護(hù)層之間還設(shè)有圍繞所述感應(yīng)區(qū)域的凸起結(jié)構(gòu)；所述在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，包括：在所述凸起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一芯片一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，所述第一芯片、所述凸起結(jié)構(gòu)和所述保護(hù)層之間形成空腔，所述空腔暴露出所述感應(yīng)區(qū)域。
7、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；所述去除所述保護(hù)層，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域，包括：去除覆蓋所述保護(hù)層的所述塑封層，以暴露出所述保護(hù)層；對所述第一芯片和所述保護(hù)層進(jìn)行解鍵合處理；去除所述保護(hù)層，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域；其中，覆蓋所述第二芯片的所述塑封層表面和所述中介層之間的距離大于所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面和所述中介層之間的距離。
8、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；所述去除所述保護(hù)層，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域，包括：去除覆蓋所述保護(hù)層的所述塑封層，以暴露出所述保護(hù)層；去除所述保護(hù)層，以暴露出所述凸起結(jié)構(gòu)和所述感應(yīng)區(qū)域；其中，覆蓋所述第二芯片的所述塑封層表面和所述中介層之間的距離大于所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面和所述中介層之間的距離。
9、在一些實(shí)施例中，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度大于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；所述去除所述保護(hù)層，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域，包括：對所述塑封層和所述保護(hù)層進(jìn)行平坦化處理，以暴露出所述感應(yīng)區(qū)域；其中，覆蓋所述第二芯片的所述塑封層表面和所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面基本齊平。
10、第二方面，本公開實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：基板和設(shè)于所述基板一側(cè)的中介層；設(shè)于所述中介層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的第一芯片，所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面具有感應(yīng)區(qū)域；設(shè)于所述中介層一側(cè)且圍繞所述第一芯片的塑封層，所述塑封層覆蓋所述第一芯片側(cè)壁且暴露出所述感應(yīng)區(qū)域。
11、在一些實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：設(shè)于所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面且圍繞所述感應(yīng)區(qū)域的凸起結(jié)構(gòu)，所述塑封層覆蓋所述凸起結(jié)構(gòu)的外側(cè)壁且暴露出所述凸起結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)壁。
12、在一些實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：設(shè)于所述中介層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片設(shè)于所述中介層同一側(cè)，所述塑封層覆蓋所述第二芯片的側(cè)壁和所述第二芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面；其中，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；覆蓋所述第二芯片的所述塑封層表面和所述中介層之間的距離大于所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面和所述中介層之間的距離。
13、在一些實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：設(shè)于所述中介層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片設(shè)于所述中介層同一側(cè)，所述塑封層覆蓋所述第二芯片的側(cè)壁和所述第二芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面；其中，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度大于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；覆蓋所述第二芯片的所述塑封層表面和所述第一芯片遠(yuǎn)離所述中介層的表面基本齊平。
14、在一些實(shí)施例中，所述中介層中設(shè)有沿所述中介層厚度方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿延伸方向具有相對設(shè)置的第一端和第二端，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一端耦接至所述第一芯片，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二端通過凸塊耦接至所述基板。
15、本公開實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。本公開實(shí)施例中，第一芯片的表面具有感應(yīng)區(qū)域；在第一芯片一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，保護(hù)層至少覆蓋感應(yīng)區(qū)域；將第一芯片設(shè)于中介層一側(cè)，且在中介層一側(cè)對第一芯片進(jìn)行塑封之后，去除保護(hù)層，以暴露出感應(yīng)區(qū)域；其中，塑封層覆蓋第一芯片側(cè)壁。如此，保護(hù)層可以在形成塑封層的過程中保護(hù)第一芯片的感應(yīng)區(qū)域，去除保護(hù)層之后即可暴露出感應(yīng)區(qū)域，以便于第一芯片通過感應(yīng)區(qū)域接收感應(yīng)信號(hào)；并且，塑封層可以對第一芯片側(cè)壁進(jìn)行塑封，更好地保護(hù)第一芯片在使用過程中的性能和穩(wěn)定性。
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1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述中介層一側(cè)還設(shè)有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片設(shè)于所述中介層同一側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片和所述保護(hù)層之間還設(shè)有圍繞所述感應(yīng)區(qū)域的凸起結(jié)構(gòu)；
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度大于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；
8.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中介層中設(shè)有沿所述中介層厚度方向延伸的多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿延伸方向具有相對設(shè)置的第一端和第二端，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一端耦接至所述第一芯片，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二端通過凸塊耦接至所述基板。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述中介層一側(cè)還設(shè)有第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片設(shè)于所述中介層同一側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一芯片具有感應(yīng)區(qū)域一側(cè)設(shè)置保護(hù)層，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片和所述保護(hù)層之間還設(shè)有圍繞所述感應(yīng)區(qū)域的凸起結(jié)構(gòu)；
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方向的高度；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一芯片沿垂直于所述中介層方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介層方...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪松，劉俊哲，王逸群，
申請(專利權(quán))人：湖北江城芯片中試服務(wù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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